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51.
CdSe纳米线阵列的制备及其表征(英)   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过在含有SeSO32-和Cd2+的室温水溶液中,用模板-电沉积法在纳米孔阵列阳极氧化铝膜(AAM)模板中制备了高有序性的CdSe纳米线阵列,并对其形貌、结构和组分进行了表征。扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)结果表明,纳米线阵列中的CdSe纳米线具有相同的长度和直径,分别对应于使用的AAM模板的厚度和孔径;X-射线衍射(XRD)和X-射线能谱(EDAX)结果表明,CdSe纳米线中Cd和Se的化学组成非常接近于1∶1,其结构为立方CdSe。另外,对模板-电沉积法制备CdSe纳米线的机理进行了讨论。  相似文献   
52.
本文研究了正硅酸乙酯分别在无胺法和有胺法制得的HZSM-5沸石上的沉积过程,并用吸附,NH3-TPD及异丙醇探针反应等手段表征了沉积后的样品,发现沉积仅在外表面上进行,可使孔口变小但不影响孔道内性质,显示有对于二甲苯分子的择形吸附能力,且在甲苯甲醇烷基化反应和二甲苯异构化反应中表现出良好的择形催化性能.  相似文献   
53.
电沉积羟基磷灰石/TiO2复合涂层   总被引:1,自引:0,他引:1  
结合强度;电沉积羟基磷灰石/TiO2复合涂层  相似文献   
54.
在所有电极过程中研究最多的是析氢反应,其重要性一直为化学界所关注。提高电极活性的各种方法中,普遍采用电沉积法,它价廉简便、效果明显。但涂层不够牢固,在使用过程中易脱落,使用寿命短。为了克服上述缺点,作者将电沉积和离子注入技术联合使用,即在Ni、W镀层上注入Mo离子,利用Mo离子的能量将Ni、W打入表面内层,进行离子束混合。这既  相似文献   
55.
综述了炭黑填充型导电高分子复合体系的几种导电理论;讨论了导电载流子分布的各种假说及模型;比较了不同模型的理论预测与实验结果的差异性。  相似文献   
56.
采用电沉积-热解法在3Cr25Ni7N合金表面制备了Y2O3薄膜,并研究了薄膜处理对合金在1000℃空气中的抗高温氧化性能的影响。氧化动力学曲线、SEM及XRD分析结果表明,Y2O3薄膜处理使合金表面氧化膜以尖晶石结构为主,氧化膜致密,有效地抑制了Cr2O3的挥发反应,且氧化膜与基体的附着性好,因此合金在高温下的抗氧化性能得到提高,这与氧化钇薄膜在较低温度下抗高温氧化性能提高的机制是不同的。在不同温度下,Y2O3薄膜处理均可以有效提高合金的抗高温氧化性能。  相似文献   
57.
超临界状态下炭基材料的储氢   总被引:7,自引:0,他引:7  
高燕  宋怀河  陈晓红 《化学通报》2002,65(3):153-156
评介了目前各种储氢方法,指出了炭基材料作为储氢材料的优势,综述了近年来纳米炭材料在储氢方面的进展,详细探讨了超临界状态下氢气在纳米孔隙中的吸附机理,并在此基础上提出了研究中的问题及进一步的研究方向。  相似文献   
58.
以沥青中间相为原料,氢氧化钾直接活化,获得了比表面达2363m ̄2/g的超高比表面炭分子筛(CMS)。分别以CMS、SiO_2、活性炭和θ-Al_2O_3为担体,制备了负载钼催化剂,并研究其加压甲烷化反应性能,发现活性依下面顺序增加:θ-Al_2O_3<SiO_2<活性炭(AC)<CMS。还分别以钼酸铵和磷钼酸(HPMo)为前驱体,制备了CMS负载钼催化剂,并考察了其煤气甲烷化活性,发现不同的催化剂前驱体对催化剂反应活性影响很大。根据产物中CH_4/CO_2的变化,推测CO在钼催化剂上的甲烷化反应包括如下两个步骤:(1)3H_2+CO→CH_4+H_2O,(2)CO+H_2O→CO_2+H_2。  相似文献   
59.
铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究   总被引:3,自引:1,他引:3  
谢兆雄  毛秉伟 《电化学》1996,2(2):164-169
用自制的电化学扫描隧道显微镜(ECSTM)现场研究Cu在HOPG上的电沉积过程.结果表明Cu在HOPG上的电沉积为三维成核的过程.当电位较低或Cu2+离子浓度较低时,铜在本体金属生长主要沿着台阶方向.过电位较高时,铜的成核数目增加,沉积层的晶粒有所细化.同时,非现场ECSTM比较研究表明,STM针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用,针尖所在区域Cu的沉积速度比其它区域明显减小  相似文献   
60.
烟酸对酸性硫酸盐体系铜电沉积的影响   总被引:2,自引:0,他引:2  
对溶液A: 0.8 mol•L-1硫酸铜,0.6 mol•L-1硫酸,5.0×10-5 mol•L-1氯离子,1.0×10-4 mol•L-1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10-2 mol•L-1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极上铜的电沉积行为.结果表明,铜的电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.烟酸的加入对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.沉积层的X射线衍射表明Cu为面心立方结构,在烟酸存在下沉积层出现(220)高择优取向,这可能是烟酸在Cu(220)晶面上发生强烈吸附作用的结果.  相似文献   
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