Nb_3Sn带横场磁化曲线测量

我们测量了不同镀Cu厚度的气相沉积Nb,Sn带的垂直场磁化曲线,由这些曲线,我们发现当镀Cu厚度从30μm增加到60μm时,初始磁通跳跃场从10kG增加到14 kG.作为比较,我们也测量了几条扩散Nb,Sn带的垂直场磁化曲线.     

非平衡超导体在Tc附近的电阻态

离T_c不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近T_c越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。 关键词：     

YBa2Cu3O7超薄膜生长机制的原子力显微镜研究

在有40nm厚的PrBa₂Cu₃O₇过渡层的(100)SrTiO₃基片上生长了YBa₂Cu₃O₇超薄膜,典型的厚度为2,6,10个原胞层.X射线衍射表明薄膜取向都是C轴垂直于膜面.原子力显微镜观察发现YBa₂Cu₃O₇超薄膜具有层状和螺旋两种生长模式,并且在6个原胞层的生长阶段观察到螺旋位错,而类似的生长特征并没有出现在PrBa₂Cu₃O₇过渡层中.实验结果表明,在 10个原胞层范围内,薄膜的超导转变温度和临界电流密度对厚度有很强的依赖关系.     

研磨对Y-123和Bi(Pb)-2223超导相的影响

通过X射线衍射、差热分析、电子显微镜、超导电性测量等手段研究了研磨对Y-123和Bi(Ph)-2223超导相和成相过程的影响。结果表明:研磨对Y-123和Bi(Ph)-2223超导相的影响显著不同,研磨导制了Bi(Ph)-2223超导相的破坏。同时指出Bi(Ph)-2223超导相同一结构特征的两种属性:好的可塑性和结构易破坏性。前者是优点,后者是缺点。在加工、测量、使用过程中,要尽力避免后一缺点带来的超导电性的破坏或由于局部结构破坏而导致的整体性能的降低。     

Bi_2Sr_2CaCu_2O_8单晶Bi－O面的低温STM研究

本文描述了我们新研制的低温扫描隧道显微镜（ＬＴ－ＳＴＭ）的结构和性能，以及利用此ＬＴ－ＳＴＭ在７７Ｋ下对处于超导态的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣＵ２Ｏ８单晶Ｂｉ－Ｏ面所作的原子分辨的观察的结果．这些新结果表明Ｂｉ原子在ａｈ面上的投影形成四方格子，只有很小的水平面内的位置调制．本工作的一个最有趣之点是，与文献报道的一维无公度调制结构不同，我们观察到一种完全来源于Ｂｉ原子位置在ｃ方向上的起伏而形成的表面的二维调制结构．     

非平衡超导体在T_c附近的电阻态

离T_c不太远时,隧道注入准粒子,使Sn膜进入非平衡状态,注入到一定强度时,非平衡超导膜上出现电压,这种电压类似于N-S界面电阻,越靠近T_c越大,但相应的电阻值比N-S界面电阻大几个数量级,并且注入增强到一定程度时,电阻值会突然减小,甚至消失。     

Ho替代Y的YBCO外延薄膜制备及超导电性

利用直流磁控溅射技术制备了Ｈｏ替代的ＹＢＣＯ超导薄膜，Ｘ射线技术（θ－２θ扫描：θ－θ扫描及—扫描）、ＳＥＭ和电子通道花样（ＥＣＰ）测试表明，所制备的掺杂薄膜具有高平面内外延性和平面外外延性。发现掺杂薄膜的临界电流密度Ｊｃ比ＹＢＣＯ薄膜的有不同程度的提高，掺杂量ｘ＝０４时有最大值。     

非平衡超导体N-S分区的实验证明

用隧道注入准粒子,使超导铅膜进入非平衡状态,在同样水平的注入条件下,可能出现两种与历史有关的非平衡零电阻状态,本文用的Pb-Pb-Pb双重隧道结构,探测这两种非平衡态的性质,发现一种是均匀的非平衡态,另一种是N-S分区的非均匀非平衡状态。 关键词：