| 芯片制造中的化学镀技术研究进展 |
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| 引用本文： | 叶淳懿,邬学贤,张志彬,丁萍,骆静利,符显珠.芯片制造中的化学镀技术研究进展[J].化学学报,2022,80(12):1643-1663. |
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| 作者姓名： | 叶淳懿 邬学贤 张志彬 丁萍 骆静利 符显珠 |
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| 作者单位： | 深圳大学材料学院 深圳 518000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(21975163) |
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| 摘 要： | 芯片制造中大量使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、热压键合等技术来实现芯片导电互连. 与这些技术相比, 化学镀因具有均镀保形能力强、工艺条件温和、设备成本低、操作简单等优点, 被人们期望应用于芯片制造中, 从而在近年来得到大量的研究. 本综述首先简介了芯片制造中导电互连包括芯片内互连、芯片3D封装硅通孔(TSV)、重布线层、凸点、键合、封装载板孔金属化等制程中传统制造技术与化学镀技术的对比, 说明了化学镀用于芯片制造中的优势; 然后总结了芯片化学镀的原理与种类、接枝与活化前处理方法和关键材料; 并详细介绍了芯片内互连和TSV互连化学镀阻挡层、种子层、互连孔填充、化学镀凸点、再布线层、封装载板孔互连种子层以及凸点间键合的研究进展; 且讨论了化学镀液组成及作用, 超级化学镀填孔添加剂及机理等. 最后对化学镀技术未来应用于新一代芯片制造中进行了展望.
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| 关 键 词： | 芯片导电互连 3D封装硅通孔 阻挡层 种子层 凸点 键合 |
Research Progress of Electroless Plating Technology in Chip Manufacturing |
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| Chunyi Ye,Xuexian Wu,Zhibin Zhang,Ping Ding,Jing-Li Luo,Xian-Zhu Fu.Research Progress of Electroless Plating Technology in Chip Manufacturing[J].Acta Chimica Sinica,2022,80(12):1643-1663. |
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| Authors: | Chunyi Ye Xuexian Wu Zhibin Zhang Ping Ding Jing-Li Luo Xian-Zhu Fu |
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| Institution: | College of Material Science and Engineering, Shenzhen University, Shenzhen 518000, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | chip electrical interconnection 3D packaging through silicon via barrier layer seed layer bump bonding |
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