排序方式: 共有39条查询结果,搜索用时 31 毫秒
11.
助表面活性剂对介孔二氧化硅孔径的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
在十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)与硝酸形成的胶束体系中,分别加入正戊醇与正辛胺作助表面活性剂,合成出介孔二氧化硅.经小角XRD和N2气体吸附与脱附实验证实,随着CTAB与正戊醇摩尔比的增加,介孔二氧化硅的孔径增加;而随CTAB与正辛胺摩尔比的增加,介孔二氧化硅的孔径减小.主要原因是正戊醇增大了CTAB胶束体积,从而导致介孔二氧化硅的孔径增加.而在CTAB与正辛胺的混合胶束中,正辛胺同硅酸盐作用力比CTAB强,导致介孔二氧化硅的孔径减小. 相似文献
13.
线性加权评价与聚类分析理论及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
针对当前大学生综合素质评价方法的弊端进行简单的探讨,提出了线性加权法和聚类分析法两种评价方法,并通过实例说明这两种方法的可行性,得到的结果也符合实际情况. 相似文献
14.
对于相同制作工艺的NPN锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT), 在不同辐照剂量率下进行60Co γ射线的辐照效应与退火特性的研究. 测量结果表明, 两种辐照剂量率下, 随着辐照总剂量增加, 晶体管基极电流增大, 共发射极电流放大倍数降低, 且器件的辐照损伤、性能退化与辐照剂量率相关, 低剂量率下辐照损伤较高剂量率严重. 在经过与低剂量率辐照等时的退火后, 高剂量率下的辐照损伤仍较低剂量率下的损伤低, 即待测SiGeHBT具有明显的低剂量率损伤增强效应(ELDRS). 本文对相关的物理机理进行了探讨分析.
关键词:
锗硅异质结双极晶体管
低剂量率辐照损伤增强
辐照效应 相似文献
15.
以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射. 相似文献
16.
17.
2D氢键网状Mg(Ⅱ)配合物的合成和晶体结构 总被引:1,自引:0,他引:1
The title complex [Mg(H2O)6]·(L)·(H2O) [L=2-formyl-benzenesulfonate-hydrazine] was synthesized by the reaction of magnesium chloride hexahydrate with 2-formyl-benzenesulfonic acid sodium-hydrazine in the CH3CH2OH/H2O. It was characterized by elemental analysis, IR and X-ray single crystal structure analysis. The crystal of the title complex [Mg(H2O)6]·(C14H12N2O7S2)·(H2O) belongs to triclinic, space group P1 with a=0.781 09(12) nm, b=0.781 27(13) nm, c=0.995 68(19) nm, α=102.054(2)°, β=92.331 0(10)°, γ=105.500(2)°, V=0.569 59(17) nm3, Z=1, Dc=1.559 Mg·m-3, μ=0.334 mm-1, F(000)=280, and final R1=0.033 9, wR2=0.091 6. The complex comprises a six-coordinated magnesium(Ⅱ) center, with a O6 distorted octahedron coordination environment. The molecules are connected by hydrogen bonds to form two dimensional network structures. CCDC: 716601. 相似文献
18.
19.
本文研究了纯银制成溶液后,以氯化钠或盐酸为沉淀剂,在酸性溶液中沉淀分离银,用原子吸收法测定滤液中的微量元素Cu、Zn、Cd、Ni.本法操作简便,方法准确度、精密度满意.一、主要试剂及仪器1.硝酸银溶液 分析纯AgNO_3配制成溶液,基准氯化钠标定为10mg/ml.2.Cu、Zn、Cd、Ni混合标准溶液 吸取由光谱纯CuO、ZnO、CdO、NiO配 相似文献
20.