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112.
对Sn-C60薄膜进行紫外可见光吸收,X-射线衍射和扫描电镜的测定结果显示,薄膜样品紫外可见光吸收的两个短波段吸收峰比纯C60薄膜的吸收峰显著下降,说明Sn-C60薄膜的电子光吸收跃迁为间接跃迁,能带中有杂质能级的存在;样品的X射线衍射峰则对应于面心立方结构;扫描电镜结果显示薄膜为纳米级颗粒组成。 相似文献
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114.
ICP-AES测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn 总被引:7,自引:2,他引:5
用ICP-AES法同时测定饮用水源中的Cu、Mn、Pb、Cd、Zn等重金属元素,具有基体效应小、测量范围宽等优点。检出限为0.2-4.0μg/L,回收率为91.5%-103.9%,相对标准偏差为0.29%-1.5%,测定密码样与实际样品,结果令人满意。 相似文献
115.
116.
初文昌 《高校应用数学学报(A辑)》1991,6(3):337-341
应用文[1]新近建立的Gould-Hsu反演的双变量形式,本文研究了一类二元有理插值公式的构造,确定了该类插值函数所表现的函数类,并给出了差分表计算的递归公式 相似文献
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考虑半参数回归模型Y=X’β+g(T)+e,其中(X,T)为取值于Rp×[0,1]上的随机向量,β为p×1未知参数向量,g为定义于[0,1]上的未知函数,e为随机误差,Ee=0,Ee2=σ2>0,且(X,T)与e独立。本文综合最近邻和最小二乘的方法定义了β,g和σ2的估计量,gn*和。在适当条件下证明了和的渐近正态性,并得到了gn*的最优收敛速度。 相似文献
118.
THE EIGENVALUE PERTURBATION BOUND FOR ARBITRARY MATRICES 总被引:1,自引:0,他引:1
Wen Li Jian-xin Chen 《计算数学(英文版)》2006,24(2):141-148
In this paper we present some new absolute and relative perturbation bounds for theeigenvalue for arbitrary matrices, which improves some recent results. The eigenvalueinclusion region is also discussed. 相似文献
119.
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本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。
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