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为深入研究高功率微波(HPM)作用下介质窗沿面击穿破坏的物理机制,探索提高闪络场强阈值的方法和途径,开展了介质窗表面矩形刻槽抑制电子倍增的理论与试验研究。首先根据动力学方程建立了介质窗表面电子倍增模型并分析了介质窗槽内电子运动轨迹,考虑了矩形槽结构对表面微波电场的影响,理论分析表明在闪络击穿的起始和发展阶段矩形槽可有效抑制电子倍增。在S波段(2.86 GHz,脉宽1μs)下开展了介质窗表面矩形刻槽的击穿破坏试验,试验结果发现表面矩形刻槽可大幅度提高微波传输功率,在槽深(1.0mm)一定时不同的刻槽宽度(0.5 mm和1.0 mm)对应的微波功率抑制范围不同。采用PIC-MC仿真模拟槽内倍增电子的时空演化,仿真结果很好地验证了试验现象。 相似文献
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不同晶型那格列奈的稳定性研究 总被引:7,自引:0,他引:7
对那格列奈的不同晶型特别是对新发现的S晶型的稳定性进行了测定和研究, 并将其与专利报道的H晶型进行对比。用X射线多晶粉末衍射法对S晶型的稳定性试 验,包括在不同温度下的热处理以及在光照、高湿度、机械球磨后的晶态变化进行 了测定和研究。结果发现S晶型那格列奈热稳定性最好,在室温到170℃的温度区间 能保持原有的晶型不变,H晶型可稳定到138℃,而B晶型最差,其晶型随着温度的 变化而变化。像H晶型一样,S晶型也具有良好的耐光照性、耐高湿性和耐机械球磨 性。 相似文献
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令Kv表示v个顶点的完全图,G是一个不含孤立点的简单连通图.一个v阶的G-设计是将Kv划分成互不相交的子图,使得每个子图都和G同构,记为G-GD(v).研究六点九边图G11的图设计存在性问题.利用标准的递推构造并结合必要的直接构造,证明除去G11-GD(9)不存在以及G11-GD(18)的存在性未知外,G11-GD(v... 相似文献
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