脉冲功率装置的脉冲形成单元研究

 介绍了所研制的脉冲功率装置的组成、脉冲形成单元的设计以及脉冲形成单元实验研究结果。研究了包含脉冲形成线的绝缘设计校验、装置的脉冲形成单元的抖动及其与主同步开关击穿延迟时间的抖动和脉冲输出开关的抖动的关系。实验结果表明：在3.6 MV脉冲电压作用下，脉冲形成线的前后尼龙隔板未出现表面闪络等绝缘问题，脉冲形成线的绝缘满足设计要求。主同步开关的抖动1.6 ns，脉冲输出开关的抖动小于3.1 ns，脉冲形成单元的整体抖动小于3.0 ns，满足装置同步性能要求。     

同轴-三平板型水介质自击穿开关设计

 在1 MV水介质自击穿开关降压实验的基础上，设计了用于脉冲功率装置的水介质输出开关，设计的最高运行电压为4 MV，放电电流600 kA。4 MW水介质自击穿开关为同轴-三平板结构，由输入输出电极、预脉冲屏蔽板和连接部件组成。在结构设计中拟使用电流线圈测量每个通道的放电电流，用开关前后传输线上靠近开关端的D-dot测量开关的输入输出电压。对开关间隙进行了2维和3维静电场分析，结果发现二者差别较大，3维静电场分析应该更接近实际电场分布。     

一种紧凑型快前沿Marx发生器的设计

介绍用电感器作为充电和接地器件的10级、300kV、纳秒上升时间气体绝缘Marx发生器的结构设计及电场分析。设计的中心引出触发极环形场畸变开关可以实现发生器建立。为了减少建立时间,设计了与主电极一体的对地增容电极。采用电容器并联同轴结构降低树立电感。为进一步加快前沿,设计了水介质锐化电容。模拟结果表明,发生器可以输出上升前沿为5ns,电压为300kV的脉冲。     

基于功率谱的爆破地震能量分析方法

针对爆破振动频度-能量分布的定量分析问题,提出了一种基于功率谱的能量分析方法。功率谱密度表征了一定频率谐波分量能量的相对大小,以此为出发点,推导出可以表征爆破振动频度-能量分布的计算方法,结合工程实例的分析结果表明,利用该方法可以实现爆破振动频率构成的定量分析。同时将该方法与目前通用的小波变换能量分析方法作了比较,两者的原理是一致的,但基于功率谱的能量分析方法直接利用频谱分析完成从时域到频域的转化,因此分析过程简便,物理意义明确,更容易理解和掌握。     

Advances in neuromorphic computing:Expanding horizons for AI development through novel artificial neurons and in-sensor computing

AI development has brought great success to upgrading the information age. At the same time, the large-scale artificial neural network for building AI systems is thirsty for computing power, which is barely satisfied by the conventional computing hardware. In the post-Moore era, the increase in computing power brought about by the size reduction of CMOS in very large-scale integrated circuits(VLSIC) is challenging to meet the growing demand for AI computing power. To address the issue, technical...     

重复频率爆炸发射阴极现状及展望

重复频率爆炸发射阴极(EEC)是产生高功率重复频率强流电子束的关键。阐述了爆炸发射的尖端场增强和闪络引发机制,分析了影响EEC重复频率运行的因素,综述了EEC研究现状并总结了几种EEC特性,指出实现重复频率发射阴极的方法在于探索新型材料和改进结构。提出采用六硼化镧(LaB6)作为EEC材料和适用于单焦斑多幅闪光照相工业冷阴极二极管(IXD)的新型阴极结构轮辐状金属-铁电陶瓷复合阴极,并对其前景进行展望。     

流体动力学实验用闪光X光机研究进展

闪光X光机是流体动力学等研究领域必不可少的实验诊断装置,物理需求推动其向更高剂量和更小焦斑发展。叙述了几种X光二极管研究现状和关键问题,阐述了适用于不同功率水平的闪光X光机驱动源,分析了阳极杆箍缩和磁浸没二极管的应用前景,讨论了阳极杆箍缩二极管、驱动源发展方向以及实现多幅照相涉及的关键技术。     

用于聚四氟乙烯表面处理的重复频率高压脉冲电源

采用自行研制的μs级重复频率高压单极性脉冲电源,应用于聚四氟乙烯(PTFE)膜表面改性,研究脉冲放电等离子体对PTFE薄膜表面改性的作用规律。测量处理前后PTFE薄膜表面的水接触角,结果显示,在特定的脉冲参数及更严格的对比条件下其平均水接触角从112°下降到85°,PTFE薄膜表面亲水性改善效果非常显著。脉冲电源采用脉宽调制控制方式,通过逆变升压及波形整形,得到脉冲电压幅值0~20kV、重复频率0~20kHz、脉宽5~15μs、上升沿500ns~2μs、下降沿大于20μs的单极性脉冲。     

正负双极性直流高压充电电源设计北大核心CSCD

高压脉冲电容器是脉冲功率系统中应用较广的储能器件。根据大容量能库型脉冲装置对充电电源的技术要求,研制了一种输出电压±0.5~±10 kV可调、最大平均功率约3 kW、双极性一体化直流高压充电电源。设计上采用控制电路与正负双极性直流高压输出主电路一体化方式,通过隔离、屏蔽和保护措施,解决了目前双极性直流高压充电电源存在的正负极性电压不平衡、采样控制信号与高压地未隔离问题,减小了电源体积,提高了电源的鲁棒性、可靠性和电磁干扰能力。100多台充电电源在18.3 MJ脉冲装置中同时运行,在复杂电磁干扰环境下可靠稳定工作。     

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后，空位-双氧复合体(VO2)是其主要的缺陷．在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后，IR光谱中有919．6cm^-1和1006cm^-1两个吸收峰伴随VO2(889cm^-1)出现，这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的，此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的．在300℃延长退火时间或升高退火温度，都会使(O-V-O)转变为稳态VO2．辐照剂量在10^19数量级，经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型，而VO2被抑制．