排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 下载免费PDF全文
We present the growth of GaN epilayer on Si (111)
substrate with a single AlGaN interlayer sandwiched between the GaN
epilayer and AlN buffer layer by using the metalorganic chemical
vapour deposition. The influence of the AlN buffer layer thickness
on structural properties of the GaN epilayer has been investigated
by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, optical
microscopy and high-resolution x-ray diffraction. It is found that
an AlN buffer layer with the appropriate thickness plays an important
role in increasing compressive strain and improving crystal quality
during the growth of AlGaN interlayer, which can introduce a more
compressive strain into the subsequent grown GaN layer, and
reduce the crack density and threading dislocation density in GaN
film. 相似文献
3.
利用直流电沉积法在多孔阳极氧化铝模板中制备出了一系列Fe100-xPdx磁性纳米线阵列. Pd的增加使纳米线的总体磁性降低,各向异性和矫顽力也发生了较大的变化. 当Pd含量高达x=30时,纳米线仍有相当高的矫顽力(7.48 kA/m)和较明显的各向异性,但当Pd的含量增加到50%时,纳米线的易磁化方向由平行线的方向反转到垂直线的方向. 实验证明,这是由于在Fe80Pd20 和Fe70Pd30中连续的磁性相在Fe50Pd50纳米线中变成了与非磁性相相互间隔的非连续片状结构. 片状磁性相的形状各向异性使易磁化方向转变到垂直纳米线轴的方向. 从生长动力学的角度对Fe50Pd50纳米线中这种片状的形成进行了解释. 相似文献
4.
利用电化学沉积方法在同一种富Co2+溶液Co2+/Cu2+=10∶1中,利用不同的沉积电位成功地制备了一系列不同成分(x=0.38—0.87)和复合相结构的CoxCu1-x纳米线阵列.发现随着纳米线中Cu含量的变化,CoxCu1-x纳米线的复相结构随之发生规律的变化,最终导致纳米线的磁性也随之规律的变化.随着纳米线中Cu含量的不断增加,一部分Cu与Co形成面心立方结构(fcc)的CoCu固溶体,减弱了磁晶各向异性与形状各向异性的竞争,从而提高样品的方形度;一部分Cu以fcc结构的Cu单质的形式存在于纳米线中,并随着Cu颗粒大小的不同分别起到破坏磁晶各向异性和钉扎畴壁的作用,从而增加纳米线的方形度和矫顽力.对比不同成分的样品,发现CoxCu1-x纳米线的方形度和矫顽力的最大值分别出现在Co75Cu25和Co60Cu40中,并且由于其特殊的复相结构致使它们的值要好于相同直径的单相结构的结果.
关键词:
纳米线
电化学沉积
磁性 相似文献
5.
6.
近年来,金属纳米线及其阵列由于其新奇的物理和化学特性和在纳米器件方面潜在的应用前景,越来越受到人们的关注。氧化铝模板合成一维纳米材料具有设备简单、制作方便等优点,因而成为近年来人们常用的一种方法。利用电化学沉积的方法在多孔氧化铝模板中沉积各种成分的纳米线已成为纳米材料制备的一种常见的方法。这种方法不仅可以得到大面积有序的纳米线阵列,还可以根据需要调节孔洞的大小来控制纳米线的直径[1 ̄3]。最近理论研究结果预言[4 ̄6],由于纳米材料的量子限域效应,热电材料的纳米线将有比其相应块体材料更高的品质因数n,这极大地激… 相似文献
7.
8.
利用直流电沉积法在多孔阳极氧化铝模板中制备出了一系列Fe100-xPdx磁性纳米线阵列. Pd的增加使纳米线的总体磁性降低,各向异性和矫顽力也发生了较大的变化. 当Pd含量高达x=30时,纳米线仍有相当高的矫顽力(7.48 kA/m)和较明显的各向异性,但当Pd的含量增加到50%时,纳米线的易磁化方向由平行线的方向反转到垂直线的方向. 实验证明,这是由于在Fe80Pd20和Fe70Pd30中连续的磁性相在Fe50Pd50纳米线中变成了与非磁性相相互间隔的非连续片状结构. 片状磁性相的形状各向异性使易磁化方向转变到垂直纳米线轴的方向. 从生长动力学的角度对Fe50Pd50纳米线中这种片状的形成进行了解释.
关键词:
纳米线
电化学沉积
磁性 相似文献
9.
This paper investigates the infrared absorption spectra of oxygen-related complexes in silicon crystals irradiated with
electron (1.5~MeV) at 360~K. Two groups of samples with low [Oi]=6.9× 1017~cm-3 and high [ Oi]=1.06× 1018~cm-3 were used. We found that the
concentration of the VO pairs have different behaviour to the
annealing temperature in different concentration of oxygen specimen,
it is hardly changed in the higher concentration of oxygen specimen. It
was also found that the concentration of VO2 in lower concentration
of oxygen specimen gets to maximum at 450~℃ and then
dissapears at 500~℃, accompanied with the appearing of
VO3. For both kinds of specimens, the concentration of VO3
reachs to maximum at 550~℃ and does not disappear
completely at 600~℃. 相似文献
10.