(12)~C+(115)~In反应中余核I和Sb的反冲研究

在能量高达72MeV的~(12)C轰击~(115)In(Z=49)的反应中,使用核化学技术测量了~8Be和α转移的余核碘(Z=53)和锑(Z=51)同位素的激发函数和角分布.用简单的运动学方法分析了余核角分布后指出,碘同位素来自三种不同的反应机制,即复合核蒸发α,强阻尼的非完全熔合以及不完全动量转移的裂开-熔合过程.在入射能量约70MeV时,后两个过程(或统称为~8Be转移)的截面为100多毫巴,显著大于根据锑同位素截面导出的大约17毫巴的α转移反应截面.实验结果和类似反应中测量出射α粒子得到的结论很好相符.     

多重示踪技术及其应用前景

介绍了一种新型放射分析手段－多重示踪剂，报道了日本ＲＩＫＥＮ有关多重示踪技术研究的最新进展，展望了该技术的一些应用前景，并提出了在ＨＩＲＦＬ上开展多重示踪剂研究的可行性。     

16O+115In反应的全熔合与非完全熔合

在92和71MeV ¹⁶O离子与¹¹⁵In的相互作用中,用核化学技术测量了20个反应余核的角分布和微分射程分布.分析了这些余核的生成特征,指出随着碰撞参数的增加,反应机制从全熔合经过质量和动量转移逐渐减小的非完全熔合向直接反应连续演变.与¹⁶O+⁶⁵Cu反应相比,¹⁶O+¹¹⁵In反应中非完全熔合的贡献显著增加.     

45MeV/A 12C和181Ta相互作用中余核的研究

用厚靶-厚收集箔技术测量了45MeV/A ¹²C和¹⁸¹Ta相互作用中余核的生成截面和反冲性质,并将实验得到的质量产额分布与统计碎裂模型进行了比较.根据前向平均反冲射程计算了线性动量转移,在与我们以前工作相比较后指出,在45MeV/A ¹²C离子引起的反应中,中心碰撞的线性动量转移随靶质量而增加,并与引导粒子模型计算结果很好相符.     

碳纳米颗粒的放射性99mTc标记

探索了影响氯化亚锡还原法制备碳纳米管和不同粒径纳米碳黑的99mTc标记化合物的多种因素, 在给定实验条件下, 99mTc的标记率能够稳定达到90％以上。 细胞培养液中标记物的放射化学纯度在2.5 h中保持在(86±4)%范围内。 制备的标记化合物满足碳纳米颗粒细胞摄取率测定和细胞毒性机制研究的实验要求。 实验结果提示, 99mTc标记过程是基于还原得到的低价Tc在碳纳米颗粒表面上的物理吸附机理。 The effects of experimental conditions on preparation of 99mTc labeled carbon nanotubes and nanocarbon blacks by SnCl2 were investigated. At given conditions the labeling yields were over 90%. In a culture medium, the radiochemical purity of the labeling compounds kept (86±4)% within 2.5 h. The 99mTc labeled multi walled carbon nanotubes (MWNTs) and nanocarbon blackes (NCBs) obtained in this work met satisfactory experimental demands for study of cellular uptake and toxicity. The experiments showed that the labeling process was based on physical adsorption of low valent technetium resulted from reduction reaction on the surface of the carbon nanomaterials.     

C60-地塞米松的激光激发

利用激光光解装置检测了C60-地塞米松(C60-DE)的苯溶液在355 nm激光照射下产生的激发三重态, 3C60-DE*出现四个吸收峰, 分别位于700、440、350 和310 nm. 在330 nm处观察到了它的漂白吸收最大值, 这与其基态吸收最大值相对应. 3C60-DE*能够将能量转移给O2分子而淬灭. 与3C60*相比, 3C60-DE*的三重态鄄三重态(T-T)淬灭速率常数减小(3C60*为(5.03±1.31)×109 L·mol-1·s-1, 3C60-DE*为(3.53±0.87)×109 L·mol-1·s-1), 而寿命增加了(3C60*为(12.0±2.6) μs, 3C60-DE*为(18.0±3.3) μs), 这可能是C60分子上连接了地塞米松分子后减小了C60球之间碰撞的几率所致.     

72Ge40的低激发态能级研究

用低本底反康谱仪(HpGe–NaI)和HpGe–HpGe的三参数符合γ–γ–T系统,对72Ga的衰变γ单谱、符合谱进行了研究,实验共获得2.3×10⁷个符合事件.根据实验结果建立了含有26个能级、87条γ射线的72Ga的衰变能级纲图,其中包含首次测到7条γ射线225.92、826.97、1349.71、1475.32、1667.91、2105.28、2247.39keV和4个能级3248.01、3396.27、3806.10、3864.56keVS并为2939.83keV能级和112.59、937.97、2402.25、2939.95keV4条γ射线的存在提供了证据;实验没有发现113.5、1155.7、1192.4keVγ射线和能级3307.1keV存在的证据。并把317.72keVγ射线的跃迁,由原来的能级3757.26keV跃迁到3439.51keV能级,改为3565.85keV到3248.01keV能级跃迁.     

核黄素光敏损伤溶菌酶的SDS-聚丙烯酰胺凝胶电泳研究

在315~375 nm波长光照射下核黄素能够造成溶菌酶的光敏损伤, 通过十二烷基磺酸钠-聚丙烯酰胺凝胶电泳(SDS-PAGE)对稳态产物的研究分析发现, 溶菌酶的光敏损伤途径和损伤产物与核黄素浓度、光照时间、体系的气氛等密切相关. 在氮气气氛下为Ⅰ型光敏损伤机制; 在有氧条件下溶菌酶的损伤是Ⅰ型和Ⅱ型反应协同作用的结果, 并以Ⅱ型反应为主. 初步考察了褪黑激素等抗氧化剂对溶菌酶的保护作用.     

常见五元糖的太赫兹时域光谱

利用基于飞秒超快激光的太赫兹时域光谱(terahertz time domain spectroscopy, THz-TDS)对D-木糖、D-核糖、D-阿拉伯糖、D-来苏糖及相关的五元糖进行了研究, 得到了它们在0.1~2.0 THz波段的THz-TDS吸收谱图. 不同糖类化合物的吸收谱表现出明显的特征, 表明THz-TDS技术可以分辨化合物结构上的微小差异, 可以应用于物质检测与分析. 同时还研究比较了不同旋光性五元糖的THz-TDS光谱.     

工业以太网芯片单粒子实验测试系统研制

分析了单粒子效应对以太网芯片KSZ8851-16MLLJ的内部结构的影响,为全面了解以太网芯片在单粒子实验中的状态,研制出工业以太网单粒子实验测试系统。通过测试系统的实验得出相关参数,为以太网芯片在航天器上的应用提供技术参考。根据单粒子实验的现场情况,研制基于以太网的远程数据采集、控制系统,将测试数据实时地传输到远程观测终端。测试结果表明：单粒子实验测试系统可以对以太网芯片进行全面地监测,并有效地保护该芯片的安全性。