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1.
HL-2M 装置真空室设计   总被引:4,自引:0,他引:4  
HL-2M 真空室结构为“D”形截面的双层-薄壁-全焊接式-环状结构,内环直径 2m,外环径 5.22m, 高 3.02m,由 20 个扇形段组成而成。真空室上开设有 121 个窗口以满足真空抽气、实验诊断、辅助加热及工程安 装等方面的要求;支撑采用滑动杆式结构;材料选用 Inconel625、Inconel718 与 316L 组合。运用有限元法对真空 室进行了结构强度评估,真空室满足设计要求。  相似文献   
2.
基于 HL-2M 托卡马克初始等离子体放电的工程需求,设计并研制了直流辉光放电清洗系统,包括电 极、馈线、电源、控制以及监测等关键部件和辅助子系统。研制完成后开展了系统装配和工程调试,并投入到首 次等离子体放电。实验结果表明,该直流辉光放电系统运行稳定、可靠,且此辉光放电清洗显著降低了真空室本 底杂质浓度,能满足 HL-2M 装置初始等离子体放电的壁条件需求。  相似文献   
3.
针对 HL-2M 装置初始等离子体放电阶段所需的直流辉光放电清洗系统的电极进行了设计。对辉光 放电清洗系统在不同工况下的系统负载进行了分析和拟定,并确定了电极结构设计分析标准。根据系统电极的结 构特点并结合系统负载规范与分析标准,依据不同的失效模式对电极进行了失效分析。分析结果表明,此针对初 始等离子体放电的电极设计能可靠安全运行,满足设计需求。  相似文献   
4.
基于 HL-2M 真空室烘烤保温要求,通过有限元分析和原型件实验确定采用陶瓷纤维与纳米级微孔材 料组合作为 HL-2M 真空室保温材料。在 30℃时,保温层的导热系数小于 0.027W⋅m−1·℃−1;300℃时,导热系数 小于 0.038W⋅m−1·℃−1。在保温层厚度 25mm、热面温度 300℃且达到稳态时,冷面可控制在 85℃以下,线圈侧的 温度低于 60℃,整体热损失小于 12kW,满足 HL-2M 真空室烘烤需求。   相似文献   
5.
通过在加工现场和安装现场搭建的真空辅助系统、四极质谱计及氦检漏仪组成的检漏系统,运用残 余气体分析和氦质谱检漏方法在冷态下对 HL-2M 真空室扇形段及真空室整体进行了真空检漏试验。对漏点进行 修复后,测试了真空室的极限真空度和总漏气率等。真空室经过 72h 的抽气后,真空度达到 3.7×10−5Pa,超过了 1.0×10−4Pa 的预期预抽真空度。用静态定容法测得的真空室漏放气率为 2.3×10−7Pa⋅m3⋅s−1,小于设定的真空漏率 技术指标 5×10−7Pa⋅m3⋅s−1。试验结果表明 HL-2M 装置真空室满足超高真空条件,符合设计要求。  相似文献   
6.
�ļ����׼Ƶĺ�뮷ֱ�����ʵ��   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用一套四极质谱气体分析与测试系统,开展MicroVision Plus四极质谱计的氦(He)、氘(D2)分辨性能实验。分别向分析室送入He和D2,记录质谱图,得到质量刻度和分辨率等信息。He+峰位为(4.0022±0.0006)amu;D2+峰位为(4.0246±0.0006)amu。在10-6~10-4Pa的分压范围,观察到He和D2的分辨率随其分压强的增大而减小。在10-7Pa-m3-s-1的He漏孔条件下,调节D2送气量,He+/D2+分压峰值比在10-1量级可以分辨出He。  相似文献   
7.
介绍了为开展漏孔检测、氘-氦分辨性能及真空检漏技术等相关实验研究而进行的四极质谱计分析与测量系统的研制,描述了真空室结构、抽气设备的选型、测量仪器的选择及控制保护子系统工作方式。对系统进行了包括极限真空、残余气体质谱分析、漏放气率、质谱计性能等测试,结果表明本系统达到了设计要求。  相似文献   
8.
9.
HL-2A装置上首次实现了偏滤器位形放电。采用专门研制的可在强磁场和强噪声环境下工作的快响应真空电离规对偏滤器室内的中性气体压强进行了测量,给出了HL-2A装置偏滤器有关结构的基础数据。初步研究了偏滤器位形和孔栏位形放电期间偏滤器室中性气体压强的特性。  相似文献   
10.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。  相似文献   
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