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51.
CdSe纳米线阵列的制备及其表征(英) 总被引:1,自引:0,他引:1
通过在含有SeSO32-和Cd2+的室温水溶液中,用模板-电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜(AAM)模板中制备了高有序性的CdSe纳米线阵列,并对其形貌、结构和组分进行了表征。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明,纳米线阵列中的CdSe纳米线具有相同的长度和直径,分别对应于使用的AAM模板的厚度和孔径;X-射线衍射(XRD)和X-射线能谱(EDAX)结果表明,CdSe纳米线中Cd和Se的化学组成非常接近于1∶1,其结构为立方CdSe。另外,对模板-电沉积法制备CdSe纳米线的机理进行了讨论。 相似文献
52.
53.
54.
在所有电极过程中研究最多的是析氢反应,其重要性一直为化学界所关注。提高电极活性的各种方法中,普遍采用电沉积法,它价廉简便、效果明显。但涂层不够牢固,在使用过程中易脱落,使用寿命短。为了克服上述缺点,作者将电沉积和离子注入技术联合使用,即在Ni、W镀层上注入Mo离子,利用Mo离子的能量将Ni、W打入表面内层,进行离子束混合。这既 相似文献
55.
PTC特性的复合导电体系中炭粒子分布的逾渗模型与电阻率的计算 总被引:17,自引:0,他引:17
综述了炭黑填充型导电高分子复合体系的几种导电理论;讨论了导电载流子分布的各种假说及模型;比较了不同模型的理论预测与实验结果的差异性。 相似文献
56.
采用电沉积-热解法在3Cr25Ni7N合金表面制备了Y2O3薄膜,并研究了薄膜处理对合金在1000℃空气中的抗高温氧化性能的影响。氧化动力学曲线、SEM及XRD分析结果表明,Y2O3薄膜处理使合金表面氧化膜以尖晶石结构为主,氧化膜致密,有效地抑制了Cr2O3的挥发反应,且氧化膜与基体的附着性好,因此合金在高温下的抗氧化性能得到提高,这与氧化钇薄膜在较低温度下抗高温氧化性能提高的机制是不同的。在不同温度下,Y2O3薄膜处理均可以有效提高合金的抗高温氧化性能。 相似文献
57.
58.
以沥青中间相为原料,氢氧化钾直接活化,获得了比表面达2363m ̄2/g的超高比表面炭分子筛(CMS)。分别以CMS、SiO_2、活性炭和θ-Al_2O_3为担体,制备了负载钼催化剂,并研究其加压甲烷化反应性能,发现活性依下面顺序增加:θ-Al_2O_3<SiO_2<活性炭(AC)<CMS。还分别以钼酸铵和磷钼酸(HPMo)为前驱体,制备了CMS负载钼催化剂,并考察了其煤气甲烷化活性,发现不同的催化剂前驱体对催化剂反应活性影响很大。根据产物中CH_4/CO_2的变化,推测CO在钼催化剂上的甲烷化反应包括如下两个步骤:(1)3H_2+CO→CH_4+H_2O,(2)CO+H_2O→CO_2+H_2。 相似文献
59.
铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究 总被引:3,自引:1,他引:3
用自制的电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)现场研究Cu在HOPG上的电沉积过程.结果表明Cu在HOPG上的电沉积为三维成核的过程.当电位较低或Cu2+离子浓度较低时,铜在本体金属生长主要沿着台阶方向.过电位较高时,铜的成核数目增加,沉积层的晶粒有所细化.同时,非现场ECSTM比较研究表明,STM针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用,针尖所在区域Cu的沉积速度比其它区域明显减小 相似文献
60.
烟酸对酸性硫酸盐体系铜电沉积的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
对溶液A: 0.8 mol•L-1硫酸铜,0.6 mol•L-1硫酸,5.0×10-5 mol•L-1氯离子,1.0×10-4 mol•L-1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10-2 mol•L-1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极上铜的电沉积行为.结果表明,铜的电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.烟酸的加入对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.沉积层的X射线衍射表明Cu为面心立方结构,在烟酸存在下沉积层出现(220)高择优取向,这可能是烟酸在Cu(220)晶面上发生强烈吸附作用的结果. 相似文献