石墨烯的制备、功能化及在化学中的应用

石墨烯是最近发现的一种具有二维平面结构的碳纳米材料, 它的特殊单原子层结构使其具有许多独特的物理化学性质. 有关石墨烯的基础和应用研究已成为当前的前沿和热点课题之一. 本文仅就目前石墨烯的制备方法、功能化方法以及在化学领域中的应用作一综述, 重点阐述石墨烯应用于化学修饰电极、化学电源、催化剂和药物载体以及气体传感器等方面的研究进展, 并对石墨烯在相关领域的应用前景作了展望.     

Synthesis and Structural Characterization of [Mn（sapn）（H2O）2]Br

1 INTRODUCTION Many of the recent advances in the coordination chemistry of manganese have been driven by the involvement of the manganese in several biological redox-active systems[1,2], of which the most important is the oxygen-evolving complex (EOC) of photosystem II (PS II) in green plants [3]. Since the preparations and structural characterizations of the complexes containing N,O-donor ligands have been studied extensively as simple active-site models for the photosystem II[4,5]…     

稀土氨基酸固体络合物的合成及结构分析进展

本文综述了稀土氨基酸络合物的合成,以及应用红外、核磁、X-射线衍射、热分析等方法进行结构分析研究的进展情况。     

116例冠心病患者血清中铜铬锰钴镍钒含量的探讨

测定了１１６例冠心病患者血清中铜、铬、锰、钴、镍、钒的含量并与正常值比较，显示含量升高才是有铬和镍，降低者有钴和钒、无差异者有铜和锰。     

VmTi和KnV0.04Ti担载氧化物催化剂的表征与催化燃烧柴油炭黑的性能

用FTIR和UV-Vis研究了2个系列不同V和K负载量的VOx/TiO2和K-VOx/TiO2催化剂结构的变化;并使用程序升温氧化反应技术对这两种催化剂催化柴油炭黑燃烧活性进行了考察.结果表明,当VOx/TiO2催化剂中n(V)∶n(Ti)=0.04时,催化剂活性最好(tm=389℃).添加K能显著改善VOx/TiO2催化剂活性,n(K)∶n(V)∶n(Ti)=0.04∶0.04∶1时,炭黑燃烧的反应温度最低(tm=343℃).FTIR和UV-Vis结果表明,当VOx/TiO2催化剂n(V)∶n(Ti)>0.04∶1时,催化剂表面有V2O5形成,由于V2O5氧化能力较弱,因而催化剂的活性反而降低.而当K-VOx/TiO2催化剂中n(K)∶n(V)达到1∶1时,由于形成的KVO3物种与TiO2载体有很好的协同作用,所以催化剂活性最好.     

稀土胺羧酸配合物的研究 I. {[MnGd(DTPA)(H2O)5]2·H2O}n配合物的合成和晶体结构

本文首次合成了{MnLn(DTPA)(H2O)5]·H2O}n异核链式配合物(Ln=Gd, Er, Y)单晶,测定了{[MnGd(DTPA)(H2O)5]2·H2O]n的单晶结构。     

1,10-双(1′-苯基-3′-甲基-5′-氧代吡唑-4′-基)癸二酮-[1,10]对希土、钍和铀萃取行为的研究

本文研究了新型的双酰代吡唑酮类整合萃取剂1,10-双(1′-苯基-3′-甲基-5′-氧代吡唑-4′-基)癸二酮-[1,10](H₂A)的氯仿溶液从硝酸介质中对11个希土离子,钍和铀的萃取行为。测定了pH_1/2值,用斜率法求得萃合物的组成,确定了各自的萃取平衡反应,计算了萃取平衡常数,合成了希土固态萃合物,并对其组成、UV、IR及TG-DTA谱进行了研究。     

掺溴聚-4-甲基-1-戊烯的合成研究

 液溴与聚-4-甲基-1-戊烯（PMP）的四氯化碳溶液反应，在光照条件下得到溴代PMP，通过红外与元素分析确证了其结构。并通过热重分析对其性能进行了初步的研究。研究发现，在光照条件下溴原子很容易与PMP中叔丁基上的氢原子发生取代反应，得到化学掺杂溴原子的聚合物。该聚合物在150℃以下比较稳定，在150℃以上就会失去HBr。采用此种方法，可得到掺杂均匀的低密度材料。     

铁掺杂PMP泡沫制备工艺研究

 以聚-4-甲基-1-戊烯为泡沫骨架，二茂铁为掺杂材料，通过热诱导倒相技术制备出铁掺杂聚合物泡沫。掺杂泡沫的实际密度均高于理论密度，且沿轴向从上至下逐渐增大。在理论密度不变的情况下，掺杂泡沫实际密度随掺杂元素原子百分含量的升高而呈降低趋势。与PMP泡沫相比，掺杂泡沫的孔洞直径分布变宽且网络骨架尺寸有变大的趋势。     

Frequency and voltage-dependent electrical and dielectric properties of Al/Co-doped PVA/p-Si structures at room temperature

In order to investigate of cobalt-doped interracial polyvinyl alcohol （PVA） layer and interface trap （Dit） effects, A1/p- Si Schottky barrier diodes （SBDs） are fabricated, and their electrical and dielectric properties are investigated at room temperature. The forward and reverse admittance measurements are carded out in the frequency and voltage ranges of 30 kHz-300 kHz and -5 V-6 V, respectively. C-V or er-V plots exhibit two distinct peaks corresponding to inversion and accumulation regions. The first peak is attributed to the existence of Dit, the other to the series resistance （Rs）, and interfacial layer. Both the real and imaginary parts of dielectric constant （er and err） and electric modulus （Mr and Mrr）, loss tangent （tan~）, and AC electrical conductivity （aac） are investigated, each as a function of frequency and applied bias voltage. Each of the M~ versus V and Mrr versus V plots shows a peak and the magnitude of peak increases with the increasing of frequency. Especially due to the Dit and interfacial PVA layer, both capacitance （C） and conductance （G/w） values are strongly affected, which consequently contributes to deviation from both the electrical and dielectric properties of A1/Co-doped PVA/p-Si （MPS） type SBD. In addition, the voltage-dependent profile of Dit is obtained from the low-high frequency capacitance （CLF-CHF） method.