大型激光装置束间能量平衡能力综合分析方法

 针对大型激光装置输出能量平衡能力,建立了束间均方根分析方法。构建了大型激光装置的光束能量观测数据变换过程,得到服从近似正态分布的变换数据,从而建立简便的束间能量平衡能力的均方根计算方法;基于全控图和选图,针对装置能量平衡能力短期变化提出均方差控制图,并定义装置平均失效强度函数,用于描述装置整体的能量平衡能力长期变化趋势。通过对调试数据的分析,验证了综合分析方法的可视性和高效性。     

多功能物理演示实验室的构建

本文结合东华理工大学物理演示实验室的建设实践,分析了物理演示实验室的教学辅助、科普教育和创新实践等教育功能,并提出了建设多功能物理演示实验室的思路。     

基于labview应变片自动校准及测量

应变片性能测试是基本传感器实验之一,结合当前流行的测量与控制系统软件labview及数据采集卡usb6009,设计一应变片自动校准及测量方案,本套设计方案对其它传感器的应用也有很好的借鉴意义,同时起到提高学生实验积极性作用。     

Grüneisen系数的统计物理学定义

将广义力对系统做功引起的能量(不含冷能)的相对变化ES/ES与广义坐标的相对变化y/y之比定义为微观Grüneisen系数γS,导出了计算Grüneisen系数统计平均值的微分方程.由该方程计算了人们熟悉的热力学系统的Grüneisen系数,结果与其他方法得到的结论完全一致.     

同时确定换热器管内介质放热系数和污垢系数的经验方法

本文在实验研究的基础上,提出了一种可以通过实验数据的整理,同时确定煤加压制气废热换热器内含有高压不凝性气体的水蒸汽管内强制对流凝结放热系数及焦油污垢系数的经验方法,方法正确可靠,可应用于工程设计。     

激光装置片状放大器组件的氙灯可靠性分析

 整理惯性约束聚变激光装置的运行记录和氙灯的故障数据，得到10种氙灯故障现象，并且归纳为3类,即触发故障、绝缘故障和氙灯爆炸，按故障发生时间可以分为“引发失效”的故障和“舍生取义”的故障。分析3类氙灯故障与片状放大器组件以及装置打靶成功率的逻辑关系，生成基于氙灯故障的装置打靶故障树，描述氙灯可靠性对于装置打靶成功的重要性。分析氙灯的生产工艺流程和工艺缺陷，生成氙灯的故障与工艺的鱼刺图，揭示氙灯故障的根源。     

ICF激光装置的任务可用性模型和分析方法

梳理任务可用度的基本模型,构建装置执行任务的过程类型和时间模型图,体现任务时限和修复时限的要求,以此给出装置单次任务可用性评价模型 ;选用曲线拟合和拟合优度检验方法,考虑修复对任务影响程度差异及其发生概率,建立装置多次任务可用性评价模型、评价方法及分析步骤,为系统地开展惯性约束聚变激光装置可用性评价提供一般模型和方法。通过对神光-Ⅲ原型装置使用可靠性数据处理和分析,验证提出的模型和分析方法的正确性和经济性。研究成果将直接应用于神光-Ⅲ主机装置的可靠性工程建设中。     

Gruneisen系数的统计物理学定义

将广义力对系统做功引起的能量（不含冷能）的相对变化аEs／Es与广义坐标的相对变化аy／y之比定义为微观Gruneisen系数γs，导出了计算Gruneisen系数统计平均值的微分方程．由该方程计算了人们熟悉的热力学系统的Gruneisen系数，结果与其他方法得到的结论完全一致．     

电子与钠原子散射的S, T, U参数研究

电子原子散射中的S，T，U参数可用来描述散射前后自旋状态的变化，研究精细结构水平上的散射激发振幅之间的关系，进而揭示电子原子碰撞过程中电子自旋-轨道耦合以及电子-电子交换等自旋相关效应.采用扭曲波玻恩近似计算了钠原子受电子散射S→P跃迁中的S，T，U参数，分析了多种入射能(2.2—60 eV)的电子与钠原子激发S→P跃迁过程的S,T,U参数随散射角的分布，其中对10 eV入射能的S_p参数与已报道实验数据符合一致.结果表明，较低能电子入射下的S,T,U参数随散射角的分布幅度和起伏都比较明显，入射能大于40 eV的电子入射，S,T,U参数的散射角分布变化很小. 关键词： 散射激发 S')" href="#">S T')" href="#">T U参数')" href="#">U参数 散射振幅 自旋相关效应     

Fe纳米颗粒嵌埋对类金刚石薄膜结构及电学性能的影响

采用脉冲激光气相沉积方法制备了不同Fe嵌埋浓度的Fe: DLC多层纳米复合薄膜。用X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的组成成分进行分析。利用透射电子显微镜（TEM）、拉曼光谱、电流-电压曲线研究Fe纳米颗粒嵌埋对薄膜的微观结构及电学性能的影响。XPS和TEM表明，Fe纳米颗粒周期性地均匀地嵌埋在碳薄膜中。拉曼光谱表明薄膜中的C为典型的类金刚石结构，Fe纳米颗粒促进芳香环式结构的形成，薄膜结构的有序度提高。电流 电压曲线表明，Fe纳米颗粒的嵌埋导致薄膜的室温电导率增加。