逻辑系统(W)、W、Wn中的广义矛盾式及一种降级算法

研究了多值逻辑系统(W)、W、Wn中的广义矛盾式,并对这些多值逻辑系统中的广义矛盾式进行了分划,强调了这种分划的不重不漏.在(W)、W、Wn中给出了一种降级算法,但(W)、W中的矛盾式并不能由对非矛盾式进行降级得到.而在Wn中,矛盾式可由非矛盾式经过有限次降级得到.     

P-adic数域Qp上的级数理论

主要研究了P-adic数域上无穷级数的收敛问题,给出了P-adic数域上数项级数,函数项级数收敛的充要条件,并作了完整的证明.得到了P-adic数域上级数收敛比实数域上级数收敛更容易判断的结论.     

经典逻辑系统中公式的真度及公式间伪距离的一种等价定义

给出了经典命题逻辑中公式的向量表示形式,利用向量表示形式给出公式的真度和公式间伪距离的定义,说明了这种定义与原有的概率形式的定义等价,得到了公式间的伪距离的一些简单性质以及在伪距离空间(F(s),ρ)中,逻辑连接词都是连续的.     

公式与理论的最近距离和最远距离及在近似推理中的应用

本文引入了公式与有限理论之间的最近距离和最远距离,讨论了公式与有限理论之间的最近距离和最远距离的一些简单性质;得到了当有限理论Γ中有根A,且公式B满足一定条件时,公式B与理论Γ之间的最近距离就是ρ(A,B)。基于最近距离和最远距离,给出了逻辑系统L中的可能Γ-结论的定义,并讨论了逻辑系统L中相应的近似推理。     

Accelerated oxygen precipitation in fast neutron irradiated Czochralski silicon

Annealing effect of the oxygen precipitation and the induced defects have been investigated on the fast neutron irradiated Czochralski silicon （CZ-Si） by infrared absorption spectrum and the optical microscopy. It is found that the fast neutron irradiation greatly accelerates the oxygen precipitation that leads to a sharp decrease of the interstitial oxygen with the annealing time. At room temperature （RT）, the 1107cm^-1 infrared absorption band of interstitial oxygen becomes weak and broadens to low energy side. At low temperature, the infrared absorption peaks appear at 1078cm^-1, 1096cm^-1, and 1182cm^-1, related to different shapes of the oxygen precipitates. The bulk microdefects, including stacking faults, dislocations and dislocation loops, were observed by the optical microscopy. New or large stacking faults grow up when the silicon self-interstitial atoms are created and aggregate with oxygen precipitation.     

二维过渡金属硫化物激子能级的理论计算——介质屏蔽的氢原子模型

根据介质屏蔽的氢原子模型求解了单层过渡金属硫化物MoS_2中A激子的结合能及能级谱图,所得结果与二维空间里的玻尔氢原子理论所得结果进行比较发现,介质的屏蔽效应导致处于激发态的激子结合能增大,激发态与基态间的能级间距减小,当主量子数n8时,激子的量子化特性才消失而呈现出连续的能级谱.     

快中子辐照直拉硅中受主和施主的研究

通过傅里叶红外光谱、正电子湮没寿命谱和Hall技术研究了高剂量快中子辐照直拉硅的辐照 缺陷、电阻率、载流子迁移率、载流子浓度随退火温度的变化.经快中子辐照，直拉硅样品 的导电类型由n型转变为p型.在450和600℃热处理出现两种受主中心，分别由V2_{2O22，V22O，VO22，V-O-V及V44型缺 陷引起，这些缺陷态的出现使得样品中空穴浓度迅速增加；大于650℃热处理这些受主态 缺陷迅速消失， 关键词： 快中子辐照 空位型缺陷 受主 施主}     

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400—450℃热处理后，空位_双氧复合体(VO₂)是其 主要 的缺陷.在300—500℃热处理快中子辐照的CZ_Si后，IR光谱中有919．6cm^-1和 1006cm^-1两个吸收峰伴随VO₂(889cm^-1)出现，这两个IR吸收 峰是VO₂的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的，此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个 间隙氧原子(O_i)相互作用所形成的.在300℃延长退火时间或升高退火温度，都 会使(O -V-O)转变为稳态VO₂.辐照剂量在10¹⁹数量级，经400—450℃热处 理所形成的缺陷主要为多空位型，而VO₂被抑制.     

FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2

快中子辐照直拉硅(CZ-Si)经400-450℃热处理后，空位-双氧复合体(VO2)是其主要的缺陷．在300-500℃热处理快中子辐照的CZ-Si后，IR光谱中有919．6cm^-1和1006cm^-1两个吸收峰伴随VO2(889cm^-1)出现，这两个IR吸收峰是VO2的一种亚稳态缺陷(O-V-O)引起的，此缺陷态是由一个VO(A中心)与次临近的一个间隙氧原子(Oi)相互作用所形成的．在300℃延长退火时间或升高退火温度，都会使(O-V-O)转变为稳态VO2．辐照剂量在10^19数量级，经400-450℃热处理所形成的缺陷主要为多空位型，而VO2被抑制．