影响高功率光导开关临界频率热因素的数值分析

基于时域有限差分法(FDTD)对非线性模式面结构砷化镓光导开关的热传导过程进行了数值模拟。研究了光导开关临界频率与电流丝位置、半径、数量、芯片尺寸、环境温度等参数的关系。研究表明:临界频率随电流丝半径、数量的增加,呈指数上升趋势;临界频率随着电流丝深度、芯片厚度的增加,呈指数下降趋势;临界频率在一定范围内随环境温度的增加呈线性下降趋势。     

模块化多路同步快脉冲触发源设计

基于超快速高压大功率半导体开关、脉冲形成电路以及同心等间距传输的关键技术,提出一种模块化多路同步快脉冲触发源技术方案。设计出在负载阻抗为50Ω时,可同步输出两种快脉冲触发信号:一种幅度大于20V(4路)、脉冲前沿小于820ps、脉冲宽度大于100ns;另一种则是幅度大于100V(4路)、前沿小于1.4ns、脉宽大于100ns;在外触发作用下,触发源系统抖动和脉冲输出同步分散性分别达到2ns和36.6ps。电路结构上充分利用等间距电信号传输的原理,实现了快脉冲触发源模块化的设计。通过实验结果验证了所采用的设计原理及方法的可行性,给出了在外触发脉冲单次和重频(5kHz)作用下该同步快脉冲触发源输出的实验结果。     

红外波长上转换器件中载流子阻挡结构的研究

复杂半导体材料结构中的载流子分布特性对器件性能有重要影响. 本文针对一种新型的波长上转换红外探测器, 研究了载流子阻挡结构对载流子分布和器件特性的影响. 论文通过自洽求解薛定谔方程、泊松方程、电流连续性方程和载流子速率方程分析了不同器件结构中的空穴分布. 同时, 生长了相应结构的外延材料, 并通过电致荧光谱分析了载流子阻挡结构对器件特性的影响. 结果表明, 2 nm厚的AlAs势垒层既能有效阻挡空穴又不影响电子输运, 有利于制作波长上转换红外探测器. 此外, 论文分析了阻挡势垒层的厚度和高度以及工作温度对载流子分布的影响. 本文研究结果亦可应用于其他载流子非均匀分布的半导体器件.     

Accelerated oxygen precipitation in fast neutron irradiated Czochralski silicon

Annealing effect of the oxygen precipitation and the induced defects have been investigated on the fast neutron irradiated Czochralski silicon （CZ-Si） by infrared absorption spectrum and the optical microscopy. It is found that the fast neutron irradiation greatly accelerates the oxygen precipitation that leads to a sharp decrease of the interstitial oxygen with the annealing time. At room temperature （RT）, the 1107cm^-1 infrared absorption band of interstitial oxygen becomes weak and broadens to low energy side. At low temperature, the infrared absorption peaks appear at 1078cm^-1, 1096cm^-1, and 1182cm^-1, related to different shapes of the oxygen precipitates. The bulk microdefects, including stacking faults, dislocations and dislocation loops, were observed by the optical microscopy. New or large stacking faults grow up when the silicon self-interstitial atoms are created and aggregate with oxygen precipitation.     

Effects of rapid thermal annealing on the morphology and optical property of ultrathin InSb film deposited on SiO2/Si substrate

Ultrathin InSb films on SiO2/Si substrates are prepared by radio frequency(RF) magnetron sputtering and rapid thermal annealing(RTA) at 300,400,and 500℃,respectively.X-ray diffraction(XRD) indicates that InSb film treated by RTA at 500℃,which is higher than its melting temperature(about 485℃),shows a monocrystalline-like feature.A high-resolution transmission electron microscopy(HRTEM) micrograph shows that melt recrystallization of InSb film on SiO2/Si(111) substrate is along the(111) planes.The transmittances of InSb films decrease and the optical band gaps redshift from 0.24 eV to 0.19 eV with annealing temperature increasing from 300℃ to 500℃,which is indicated by Fourier transform infrared spectroscopy(FTIR) measurement.The observed changes demonstrate that RTA is a viable technique for improving characteristics of InSb films,especially the melt-recrystallized film treated by RTA at 500℃.     

基于光导开关及层叠Blumlein线的纳秒脉冲源

设计了一台层叠Blumlein线型脉冲功率源。该脉冲源以平板型Blumlein线为储能器件,使用4个GaAs光导开关作为脉冲形成开关,通过4级Blumlein线层叠结构以获得更高输出电压。分别使用10 mm及3 mm间隙光导开关进行实验,比较了PSpice电路仿真与实验结果。实验测试显示,10 mm开关充电23.5 kV时上升沿较大,可能的原因是偏置电场较低时开关导通时间较长。测试了不同工作电压下功率源的输出电压,结果显示:在10 mm间隙开关条件下,充电23.5 kV时,负载上得到了53 kV的高压脉冲输出;3 mm开关充电13.9 kV时输出电压39.4 kV,输出效率70%。实验结果表明, 随着工作场强的提高,电压输出效率呈现先下降后上升最终趋于饱和的趋势。     

光导开关级联Blumlein型脉冲网络设计

为了驱动重复频率运行高阻抗X光管,设计了基于光导开关的级联Blumlein型脉冲形成网络。采用数值模拟方法优化网络参数,从网络充电电压一致性、输出脉冲波形畸变、电压叠加效率、负载预脉冲幅值出发确定了充电电感和支撑电感设计原则。实验表明:光导开关工作场强23.2 kV/cm,激光触发能量3.5 mJ时,阻抗约15.6 的Blumlein型脉冲形成网络电压转换效率为0.71,2级级联网络电压叠加效率0.96。     

电热炮膛压测量技术

 主要介绍了一种高瞬态、宽谱的膛压准静态信号的测量方法及其在强电磁干扰环境下采取的抗干扰措施。引入了声腔滤波技术和光电隔离技术，并使用石英压力传感器和PVDF压力传感器进行了实验验证。为电热炮、液体炮等先进驱动系统的高瞬态、宽谱的膛压测量提出了一种有效的方法。     

高压径向均压绝缘堆设计

以形成线储能结合脉冲压缩方式产生数MV高压输出,是脉冲功率系统中常见的技术途径,其中绝缘堆是该类装置工程成败的关键。分析了几种径向均压绝缘堆的均压机制,基于静电场分析程序对径向均压绝缘堆结构进行了优化设计,给出了径向电阻的设计方法。研究表明:采用均压环且均压环与径向电阻电气接触的绝缘堆结构可以获得较均匀的径向电场分布,而径向电阻是绝缘堆设计的关键。在有效作用时间100ns的4.5MV加载电压下,优化设计的绝缘堆阴极三相点电场控制在25kV/cm,Martin电场约120kV/cm,低于理论击穿值。     

邻近电感互耦的准方波脉冲形成网络设计

针对小型化紧凑型脉冲源的应用需求,开展了电感存在互耦的准方波脉冲形成网络设计技术研究。首先介绍了基于坐标轮换-直接搜索法的准方波脉冲形成网络优化技术研究,获得了网络元件的电感、电容值以及准方波的解析表达式;然后推导了邻近电感互耦网络的等效去耦电路解算方法,基于回溯法,最终给出了全网络各元件值的求解算法;最后分别针对等电容情形及规定电容的情形,求解给出了网络元件参数值。算例结果表明:电感存在互耦的准方波脉冲形成网络可获得较理想的准方波脉冲输出。基于互耦电感的巧妙设计,有利于实现紧凑型准方波脉冲形成网络的设计。