全文获取类型
收费全文 | 183篇 |
免费 | 56篇 |
国内免费 | 95篇 |
专业分类
化学 | 84篇 |
晶体学 | 12篇 |
力学 | 11篇 |
综合类 | 4篇 |
数学 | 43篇 |
物理学 | 180篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 13篇 |
2022年 | 19篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 9篇 |
2019年 | 18篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 9篇 |
2016年 | 8篇 |
2015年 | 13篇 |
2014年 | 21篇 |
2013年 | 20篇 |
2012年 | 13篇 |
2011年 | 13篇 |
2010年 | 8篇 |
2009年 | 12篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 11篇 |
2006年 | 15篇 |
2005年 | 5篇 |
2004年 | 7篇 |
2003年 | 11篇 |
2002年 | 12篇 |
2001年 | 9篇 |
2000年 | 4篇 |
1999年 | 11篇 |
1998年 | 3篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 3篇 |
1995年 | 3篇 |
1994年 | 2篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 5篇 |
1991年 | 3篇 |
1990年 | 5篇 |
1989年 | 2篇 |
1988年 | 3篇 |
1986年 | 3篇 |
1985年 | 2篇 |
1984年 | 4篇 |
1982年 | 2篇 |
排序方式: 共有334条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
采用直流反应磁控溅射与高温退火工艺大批量制备了膜厚为200 nm、400 nm及800 nm的2英寸蓝宝石基氮化铝模板,并对高温退火前后不同膜厚模板使用各种表征手段进行对比分析.结果 表明:采用磁控溅射制备膜厚为200 nm的模板经高温退火后晶体质量得到显著提升,退火前后整片(0002)面和(10-12)面高分辨率X射线衍射摇摆曲线半高宽分别从632 ~ 658 arcsec和2 580 ~2 734 arcsec下降至70.9 ~ 84.5 arcsec和273.6 ~ 341.6 arcsec;模板5 μm×5μm区域内均方根粗糙度小于1 nm;紫外波段260 ~280 nm吸收系数为14 ~20 cm-1;高温退火前后拉曼图谱E2(high)声子模特征峰半高宽从13.5 cm-1降至5.2 cm-1,峰位从656.6 cm-1移动至657.6 cm-1,表明氮化铝模板内的拉应力经高温退火后得到释放,接近无应力状态. 相似文献
2.
3.
超高效液相色谱-四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱法非靶向筛查苹果中苯脲类农药 总被引:1,自引:0,他引:1
建立了超高效液相色谱-四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱(UPLC-Q/Orbitrap HRMS)非靶向筛查苹果中苯脲类农药的方法。样品采用QuEChERS法提取净化,Acquity BEH C18色谱柱(100 mm × 2.1 mm,1.7 μm)分离,以甲醇和含0.1%甲酸的水溶液为流动相进行梯度洗脱,在电喷雾正离子模式下采用四极杆/静电场轨道阱高分辨质谱进行检测。将13种苯脲类除草剂和9种苯甲酰脲类杀虫剂按化学结构分为4类。首先通过对4类22种典型苯脲类农药标准品的准分子离子和二级质谱碎片进行分析,总结苯脲类农药的质谱裂解规律如下:绿麦隆等9种苯脲类除草剂的主要特征离子碎片为m/z 72.044 59,可通过特征丢失中性分子二甲胺(m/z 45.058 03)产生特征离子碎片;绿谷隆等4种苯脲类除草剂可通过特征丢失中性分子甲醇[CH3OH]或卤化氢[HR1](R=Cl,Br,F)产生离子碎片;除虫脲等7种含氟苯甲酰脲杀虫剂的主要特征离子碎片为 m/z 158.040 47、141.015 00,也可发生特征中性丢失2,6-氟苯甲酰胺结构[C8H3F2O2NH2](m/z 183.013 21);杀铃脲等2种含氯苯甲酰脲类杀虫剂的主要特征离子碎片为m/z 156.020 25、138.993 76、113.015 28。利用该方法对北京12份市售苹果进行非靶向筛查,在1份样品中筛查出绿麦隆。该方法可为快速筛查农产品中相似结构特征的苯脲类化合物提供参考。 相似文献
4.
在"高等物理化学"课程教学中引入实例教学可以有效帮助学生在理论语言与实验语言之间搭建桥梁,借助计算机"可视化"手段向学生展示实体实验难以描述的抽象概念。本课程从量子力学和分子力学出发,设计了由浅入深的7个实例,用计算机模拟方法分别计算了单分子的分子光谱、化学反应路径和溶液的微观异质性,帮助学生从微观层面形象化地理解抽象的物理概念,有效克服了学生的畏难心理,显著提高了学生解决实际问题的能力,改善了理论脱离实践的现状。 相似文献
5.
建立了定量检测氟苯尼考的胶体金免疫层析方法.对胶体金标记抗体时溶液pH和抗体浓度、金标抗体用量、检测线上抗原浓度以及检测时间进行了优化.采用胶体金试纸条读取仪测定试纸条检测线和质控线的信号强度,以标准品的浓度为横坐标,阳性样本和阴性样本的检测线/质控线的信号比值(Bx/B0)为纵坐标建立标准曲线.结果表明,胶体金免疫层析试纸定量检测氟苯尼考的线性范围为0.1~1.5 ng/mL,检出限为0.08 ng/mL,检测时间为15 min.本方法具有简便、快速和可定量等特点,适于大批量样品的现场筛查. 相似文献
6.
7.
研究了分数阶p-Laplace方程解的单调性公式.基于Caffarelli-Silverstre的延拓技术,将分数阶p-Laplace方程相应的扩展问题表述为半空间中一个退化或奇异局部方程.通过建立与扩展问题相关的Almgren型频率函数,结合散度定理和积分估计获得了延拓函数的单调性公式. 相似文献
8.
在雷云电场的缓慢作用下, 一种无流注的正极性辉光电晕在接地物体表面起始, 向周围空间注入大量正极性空间电荷, 从而改变雷电先导对雷击目的物的选择. 本文对雷云电场作用下起始于长地线表面的正极性辉光电晕放电进行了仿真研究; 考虑了正极性离子与其他离子的附着与碰撞作用, 建立了一种精确的二维正极性辉光电晕模型; 并通过在实验室内开展高压电晕放电试验, 测量了不同背景电场下的电晕电流; 与本文所建模型的仿真结果进行对比, 对模型的正确性进行了验证. 基于上述模型, 对正极性辉光电晕在雷云感应作用下的起始发展过程与电晕特性进行了仿真模拟, 得到了该电晕的电晕电流、正离子密度分布规律以及正离子迁移规律. 发现在雷云电场作用下, 电晕放电产生的正离子在迁移初期于垂直于地线的平面内基本呈圆对称状均匀分布, 但随着离子逐渐远离地线其分布不再均匀, 呈拉长的椭圆形分布, 多数离子最终分布于地线上方区域并逐渐向雷云方向迁移; 由于正离子在地线上方迁移区聚集形成的正空间电荷背景对行进电子束具有衰减和消耗作用, 抑制了电子崩的形成, 并降低了电子崩转化为流注的概率, 阻止了新的电子崩对流注的不断注入, 同时正空间电荷背景使气体的碰撞面增大, 增加了与电子的复合概率, 引起大量电子的消耗, 最终抑制了电子崩的形成与流注的发展, 地线表面的上行先导得到抑制. 相似文献
9.
以半胱氨酸为原料,通过一步热解法制备了荧光碳点(CDs),并采用透射电镜(TEM)、动态光散射(DLS)、X射线能谱分析(XPS)、紫外可见吸收光谱(UV-Vis)和荧光光谱(FL)对其进行了表征。结果表明该碳点平均尺寸为3.12 nm,且表现出了良好的荧光特性。银离子能够与碳点结合进而通过光诱导的电子转移有效猝灭碳点的荧光。青霉胺得益于其与重金属离子的配位作用,能够与银离子结合使得后者离开碳点表面从而实现荧光恢复。基于此,我们建立了银离子辅助的碳点荧光点亮型识别青霉胺的新方法。该方法的线性范围为8~500 μmol·L-1,检出限为5.62 μmol·L-1。该荧光体系用于尿液样品测定,回收率在97.17%~102.05%范围内。 相似文献
10.
A low specific on-resistance (R S,on) silicon-on-insulator (SOI) trench MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor) with a reduced cell pitch is proposed.The lateral MOSFET features multiple trenches:two oxide trenches in the drift region and a trench gate extended to the buried oxide (BOX) (SOI MT MOSFET).Firstly,the oxide trenches increase the average electric field strength along the x direction due to lower permittivity of oxide compared with that of Si;secondly,the oxide trenches cause multiple-directional depletion,which improves the electric field distribution and enhances the reduced surface field (RESURF) effect in the SOI layer.Both of them result in a high breakdown voltage (BV).Thirdly,the oxide trenches cause the drift region to be folded in the vertical direction,leading to a shortened cell pitch and a reduced R S,on.Fourthly,the trench gate extended to the BOX further reduces R S,on,owing to the electron accumulation layer.The BV of the MT MOSFET increases from 309 V for a conventional SOI lateral double diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) to 632 V at the same half cell pitch of 21.5 μm,and R S,on decreases from 419 m · cm 2 to 36.6 m · cm 2.The proposed structure can also help to dramatically reduce the cell pitch at the same breakdown voltage. 相似文献