冠醚共缩聚物的合成与性能（Ⅱ）

采用２，６－二羟甲基苯酚类化合物分别与单苯并冠醚（Ｂ１５ＣＳ、Ｂ１８Ｃ６）和Ｍ苯并冠醚（２Ｂ１８Ｃ６、２Ｂ２４Ｃ８、２Ｂ３０Ｃ１０）在酸催化下缩聚，合成了两个系列冠醚共缩聚物．这些聚合物Ｍ＝１２００—４５００，可溶于氯仿等溶剂，萃取性能和络合选择性均有所提高．作为树脂使用，动态吸附容量为０．０５—０．１５ｍｍｏｌ／ｇ，并有较好的色谱特性．     

氟里昂113在多频强红外场离解过程中的V-V能量转移

用TEACO₂激光9P(24),9P(22),9P(20),9P(18)四支线组成的多频强红外场“超激发”氟里昂₁₁₃分子,使其达到很高激发态。由分解曲线可以看出CF₂Cl·CFCl₂与CF₃·CCl₃之间的V-V能量转移有明显的“虹吸”作用。从所得主要产物C₂P₆,C₂Cl₆,C_关键词：     

用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),(111)表面上的吸附

氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面Ⅲ族和Ⅴ族原子均可同氢成键。 关键词：     

Co处理的γ-Fe2O3薄膜的界面研究

本文中对CoO与Fe₂O₃的界面进行了研究,结果表明,简单的CoO-γ-Fe₂O₃界面对于磁性能基本无影响。分析表明,“复杂的扩散界面”不大可能象以往认为的那样是矫顽力增长的主要原因。矫顽力的增长可能是由掺Co造成的一种体效应而不是界面效应。 关键词：     

含红外发散的低温玻璃超声吸收理论

本文采用红外发散理论和二能级体系模型,讨论玻璃超声吸收在2K温度以下的行为,与现有的隧道二能级模型不同,我们把Bloch方程看作“磁化强度”所满足的宏观方程,方程中所有的物理量都是系综平均值。并且把缺陷态看作处在局域涨落场中的赝自旋,提出了在低温下赝自旋角扩散与温度的关系。我们不但得到与实验符合较好的理论吸收曲线,并且解释了弱照射共振吸收正比于T^-0.7和饱和吸收正比于ω²的实验规律。 关键词：     

氧氟沙星片剂和滴眼液中氧氟沙星对映体的毛细管电泳拆分及定量分析

采用环糊精及其衍生物为手性选择剂在CE上对氧氟沙星对映体进行了分离，研究了环糊精种类、浓度、分离电压、温度对分离的影响．重点考察了氧氟沙星的定量线性范围、检测限和重现性，在20-200mg／L浓度范围内，迁移时间重现性的相对标准偏差(RSD)控制在1．13％以内，峰面积重现性的RSD控制在4．3％以内，检测限为1mg／L．结果表明用20mmo1／L二甲基-β-环糊精(DM-β-CD)为手性选择剂，背景电解质为50mmo1／L Na2HPO4，pH＝3．0，不加有机添加剂情况下可得到较好的分离效果．同时，对氧氟沙星药品实样进行了分析，建主了一种市售氧氟沙星片剂和滴眼液中氧氟沙星对映体简单、快速的毛细管电泳分离、定量分析方法．     

凝胶渗透色谱和气相色谱-质谱法测定动物食品中27种有机氯和15种拟除虫菊酯类农药残留量

有机氯农药虽已被世界各国禁止使用,但由于其化学性质稳定和难以降解,在环境中仍然存在有机氯农药残留,并通过食物链的富集作用,造成对食物的污染.     

10,12—双炔廿三酸盐的LB膜特性研究

本文合成了10,12-双炔廿三酸,并用其在Si、SiO_2、CaF_2等基片上沉积了LB膜,结果表明,10,12-双炔廿三酸的镉盐成膜更稳定。这种LB膜在紫外光辐照下很快聚合,聚合前后的紫外-可见吸收光谱发生规律性的变化,并保持层状结构,等同周期稍变。通过红外吸收的二向色性分析,确定了该分子的取向。     

镉(Ⅱ)与对苯二甲酸和2,2''''-联吡啶配合物光谱性质的理论研究

对镉(Ⅱ)与对苯二甲酸和2,2'-联吡啶配合物进行几何优化,在优化构型的基础上分析了其吸收光谱.结果表明主要贡献的激发态为16,17和26激发态而不是第一激发态,振子强度f为0.205 2,0.320 2和0.323 4,对应的吸收波长为308.57,307.33和258.35 nm,与实验值310和253 nm相近.     

非平衡超导体在Tc附近的电阻态

离T_c不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近T_c越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。 关键词：