射频磁控溅射低温制备ITO薄膜

利用射频磁控溅射法低温制备铟锡氧化物薄膜,主要研究了氧氩流量比、溅射功率、溅射压强、沉积温度和靶基距等工艺参数对ITO薄膜结构和光电性能的影响.在优化的沉积条件即氧氩流量比0.1/25、溅射功率210W、溅射压强0.2 Pa、靶基距2.0 cm和衬底为100℃的低温下制备的ITO薄膜电阻率为7.3×10-4Ω·cm、可见光范围内平均透光率为89.4;.在氩气气氛中200℃低温退火60 min后,ITO薄膜的电阻率降为3.8 ×10-4Ω·cm,透光率不变.     

Detailed electronic structure of three-dimensional Fermi surface and its sensitivity to charge density wave transition in ZrTe_3 revealed by high resolution laser-based angle-resolved photoemission spectroscopy

The detailed information of the electronic structure is the key to understanding the nature of charge density wave(CDW) order and its relationship with superconducting order in the microscopic level. In this paper, we present a high resolution laser-based angle-resolved photoemission spectroscopy(ARPES) study on the three-dimensional(3 D) hole-like Fermi surface around the Brillouin zone center in a prototypical quasi-one-dimensional CDW and superconducting system ZrTe_3. Double Fermi surface sheets are clearly resolved for the 3 D hole-like Fermi surface around the zone center. The3 D Fermi surface shows a pronounced shrinking with increasing temperature. In particular, the quasiparticle scattering rate along the 3 D Fermi surface experiences an anomaly near the charge density wave transition temperature of ZrTe_3(～ 63 K). The signature of electron–phonon coupling is observed with a dispersion kink at ～ 20 me V; the strength of the electron–phonon coupling around the 3 D Fermi surface is rather weak. These results indicate that the 3 D Fermi surface is also closely connected to the charge-density-wave transition and suggest a more global impact on the entire electronic structure induced by the CDW phase transition in ZrTe_3.     

线性代数教学中若干“可视化”教学案例

本文从几何角度出发,介绍了低维情况下的线性空间、线性变换、矩阵、行列式这些线性代数基本概念的几何含义,旨在帮助初学线性代数的同学并为后续掌握高维空间的内容打基础．     

135MeV/u 12C和铁相互作用中靶余核的质量分布

用核化学技术测定了135MeV/u ¹²C和铁相互作用中的靶余核的生成截面,通过高斯电荷分布函数得到了靶余核的质量分布.与46MeV/u ¹²C+Cu相比,发现A<30质量区的产额明显增加,且产物有偏向丰中子一侧的趋势.实验测定的质量分布与熔合碎裂模型和级联两体模型的计算结果进行了比较,结果似乎表明在很高入射能情况下多重碎裂衰变是A<30靶余核生成的主要反应机制.     

作大运动弹性薄板中的几何非线性 与耦合变形1)

导出作大范围刚体运动弹性薄板包括了几何非线性和中面变形之间的相互耦合(耦合变形)的动力学控制方程.分析了几何非线性和耦合变形各自对系统动力学性质的影响,得到了在传统方法上只考虑几何非线性,系统将通过同宿轨分岔过渡到混沌运动;若在传统方法上考虑耦合变形,系统稳定且数值解收敛,与实际情形相符.     

带惩罚的相同容量k-均值问题的局部搜索算法

经典$k$-均值问题是一类应用广泛的聚类问题,它是指给定$\mathbb{R}^d$中观测点集合$D$和整数$k$,目的是在空间中寻找$k$个点作为中心集合$S$,使得集合$D$中的每个观测点到$S$中离它最近的中心的距离平方求和最小。这是个NP-难问题。经典$k$-均值问题有很多推广,本文研究的带惩罚的相同容量$k$-均值问题就是其中之一。与经典$k$-均值问题相比,惩罚性质是指每个观测点都给定惩罚费用,当某个观测点到最近中心的距离大于惩罚费用时,其对目标函数的贡献就用该观测点的惩罚费用来代替最近的距离的平方,相同容量约束要求每个中心至多连接$U$个观测点。针对这种问题,我们设计了局部搜索算法,该算法在至多选取$（3+\alpha）k$个中心的情况下,可以达到$\beta$-近似,其中,参数$\alpha>34$,$\beta>\frac{\alpha+34}{\alpha-34}$。     

飞秒脉冲探测半导体

在半导体微电子学中,小尺度的高速电子器件始终是人们关注的焦点.要发展更高速的器件,就必须详细了解皮秒(ps)和飞秒(fs)时标上半导体中电子的动力学性质,这就向实验工作者提出了挑战.利用高速电子仪器的传统方法对飞秒测量已不再有效,因为即使是最好的电子仪器也被其中半导体元件的某些物理效应所限制,而这些物理效应恰好是我们希望观察的.解决这个矛盾的办法是选择其他具有超高级时间分辨率的测量工具──短脉冲激光器.在速度方面,光学几乎超过电子学两个量级,而且用光学技术测量半导体器件及线路的电学性质还有其他一些优点,例如微扰最小…     

转动刚体上固结悬臂梁系统的动力学数值分析

本文首先用Ｊｏｒｄａｉｎ变分原理建立了转动刚体上固结悬臂梁系统的动力学方程，然后用数值方法分析了转动梁的变形频率，对系统的自由振动、受迫运动及共振现象等仿真结果作出了解释。