环GR(4,2)上一类负循环码的Gray象

研究了GR(4,2)上长为2~s的负循环码的Gray象,证明了GR(4,2)上长为2~s的负循环码的Gray象是F_4上长为2~(s+2)指数为2的准循环码.通过计算GR(2~a,m)上长为2~s的负循环码的齐次距离,确定了GR(4,2)上长为2~s的负循环码的Gray象的汉明距离.     

纳米TiO2膜修饰电极上对硝基苯甲酸异相电催化还原

有机电合成具有对环境友好、反应条件温和副产物少等优点并符合“原子经济性”要求，是一种可持续发展的绿色化学方法，已成为化学研究的重要前沿之一．使用媒质作为氧化剂和还原剂的间接电合成，大多为均相氧化还原电催化过程，把氧化还原催化剂固定在电极表面的异相电催化与均相催化相比具有更为显著的优点．本文采用循环伏安和电解合成法研究了纳米TiO2膜电极在硫酸介质和氢氧化钠介质中的氧化还原行为以及异相电催化还原对硝基苯甲酸的活性，探讨了纳米TiO2膜异相电催化的本质．     

7-取代苯氧基-4,5-二氢-1,2,4-三唑并[4,3-a]喹啉和喹啉-1(2H)-酮衍生物的合成及抗惊厥活性

合成了7-取代苯氧基-4,5-二氢-1,2,4-三唑并[4,3-a]喹啉(3a～3g)和7-取代苯氧基-4,5-二氢-1,2,4-三唑并[4,3-a]喹表明啉-1(2H)-酮(4a～4g)类衍生物. 以最大电惊厥法和戊四唑法测定了抗惊厥活性, 以旋转棒法测定了神经毒性. 结果表明, 化合物7-(4-氟苯氧基)-4,5-二氢-1,2,4-三唑并[4,3-a]喹啉-1(2H)-酮(4c)显示最强的抗惊厥作用和低的神经毒性, 其抗电惊厥ED₅₀为6.8 mg/kg, 神经毒性TD₅₀为88.0 mg/kg, 保护指数PI为12.9, 明显优于对照药苯妥英钠.     

探求一类三角函数的最值问题

由幂函数的凹凸性可以得到下面两个不等式(权方和不等式的推广):若0＜n＜1,ai>0,Pi＞0(i=1,2,…,m)且m∑i=1Pi=1,则     

也谈用向量法证明三角形的中线交于一点等问题

在《数学通报》(2004年第9期)的文[1]中给出了两种用向量法证明三角形的三条中线交于一点的例子现将其证明过程摘录如下:例2证明三角形的中线交于一点.证明如图(2)在△ABC中,图2设AB边上的中线为CD,取其上一点P1分CD为CP1:P1D=2:1,设BA=e1,BC=e2,那么BP1=BC CP1=e2 2312e1-e2=13(e1 e2).同理,可设BC边上的中线为AE,取其上一点P2分AE为AP2:P2E=2:1,也有BP2=13(e1 e2);设AC边上的中线为BF,取其上一点P3分BF为BP3:P3F=2:1,同样有BP3=13(e1 e2),因此,P1,P2,P3三点重合,故三中线交于同一点.例3用向量的线性关系证明三角形…     

用于检测暂态pH值变化的电量型铂电极

本文报道用铂制作的电量型pH传感器，其原理是铂电极表面上氧化物在形成单分子氧化物覆盖前的覆盖度与溶液pH值之间存在一定的关系，pH值的改变会导致铂表面氧化物覆盖度的改变，并以一定的电量变化为表现形式。在碱性溶液中，该传感器对pH值变化的响应呈线性变化规律，且响应时间小于100ms，精度小于0.2个pH值。该pH传感器可检测反应过程中pH值的暂态变化，适用于研究电极反应或有中间体生成的反应的机理。该传感器的有效性在用扫描电化学显微镜（SECM）探针-基底伏安模式研究氢氧化镍的充放电的过程中得到验证。     

Problems on design of computer-generated holograms for testing aspheric surfaces:principle and calculation

Interferometric optical testing using computer-generated hologram (CGH) has provided an approach to highly accurate measurement of aspheric surfaces.While designing the CGH null correctors,we should make them with as small aperture and low spatial frequency as possible,and with no zero slope of phase except at center,for the sake of insuring low risk of substrate figure error and feasibility of fabrication.On the basis of classic optics,a set of equations for calculating the phase function of CGH are obtained.These equations lead us to find the dependence of the aperture and spatial frequency on the axial distance from the tested aspheric surface for the CGH.We also simulate the optical path difference error of the CGH relative to the accuracy of controlling laser spot during fabrication.Meanwhile,we discuss the constraints used to avoid zero slope of phase except at center and give a design result of the CGH for the tested aspheric surface.The results ensure the feasibility of designing a useful CGH to test aspheric surface fundamentally.     

薄膜物理与制备

薄膜物理与制备技术研究对于惯性约束聚变(ICF)实验具有重要意义，2003年开展的研究工作主要包括几个方面的内容：低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)法微球CH涂层及掺杂(溴等)技术研究；脉冲激光沉积(PLD)法Fe／Al合金薄膜研制；磁控溅射法Au／Gd，Ti／A1，Ti／Cr支撑薄膜研制；碳氢氮(CxNyH1-x-y)薄膜制备技术研究。相应主要结果如下：(1)利用低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)装置深入考察了以反式-2-丁烯如下：     

电沉积法制备的泡沫镍的晶体结构与磁性能

 采用X射线衍射仪、振动样品磁强计分别测试了电沉积法制备的泡沫镍的晶体结构和磁性能，研究了电流密度、温度、占空比、脉冲频率对镍沉积层的晶体结构和磁性能的影响；并用扫描电子显微镜、透射电子显微镜观察了泡沫镍的组织结构与微观形貌。制备出的3维网络状泡沫镍密度为0.25 g/cm³，孔隙率为97.5%、孔径分布为400～500 μm。沉积层大颗粒粒径为1 μm，沉积层晶粒尺寸在10nm以下;泡沫镍为超顺磁材料，具有低的矫顽力和高的磁导率，其磁导率和饱和磁化强度随沉积层晶粒尺寸的增加而增大。     

Effects of Substrate Temperature and Nitrogen Pressure on Growth of AIN Films by Pulsed Laser Deposition

Highly oriented aluminium nitride （AIN） films are grown on p-Si （100） substrates by pulsed laser deposition, and their characteristics of structure and composition are studied by x-ray diffraction, Fourier transform infrared spectroscopy and scanning electron microscopy. The results show that the deposited films exhibit good crystalline properties with a sharp x-ray diffraction peak at 2θ= 33.15 ° corresponding to AIN h （100） crystalline orientation. The influences of substrate temperature and ambient nitrogen （N2） pressure on the crystallinity of A1N films are remarkable. At room temperature, when the ambient N2 pressure arises from 5 × 10^-6 Pa to 5 Pa, the crystallinity of the film becomes better. When the substrate temperature is 600℃, the film has the best crystallinity at 0.05 Pa. Furthermore, the effects of substrate temperature and ambient N2 pressure on the combination of A1-N bonds and surface morphology of AIN films are also studied.