硅光电倍增管自动增益校正系统设计

温度会使硅光电倍增管的增益产生较大的漂移,进而影响硅光电倍增管的增益精度。为了使硅光电倍增管增益不随温度发生较大变化,设计了硅光电倍增管的自动增益校正系统,包括基于单片机的高压电源设计与采集系统设计。高电压模块精确工作的温度范围为?10～60 ℃,电源噪声约为30 mV,满足硅光电倍增管性能测试的需求。采集系统经过扫频测试与激光照射测试,可以较好地通过60 MHz的交流信号,并将光信号转变为较明显的电信号。该系统可以向京邦公司的硅光电倍增管阵列JARY-TP3050-8X8C提供工作电压与采集电路。     

PTS单路样机激光触发开关的电压测量

介绍了PTS单路样机激光触发开关D-dot电压探头的设计和检验实验。实验结果表明：用电容分压原理制作的D-dot探头适合测量兆伏量级的高电压脉冲。但当探头处于电场分布较为复杂的环境时,设计探头时需要考虑探头与被测电极以及其它电极之间的结构电容,只有满足探头与被测电极间的结构电容远天于与其它高压电极形成的电容时,才能获得较真实的信号。     

掺钬铌酸锂晶体光谱性能研究

采用提拉法得到了纯LiNbO3和掺杂量为2mol;的Ho:LiNbO3晶体.测试了Ho:LiNbO3晶体的吸收光谱、光致发光光谱,采用620nm激发波长得到了523nm的上转换荧光.利用Judd-Ofelt理论计算出在LiNbO3中的强度参数Ω2=27.4×10-20 cm2、Ω4=7.45×10-20 cm2、Ω6=27.1×10-20 cm2,并由此计算了5G4→5I8、5S2→5I7、5F3→5I8处的自发辐射跃迁几率和积分发射截面.     

Improved Surface Characteristics and Contact Performance of Epitaxial p-AlGaN by a Chemical Treatment Process

The comparative study of epitaxial 380-run-thick p-Al0.091 Ga0.909 N materials without and with special surface chemical treatment is systematically carried out. After the treatment process, the deep level luminous peak in the 10 K photoluminescence spectrum is eliminated due to the decrease of surface nitrogen vacancy VN related defective sites, while the surface root-mean-square roughness in atomic force microscopy measurement is decreased from 0.395nm to 0.229nm by such a surface preparation method. Furthermore, the performance of surface contact with Ni/Au bilayer metal fihns is obviously improved with the reduction of the Schottky barrier height of 55meV. The x-ray photoelectron spectroscopy （XPS） results show a notable surface element content change after the treatment which is considered to be the cause of the above-mentioned surface characteristics improvement.     

第15届高功率粒子束国际会议在圣彼得堡召开

第15届高功率粒子束国际会议(简称Beams 2004)于2004年7月18-23日在俄罗斯圣彼得堡市的圣彼得堡大酒店召开，会议由俄罗斯科学院、俄联邦能源部、俄联邦教育与科学部主办，Efremov电物理研究所承办。本届Beams会议收到来自俄、美、中、日、法、英、德、以色列等15个国家共计272篇文章，涉及全世界111个单位，参会人数221人，其中俄罗斯125人，来自美、法、德、英、中、日、以色列、捷克、智利、荷兰共     

The Concentration of Hydrogen Peroxide Generated during Aggregation of a-Synuclein in vitro Is Lower than 5 nmol/L

Introduction a-Syn is a major component of Lewy bodies and Lewy neurites in the brains of patients with neurode-generative diseases, such as Parkinson抯 disease, the Lewy body variant of Alzheimer抯 disease, dementia with Lewy bodies and multiple system atrophy.1,2 a-Syn is prone to aggregate in vitro and the aggregates appear to be toxic to neurons, though the reason for the cyto-toxicity remains unclear.3-6 Previous studies by electron spin resonance (ESR) showed that a-Syn could liberat…     

玻璃-陶瓷脉冲形成线的充放电特性

采用熔融-快冷-可控结晶工艺，制备了(Pb，Sr)Nb₂O₆-NaNbO₃-SiO₂大尺寸玻璃陶瓷，开展了其介电性能以及脉冲充放电特性研究。实验结果表明:该玻璃陶瓷材料的介电常数约为340，具有良好的温度稳定性和正的偏压特性。基于该材料制备的固态脉冲形成线输出脉冲脉宽约为89 ns，具有良好的脉冲平顶和窄的上升沿。在19 kV充放电电压、1 kHz的充放电频率、4 kA的放电电流条件下，固态脉冲形成线充放电寿命大于100万次。     

基于数模混合的混沌映射实现

混沌随机序列发生器在数字实现时面临有限字长效应, 无法严格保证伪随机序列的非周期性. 构建了一类包含最少模拟器件的新数模混合系统, 分析比较了此类系统的非线性动力学行为. 利用现场可编程逻辑门阵列和RC电路实现了混沌映射, 构造了稳定的高速随机序列发生器, 可产生100 Gbit/s以上速率的随机数. 研究表明, 数模混合系统的混沌性对元件参数变化不敏感, 数模实现验证了新系统的存在性和物理上的可实现性. 系统易于集成在数字加密、保密通信和雷达波形产生等应用系统中.     

SF6气体间隙开关激光触发延迟的数值模拟

 建立了激光触发SF₆气体间隙开关的0维数值模型，数值计算结果与国内外实验进行了比较，计算的延迟时间与实验结果符合较好。在充气压力一定时，延迟时间随激光能量、工作电压比的增加而减小，并且延迟时间-工作电压比的曲线斜率也是随激光能量和工作电压比的增加而减小的。当激光能量一定时，延迟时间随充气压力的减小和电压的增加而减小, 并且不同充气压力的延迟时间随电压变化的曲线斜率是随电压的增加而减小的。但是，等电压压力比值情况下,延迟时间是随充气压力的增加而减小的。     

4 MV激光触发多级多通道开关特性

 报道了4 MV激光触发多级多通道开关的结构设计和初步的实验结果及分析。该开关采用轴向聚焦触发方式，设计为匀场结构，采用场调整环与匀压环调整开关间隙电场分布，电极-绝缘子序列采用堆栈结构替代榫接结构，独立定位、紧固。实验结果表明：4 MV激光触发多级多通道开关的自击穿电压偏差小于5%，自击穿电压与工作气压呈良好的线性关系；触发延迟时间约25 ns，极差小于±2.5 ns，抖动1.5 ns；等工作电压-气压比条件下，随着气压和工作电压的上升触发延迟时间及其抖动趋向下降。