Dissipative Particle Dynamics Simulation of Microscopic Properties in Diblock Copolymer Films

利用耗散粒子动力学模拟方法研究了两嵌段共聚高分子薄膜中的一些微观性质. 结果表明：薄膜中共聚高分子链的均方根末端距2_e>^1/2、均方根回旋半径2_g>^1/2与薄膜厚度l、不同粒子间的相互作用强度a_ij、粒子与薄膜边界间的排斥作用强度a_pb均呈线性关系,而均方键长与a_ij、a_pb呈线性关系,随l增加则呈现出波浪形趋势. 2_e>^1/2与2_g>^1/2的变化趋势可以相互对应. 任一组分在薄膜中的密度分布可以通过其与薄膜边界间的相互作用来有效控制与调节.     

表面等离子共振谱半波全宽的算法探讨

根据金属薄膜复介电常量的性质和衬底对表面等离子波波矢的微扰,对在波长调制下的表面等离子共振传感器输出光谱的半波全宽计算方法进行了探讨。建立了输出光谱的半波全宽与传感器各参量之间关系的数学表达式。将理论研究与实验结果进行对比后发现,两者吻合较好。文中的研究结果可为优化传感器的特性提供理论依据。     

动力学晶格蒙特卡洛方法模拟Cu薄膜生长

利用动力学晶格蒙特卡洛方法模拟了Cu薄膜在Cu(100)面上的三维生长过程。模型中考虑了四个动力学过程:原子沉积、增原子迁移、双原子迁移和台阶边缘原子迁移,各动力学过程发生的概率由多体势函数确定。讨论了基底温度、沉积速率及原子覆盖率对Cu原子迁移、成核和表面岛生长等微观生长机制的影响;获得了Cu薄膜的表面形貌图并计算了表面粗糙度。模拟结果表明,随基底温度升高或沉积速率下降,岛的平均尺寸增大,数目减少,形状更加规则。低温时,Cu薄膜表现为分形的离散生长,高温时,Cu原子迁移能力增强形成密集的岛。Cu薄膜表面粗糙度随着基底温度的升高而迅速减小;当基底温度低于某一临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速率的增大而增大;当基底温度超过临界温度时,表面粗糙度随原子覆盖率或沉积速率的变化很小,基本趋于稳定。     

不同方法测铁电材料的居里温度

1铁电材料的居里温度及其特性 铁电材料的一些性质总是随温度的变化而变化,而且都有一个临界温度Tc,当超过临界温度时,晶体的分子结构发生变化,自发极化消失,没有铁电性,我们称这个点为居里点,这个温度为居里温度．     

利用重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜

用能量11.4MeV/u和注量1×108ions/cm2的197Au离子垂直辐照聚丙烯薄膜,通过电导测量法监测温度、硫酸浓度和重铬酸钾浓度对径迹蚀刻速率的影响,得到合适的蚀刻条件;成功制备出孔径范围在600—1000nm的重离子径迹聚丙烯孔膜,并用场发射扫描电镜对孔的形状及孔径大小进行了表征,对孔洞锥角的形成进行了分析,为重离子辐照技术制备锂离子电池隔膜提供了实验数据。     

Microstructure and strain films using in-plane grazing analysis of GaN epitaxial incidence x-ray diffraction

This paper investigates the major structural parameters, such as crystal quality and strain state of （001）-oriented GaN thin films grown on sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition, using an in-plane grazing incidence x-ray diffraction technique. The results are analysed and compared with a complementary out-of-plane x- ray diffraction technique. The twist of the GaN mosaic structure is determined through the direct grazing incidence t of （100） reflection which agrees well with the result obtained by extrapolation method. The method for directly determining the in-plane lattice parameters of the GaN layers is also presented. Combined with the biaxial strain model, it derives the lattice parameters corresponding to fully relaxed GaN films. The GaN epilayers show an increasing residual compressive stress with increasing layer thickness when the two dimensional growth stage is established, reaching to a maximum level of-0.89 GPa.     

环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展

介绍了近年来Mg2Si薄膜的研究进展。从Mg2Si材料的晶体结构出发,重点对Mg2Si薄膜的基本性质、制备方法和应用前景进行了论述。研究表明,Mg2Si是一种窄带隙间接半导体材料,在光电和热电领域都具有较好的应用价值,因其兼具了组成元素地层含量丰富、无毒、无污染等优点,被视为是一种新型的环境友好半导体材料。在Mg2Si薄膜的外延生长技术方面,目前比较成熟的方法有分子束外延、脉冲激光沉积、反应扩散等多种,但普遍存在制备条件较苛刻,成膜质量不高等缺点。最后,对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要讨论。     

Effect of film thickness manganite-based on interfacial barrier of heterojunctions

Interracial barrier is a key factor that determines the performances of heterojunctions. In this work, we study the effect of manganite film thickness on the effective interracial barrier for La0.67Sr0.33MnO3/Nb：SrTiO3 junctions, The barrier is extracted from the forward current-voltage characteristics. Our results demonstrate that the barrier decreases gradually from -0.85 eV to -0.60 eV when the film thickness decreases from 150 nm to 2 nm. The overall value of the barrier is only about 50% of the corresponding one determined from the photovoltaic effect.     

相位延迟器在四频激光陀螺中的应用研究

介绍了典型相位延迟器1／4波片和90°相位延迟膜的工作原理,定义了四频激光陀螺输出信号解调信噪比,分析了相位延迟量对其造成的影响,并就此结果进行了MATLAB仿真。从两种相位延迟器的工作原理出发,阐述了温度、入射角、入射光波长等因素对两者相位延迟量的影响。结合激光陀螺在实际应用中的要求,对两者进行了比较,并得出结论：90°相位延迟膜更适合作为四频激光陀螺输出解调系统中的相位延迟器。     

SrF2-CaF2混合物薄膜的物理及红外光学特性研究

采用热蒸发和电子束蒸发两种沉积方式分别沉积了相同厚度的SrF₂-CaF₂ (比例为1∶1) 的混合物薄膜,对其物理和光学特性进行了研究,并定量地给出了其在红外波段的光学常数,填补了这一数据的空白. 同时提供了一种获得不同低折射率薄膜的方法.文中还以该比例的混合物作为低折射率材料,研制出具有很好的光学性能的长波红外宽光谱增透膜.