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1.
通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,不同的+3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提 关键词: 钨酸铅晶体 +3价离子掺杂 正电子湮没寿命谱 x光电子能谱  相似文献   
2.
高质量YCOB和Nd:YCOB晶体的生长条件探讨   总被引:6,自引:5,他引:1  
本文详细报道了采用熔体提拉法生长高质量三硼酸氧钙钇「YCa4O(BO3)3,YCOB」和掺钕三硼酸氧钙钇「Nd:YCa4O(BO3)3,Nd:YCOB」的结果。  相似文献   
3.
Nb2O5掺杂对提高钨酸铅晶体发光性能的微观研究   总被引:4,自引:2,他引:2  
通过透射谱、X射线激发发射谱(XSL)的测试,研究了布里奇曼(Bridgman)法生长的掺铌钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X射线光电子能谱(XPS)的实验手段,对其微观缺陷进行了深入研究。结果表明,铌掺杂能够有效地改善钨酸铅晶体的350nm吸收带,提高钨酸铅晶体的发光快成分比例,并使得晶体中的正电子捕获中心浓度上升,低价氧浓度上升。提出掺铌钨酸铅晶体中Nb^5 将占据W^6 格位并使得晶体内部分(WO4)^2-根团成为(NbO3 Vo)^-,由此可改善钨酸铅的发光性能。  相似文献   
4.
Bridgman法生长的PbWO4晶体的腐蚀观察   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用光学显微镜观察了Bridgman法生长的PbWO4晶体(001)晶面的腐蚀形貌,讨论了位错蚀抗的形态特征,分面规律以及与晶体结晶习性的关系,同时还观察了亚晶界的形态,初步探讨了位错与亚晶界的成因。  相似文献   
5.
PbWO4晶体光学性能的结构效应   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文针对人工合成PbWO4晶体的结构特征,测试了晶体沿[100]与[001]方向的光学透射谱、发射光谱以及发光效率、详细地讨论了PbWO4晶体显著的光学各向异性效应,并分析了其特点及起因。  相似文献   
6.
采用Czochralski法生长了透明均匀的Cr:Nd:YCaO(BO3)3晶体,生长的晶体尺寸为φ42.5*50mm,生长参数为提拉速度为0.6mm/h,转速为25r/min。测定了其室温吸收谱。根据Judd-Ofelt理论拟合了Nd^3+ry  相似文献   
7.
本文对不同环境条件时Bridgman法晶体生长过程进行计算,并对不同条件对生长过程的影响加以讨论。较大的温度梯度、较大的换热系数和适量的底部冷却是Bridgman法晶体生长的必备条件,也是工艺优化的重要方向。  相似文献   
8.
采用剂量为4Mrad的γ射线辐照Bridgman法生长的未掺杂和掺铋钨酸铅晶体,研究了辐照前后晶体的透射光谱、X射线激发发射光谱(XSL)的变化.利用正电子湮没寿命谱(PAT)和X光电子能谱(XPS)的实验手段,对钨酸铅晶体辐照前后的微观缺陷进行了研究,并对其抗辐照损伤性能及微观机理进行了初步探讨.研究表明,铋掺杂使得晶体中的正电子捕获中心和低价氧浓度下降;辐照后,未掺杂晶体中正电子捕获中心浓度下降,低价氧浓度上升,掺铋晶体则出现了与之完全相反的情况,正电子捕获中心浓度上升,低价氧浓度下降.提出掺铋钨酸铅晶体中铋的掺杂辐照前主要以Bi3+占据VPb的形式存在,辐照使变价元素铋发生Bi3+→Bi5+的变价行为,Bi5+可以替代W6+格位并使得晶体内部分(WO4)2-根团形成(BiO3+Vo).  相似文献   
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