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1.
采用有效质量模型和非线性弹性理论计算了不同尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱发光峰的 压力系数(PC).量子点峰位随压力的变化主要来自禁带宽度和电子束缚能随压力变化两方面 的贡献.由于InAs/GaAs量子点是一个应变体系,体系的晶格常数,失配应变和弹性系数均随 外加压力变化,使得加压后量子点的禁带宽度相对于非应变体系略有减小,同时势垒高度增 加,电子束缚程度增加.两者共同作用引起的InAs应变层的禁带宽度压力系数减小是导致量 子点的压力系数小于InAs体材料的主要原因.同时计算结果表明,电子束缚能随压力变化对 不同尺寸量子点的压力系数的影响不同,量子点尺寸越小,受其影响越大,压力系数也越大 .
关键词:
量子点
压力系数
应变 相似文献
2.
利用应变SiGe/Si异质pn结电容-电压(C-V)特性确定SiGe禁带宽度的技术.该技术根据SiGe/Si异质pn结C-V实验曲线,计算出 pn结接触电势差,并得到SiGe/Si的价带偏移量和导带偏移量,进而求得SiGe禁带宽度.该技术测试方法简便,其过程物理意义清晰,既适用于分立的SiGe/Si异质pn结,也可直接分析SiGe/Si异质结器件中的SiGe 禁带宽度.实验结果与理论计算及其他相关文献报道的结果符合较好.
关键词:
SiGe/Si
异质pn结
C-V
禁带宽度 相似文献
3.
Si衬底上ZnSe外延膜的低压MOCVD生长 总被引:2,自引:2,他引:0
以硒化氢(H2Se)和二甲基锌为源材料,生长温度是300℃时,用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统在Si(111)衬底上外延生长了ZnSe薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜的能量色散(EDS)以及光致发光(PL)实验验证ZnSe外延膜的质量,在X射线衍射谱中只有一个强的ZnSe(111)面衍射峰,这说明外延膜是(111)取向的单晶薄膜,在能量色散谱中除了Si,Zn和Se原子外,没有观测到其他原子,说明ZnSe外延膜中杂质含量较少。ZnSe外延膜中Zn/Se原子比接近1,有较好的化学配比。在ZnSe外延膜的77K光致发光谱中没有观测到与深中心发射相关的发光峰,表明ZnSe外延膜的晶格缺陷密度较小。77K时的近带边发射峰447nm在室温时移至465nm附近。 相似文献
4.
介绍了宽禁带II-VI族化合物半导体ZnSe,ZnSSe和ZnCdSe外延膜及它们的超晶格的分子束外延生长.用X射线衍射法(XRD)和光致发光(PL)法分别对其结构特性和光学特性进行了研究.尤其是对超晶格样品所进行的温度变化的PL研究,得出了对于ZnSe/ZnSSe超晶格,其激子激活能(E_(?))仅为17meV,我们用ZnSe/ZnSSe导带不连续较小来解释这个结果.而对于ZnCdSe/ZnSe超晶格,其E_(?)则为41meV,这说明此类超晶格所形成的量子阱,足以对电子和空穴进行限制.这些结果为我们进 相似文献
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采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带阶值ΔEv(x).研究表明,ΔEv(x)值随衬底合金组分x单调变化。且两者的关系是非线性的。在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好。 相似文献
9.
用分子束外延在GaAs衬底上生长了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构,利用X射线衍射(XRD)、变温度PL光谱和ps发光衰减等研究了ZnCdSe/ZnSe多量子阱结构和激子复合特性,由变温PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理。 相似文献
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11.
采用高压原位测量技术在0–35 GPa压力范围内对ZnSe直流和交流电学性质进行了研究. 通过分析直流电学测量结果可知,在实验压力区间内ZnSe经历了由纤锌矿转变为朱砂相再转变为岩盐相的两次相结构转变. 分析温度与材料电阻率的变化关系表明ZnSe在高压下的相变为金属化相变,并通过交流阻抗谱的测量实验证实了这个结论. 进一步比较低压条件下晶粒和晶界电阻的变化,表明朱砂相结构的ZnSe更接近各向同性材料.
关键词:
高压
ZnSe
电学 相似文献
12.
本文首次在室温和0-2.5GPa静压范围内研究了Znse/Zn0.74Cd0.26Se应变超晶格的静压光致发光,观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性.经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数.理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好. 相似文献
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With in situ electrical resistivity and Hall effect measurement, electrical transportation property and charge carrier behavior of ZnSe were investigated under high pressure using a diamond anvil cell (DAC). The electrical resistivity changed discontinuously at 7.7 and 11.9?GPa, corresponding to the phase transitions of ZnSe. In the pressure interval of 7.7–11.9?GPa, the electrical resistivity changed continuously, indicating the existence of the intermediate phase between the zinc blende and rock salt phases. The difference of carrier characteristic between the intermediate and rock salt phases can also suggest the existence of the intermediate phase. For the intermediate phase, the increase in electrical resistivity is from the decrease in mobility. While for the rock salt phase, the increase in charge carrier concentration leads to the decrease in electrical resistivity. 相似文献
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High-pressure and high-temperature behavior of ZnSe was investigated by energy dispersive X-ray diffraction method up to 14 GPa and 800°C. A new high-pressure phase with B9 (HgS)-type structure is found near the B3-B1 phase boundary at room temperature, as predicted by an ab-initio calculation. The property and observed pressure region of the B9-type phase are in good agreement with the ab-initio calculation. At high-temperature condition above 300°C, only the direct transitions are observed between the B3 and B1 phases. The B3-B1 phase boundary is also determined to be P (GPa)=12.21−0.0039T (°C) for the temperature range between 300 and 800°C. 相似文献
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