S波段宽带高平均功率速调管输出段的研制

 研制了一种用于S波段、7.1%带宽、高平均功率速调管的输出段结构。该结构采用双间隙重叠模耦合腔,利用短槽耦合方式,计算得到耦合槽的尺寸,常规选取两个谐振腔的频率、品质因子及两腔间隙中心之距等参数。根据这些参数加工冷测模型,冷测获得的槽的谐振频率和耦合系数与设计值误差只有2.5%。计算的阻抗矩阵曲线与冷测的相对阻抗曲线趋势基本一致,计算的功率与实际的热测结果均满足峰值输出功率大于1.1 MW、平均输出功率大于22 kW的设计要求。实验结果证明该输出段可达到7.1%的带宽,从而验证了该设计方法的正确性。     

测量行波管电子注的法拉第筒的热分析

利用ANSYS软件对测量行波管电子注截面的法拉第筒探头进行了热分析研究.分析了在单脉冲情况下,测量各种直径的不同脉冲功率密度的电子注、不同脉冲宽度对法拉第筒温度的影响,研究了测量不同功率密度的电子注可以使用的脉冲宽度.结果表明,仅法拉第筒上的注斑区域温度迅速上升,温度梯度较大,其它部分温度基本不变,为保证法拉第筒能够持...     

新型宽谱电磁脉冲试验系统

 研制了一套新型宽谱电磁脉冲试验系统,该系统采用全电感隔离型重复频率Marx发生器产生高压冲击脉冲,经双极脉冲形成线馈入宽带天线进行宽谱辐射。介绍了发生器工作原理和双极脉冲形成原理。实验结果表明：发生器输出脉冲电压500 kV,脉冲前沿20 ns,重复频率20 Hz,宽谱辐射因子195 kV,辐射中心频率200 MHz,频谱宽度37%。该试验系统结构紧凑、操作灵活,并具有方位辐射方向360°旋转和运程控制等功能。     

高平均功率固体激光功率和光束质量关系研究进展

 固体激光的一个重大发展方向和目标是实现“三高”(高平均功率、高光束质量和高效率)激光同时输出,结合相关研究工作和进展,着重论述了固体激光输出功率和光束质量的关系,给出了功率升高、光束质量非线性下降是当前“三高”固体激光研究的一个基本科学技术问题。围绕这一基本问题,评述了一些重要技术途径和手段,并探讨了实现高平均功率高光束质量固体激光输出的可能有效途径。     

大型激光装置束间能量平衡能力综合分析方法

 针对大型激光装置输出能量平衡能力,建立了束间均方根分析方法。构建了大型激光装置的光束能量观测数据变换过程,得到服从近似正态分布的变换数据,从而建立简便的束间能量平衡能力的均方根计算方法;基于全控图和选图,针对装置能量平衡能力短期变化提出均方差控制图,并定义装置平均失效强度函数,用于描述装置整体的能量平衡能力长期变化趋势。通过对调试数据的分析,验证了综合分析方法的可视性和高效性。     

Systematic study on visible light collimation nanostructured slits in the metal surface

We present a systematic experimental investigation on visible light collimation by a nanostructured slit flanked with a pair of periodic array of grooves in gold thin film. A wide variety of aspects are considered, such as the polarization state, the transport path of incident light, the groove-groove spacing, the groove width and depth. Our results clearly show that the relationship between the collimation wavelength and the periodicity of the slit-groove structure accords well with the surface plasmon dispersion model proposed by previous researchers. Furthermore, the surface plasmon wave phase retardation effect induced by the surface structure is also verified via the measurement for samples with different groove widths and depths. These results indicate that the detailed geometry of the groove structure has obvious impacts on the collimation effect and the angular distribution of the diffraction light in the subwavelength plasmonic system.     

Minimum mean square error method for stripe nonuniformity correction

Stripe nonuniformity is very typical in line infrared focal plane (IRFPA) and uncooled starring IRFPA. We develop the minimum mean square error (MMSE) method for stripe nonuniformity correction (NUC). The goal of the MMSE method is to determine the optimal NUC parameters for making the corrected image the closest to the ideal image. Moreover, this method can be achieved in one frame, making it more competitive than other scene-based NUC algorithms. We also demonstrate the calibration results of our algorithm using real and virtual infrared image sequences. The experiments verify the positive effect of our algorithm.     

用变温霍尔效应估测锑化铟的禁带宽度

通过变温霍尔效应实验获得锑化铟的霍尔系数随温度变化的数据,根据半导体的霍尔系数随温度的变化规律,计算出禁带宽度,并且着重讨论禁带宽度的两种求法,比较了两种方法的计算精度.     

4H-SiC中基面位错发光特性研究

本文利用阴极荧光(CL)和选择性刻蚀的方法对4H-SiC同质外延材料中基面位错的发光特性进行了研究. 结果表明螺型基面位错(B_TSD)和混合型基面位错(B_MD)分别具有绿光和蓝绿光特性,其发光峰分别在530 nm附近和480 nm附近. 从测试结果中还发现B_MD 的发光位较B_TSD有所蓝移,分析认为B_TSD位错芯附近原子沿伯格斯 关键词： 4H-SiC 基面位错 发光特性 禁带宽度     

n,p柱宽度对超结SiGe功率二极管电学特性的影响

结合SiGe材料的优异性能与超结结构在功率器件方面的优势,提出了一种超结SiGe功率二极管.该器件有两个重要特点:一是由轻掺杂的p型柱和n型柱相互交替形成超结结构,取代传统功率二极管的n^-基区;二是阳极p⁺区采用很薄的应变SiGe材料.该二极管可以克服常规Si p⁺n^-n⁺功率二极管存在的一些缺陷,如阻断电压增大的同时,正向导通压降随之增大,反向恢复时间也变长.利用二维器件模拟软件MEDICI仿真 关键词： 超结 锗硅二极管 n p柱宽度 电学特性