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β—环糊精和α—萘乙酸包络物的荧光光谱研究 总被引:5,自引:0,他引:5
本文研究了水溶液中β-环糊精和α-萘乙酸包络反应,研究了包络物的荧光光谱性质,测定了包络物的形成常数,讨论了各种水溶性一元醇对该包络物形成及荧光性质的影响,并对其应用了作了预测。 相似文献
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贵金属钯(Pd)基纳米材料是一类具有优异催化活性的电催化材料,其中钯-铜(Pd-Cu)二元材料由于具有低成本和高活性的优点,近年来备受瞩目。铜(Cu)的引入不但降低了Pd的用量,还带来了诸如配体效应、应力效应、聚集体效应等协同作用,这为优化材料的电催化性能带来了多种切入角度。特殊形貌及结构的构建可以使催化剂暴露更多的活性位点,增大电化学活性表面积,提高电催化性能。此外,对Pd-Cu组分的调整或构建复合结构可以实现对d带中心的调控,从而优化电极界面吸附能,最终实现增强活性和改善稳定性的目的。本文总结了具有球形、多面体、核壳、多孔、枝晶状以及单原子等结构的Pd-Cu二元材料的制备方法,并概述了它们在有机小分子(甲醇、乙醇、甲酸等)电氧化、无机小分子(氧、二氧化碳、氮、水等)电还原以及化学镀铜上的应用。最后展望了Pd-Cu电催化剂的发展前景。 相似文献
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芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比, 化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点, 被人们期望应用于芯片制造中, 从而在近年来得到大量的研究. 本综述首先简介了芯片制造中导电互连包括芯片内互连、芯片3D封装硅通孔(TSV)、重布线层、凸点、键合、封装载板孔金属化等制程中传统制造技术与化学镀技术的对比, 说明了化学镀用于芯片制造中的优势; 然后总结了芯片化学镀的原理与种类、接枝与活化前处理方法和关键材料; 并详细介绍了芯片内互连和TSV互连化学镀阻挡层、种子层、互连孔填充、化学镀凸点、再布线层、封装载板孔互连种子层以及凸点间键合的研究进展; 且讨论了化学镀液组成及作用, 超级化学镀填孔添加剂及机理等. 最后对化学镀技术未来应用于新一代芯片制造中进行了展望. 相似文献
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潜水器开孔耐压壳半球封头极限承载力分析 总被引:1,自引:0,他引:1
为了使潜水器能够在水下完成各种操作项目,必须为潜水器配置适当的设备以及电缆,这就决定了必须在耐压壳两侧的封头上设置各种大小不同的开孔,开孔处需要安装各类接插件.耐压半球封头上开孔的设置导致了应力的增加和壳体强度的减弱;同时,由于结构的连续性被破坏,这将产生较大的附加弯曲应力.本文利用ANSYS有限元分析软件对开孔半球封头的承载力问题进行了非线性有限元分析,计算了开孔的各项参数变化对耐压封头极限承载力的影响.计算结果表明,随着个数和孔径的增大和围壁厚度的减小其极限承载力呈下降趋势. 相似文献
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