微通道板及其应用

一、前言微通道板(MCP)是由许多有二次电子倍增功能的几十微米的玻璃管扎捆成的、厚度小于1mm的二维检测器。如图1所示,在管两端供给电压的状态,用一次电子轰击可发射二次电子。这些二次电子沿电场到输出端之间多次反复与壁面冲撞,因此,最后能得到10~4以上的增益。     

Sol-gel preparation of a silica enhanced hydrophobicity and antireflective coating with optical stability in vacuum

A new silica antireflective coating with improved hydrophobicity and optical stability in a vacuum is obtained by a two-step route. Firstly, silica sols are prepared with a sol-gel process, in which tetraethyl orthosilicate is utilized as a precursor. And by introduction of fluorine containing glycol into the sols, the porosity of silica particles and surface polarity of the coatings are decreased. Afterward, coatings are constructed with low surface roughness by modification of PMBA-PMMA. The coatings retain transmission of up to 99.6%, and laser damage threshold of about 50 J/cm^2 at a wavelenth of 532 nm （1-on-1. 10 ns）     

属性嵌套计算网格智能算法实现车牌汉字精准识别的设计

设计了环境较差情况下高效精准、辨识汉字的智能车牌识别算法,通过引进属性嵌套计算网格实现了汉字高效辨识的车牌识别算法;算法应用结果表明:算法设计的网格密度与识别率是成正比的,采用的属性嵌套计算网格模型,显著地改进了字符的识别率;将属性计算网格算法与属性嵌套计算网格算法对比可知,采用属性嵌套计算网格算法识别率是98.7%,识别率明显较高;设计算法系统不仅实现了汉字识别的稳定、智能特性,同时表现了抵抗较强外界干扰的特性,这一研究对于智能化汉字识别有明显的借鉴价值。     

外电场作用下飞秒激光成丝辐射太赫兹波的全电流模型

针对外加横、纵直流电场作用下的单色飞秒激光成丝辐射太赫兹波现象,提出了一种将微观等离子体电流振荡与宏观电流传输线辐射相结合的全电流模型,旨在解释外电场作用下太赫兹波增强、空间分布演变等辐射特征。与现有渡越-切连科夫辐射理论相比,所提出的全电流模型在等光速条件下可实现相位匹配,物理图像清晰、公式简洁,且能很好地复现实验结果。     

基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术EI北大核心CSCD

在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素。但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失配等问题对获得高质量的GaAs薄膜造成了严重影响。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术开展Si基GaAs生长研究。通过采用三步生长法,运用低温成核层、高温GaAs层与循环热退火等结合的方式,进一步降低Si基GaAs材料的表面粗糙度和穿透位错密度。并利用X射线衍射(XRD)ω-2θ扫描追踪采用不同方法生长的样品中残余应力的变化。最终,在GaAs低温成核层生长时间62 min(生长厚度约25 nm)时,采用三步生长、循环热退火等结合的方式获得GaAs(004)XRD摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)为401″、缺陷密度为6.8×10^(7) cm^(-2)、5μm×5μm区域表面粗糙度为6.71 nm的GaAs外延材料,在材料中表现出张应力。     

葡萄糖醛酸苷的合成研究进展

葡萄糖醛酸苷生命过程中的作用越来越受到人们重视,本文简单介绍近年来合成葡萄糖醛酸苷的进展,主要按照不同类型葡萄糖醛酸给体总结了该糖醛酸苷合成的进展。     

+3价离子掺杂钨酸铅晶体发光性能和微观缺陷的研究

通过透射光谱、x射线激发发射光谱（XSL）的测试，研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能，并利用正电子湮没寿命谱（PAT）和x光电子能谱（XPS）的实验手段，对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明，不同的+3价离子掺杂，对钨酸铅晶体发光性能的改善不同，并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升，而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降，掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提 关键词： 钨酸铅晶体 +3价离子掺杂 正电子湮没寿命谱 x光电子能谱     

胶片判读仪主画幅信息判读误差的校正方法

在通用胶片判读仪中，影响判读数据最终精度的主要误差源是测量系统（数字化仪）测量误差、投影物镜的畸变、大反射镜面形误差等因素造成的综合畸变。该综合畸变在光学系统调试完成后，就成为一个在全视场内固定分布的系统误差。本文介绍了一种被实际证明行之有效的大范围致密分区插值光学畸变校正方法，并给出了该方法的数学模型。对于采用这种畸变校正方法后的实际效果，文中用一组实际精度测试数据进行了说明。