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层次分析法参数化的随机模型 总被引:4,自引:0,他引:4
建立了层次分析法参数化的随机模型,通过计算难度系数,得出权向量,从而有利于广泛应用且真实可靠。 相似文献
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直流稳压电源可以将交流电压变换为直流电压,并使之稳定,在我们现实生活中应用很广泛,在实验中我们利用的电学知识,设计制造了一种直流稳压电源。本文简要介绍了这种直流稳压电源波形演示器的设计目的和电路原理,重点阐述了它的制作流程、滤波和稳压原理以及性能测试输出波形。 相似文献
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用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
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强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。 相似文献
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应用TGT法生长了直径为75mm的U:CaF2晶体,宏观上透明完整.应用公式K0=Cs/Cl计算了U在CaF2晶体中的分凝系数等于0.53.应用溶质分布一般公式Cs=K0C0(1-g)K0-1,计算U的浓度分布与测量值,数值符合说明晶体生长过程接近平衡状态.分析不同条件下生长的U: CaF2晶体的晶胞参数和吸收光谱,结果表明生长气氛决定U的价态及电荷补偿机理:无PbF2存在的条件下,U为+4价,晶体呈绿色;PbF2的加入起到氟化去氧作用,U倾向于以离子半径最接近于Ca2+的U3+存在,晶体呈红色.从晶体生长开始到结束的部位,U3+:CaF2晶体吸收光谱的峰位不变,峰强呈现与U浓度相同的增加趋势.U3+:CaF2晶体外层厚约5mm处呈黄色,含有U3+和U2+的混合价态离子,其原理是石墨坩埚的还原作用通过单质铅,使部分的U3+进一步还原成了U2+.
关键词:
铀
氟化钙晶体
分凝系数
晶胞参数 相似文献
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