| Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响 |
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| 引用本文： | 许军,黄宇健,丁士进,张卫.Ta和TaN底电极对原子层淀积HfO2介质MIM电性能的影响[J].物理学报,2009,58(5). |
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| 作者姓名： | 许军 黄宇健 丁士进 张卫 |
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| 作者单位： | 专用集成电路与系统国家重点实验室,复旦大学微电子研究院,上海,200433 |
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| 摘 要： | 以Ta,TaN为衬底,采用原子层淀积方法制备高介电常数HfO2介质,比较研究了不同衬底电极对金属-绝缘体-金属(MIM)电容的性能影响.结果表明,采用TaN底电极能够获得较高的电容密度和较小的电容电压系数(VCC),在1MHz下的其电容密度为7.47fF/μm2,VCC为356ppm/V2和493ppm/V,这归因于TaN底电极与HfO2介质之间良好的界面特性.两种电容在3V时漏电流为5×10-8A/cm2左右,基于TaN底电极的MIM电容表现出具有较高的击穿强度,其在室温下的导电机理为肖特基发射.
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| 关 键 词： | 高介电常数 MIM电容 HfO2薄膜 电极 |
Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO2 dielectric |
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| Xu Jun,Huang Yu-Jian,Ding Shi-Jin,Zhang Wei.Influence of Ta and TaN bottom electrodes on electrical performances of MIM capacitors with atomic-layer-deposited HfO2 dielectric[J].Acta Physica Sinica,2009,58(5). |
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| Authors: | Xu Jun Huang Yu-Jian Ding Shi-Jin Zhang Wei |
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