WS2/CuGa2O4复合材料的制备及其气敏性

采用共沉淀法制备了CuGa₂O₄纳米材料,并利用水热法制备了一系列WS₂/CuGa₂O₄复合材料。结合X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)等对制备的材料进行了物相组成、表面形貌以及元素价态的分析。研究了WS₂的复合量对 CuGa₂O₄材料检测乙醇气体敏感性能的影响。实验结果表明,当 WS₂与 CuGa₂O₄质量比为 1%时,该复合材料制备的传感器在室温下对 100 μL·L^-1乙醇气体表现出 345.3 的灵敏度,响应时间和恢复时间分别为 184 和 69 s,且最低检测限为 0.1μL·L^-1。     

La3+掺杂CaFe2O4材料的制备及室温检测超低浓度甲醛

采用静电纺丝法成功制备了La³⁺掺杂CaFe₂O₄材料。通过X射线衍射、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对La³⁺掺杂CaFe₂O₄材料的结构和形貌进行了表征。随后，研究了La³⁺的掺杂量（质量分数）对CaFe₂O₄气敏性能的影响。研究表明，3% La³⁺掺杂CaFe₂O₄材料在室温下对100 μL·L^-1甲醛的响应最高（R_a/R_g=14.1）。更为重要的是，对甲醛的最低检测限低至0.1 nL·L^-1，并且响应/恢复时间仅为4.3 s/8.4 s。     

Ti3C2Tx/MnO2正极在水系锌电池中的电化学性能

二氧化锰(MnO₂)材料具有比容量大、电极电位高、储量丰富以及价格低廉等优势,成为水系锌电池正极最受关注的一类材料,然而其仍然存在着结构稳定性差和电化学储存机理复杂的问题。因此,我们通过两步合成法制备了一种花苞状结构的MnO₂负载在Ti₃C₂T_x表面形成Ti₃C₂T_x/MnO₂复合材料,通过X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对复合样品的结构、成分和形貌进行表征。通过将Ti₃C₂T_x/MnO₂复合材料作为正极,与锌负极匹配组装成水系锌电池,研究了其分别在2 mol·L^-1 ZnSO₄、2 mol·L^-1 ZnSO₄+0.1 mol·L^-1 MnSO₄、30 mol·L^-1三氟甲基磺酸四乙基铵(TEAOTf)+1 mol·L^-1三氟甲烷磺酸锌(ZnOTf)和3 mol·L^-1 ZnOTf四种电解液中的电化学性能。结果表明,Ti₃C₂T_x/MnO₂在2 mol·L^-1 ZnSO₄中的比容量较高,但循环稳定性很差。将TEAOTf盐和ZnOTf盐共溶于水中,设计了一种新型的含惰性阳离子的超高浓度盐包水电解液(30 mol·L^-1 TEAOTf+1 mol·L^-1 ZnOTf),不仅提高了Ti₃C₂T_x/MnO₂材料的可逆性,而且有效抑制了电极材料在循环过程中的溶解。     

射频磁控溅射制备MoS2薄膜及其储锂性能研究

采用射频磁控溅射法,在Ar气-H₂S混合气氛中,以MoS₂靶材为原料,在泡沫铜基底上制备了MoS₂薄膜。利用X射线衍射（XRD）、Raman光谱、扫描电子显微镜（SEM）、能量弥散X射线谱（EDS）等手段对样品的结构、形貌和成分进行了表征,并探讨了靶功率和基底温度对MoS₂薄膜的结构及形貌的影响。结果表明,靶功率的增加可以提高薄膜结晶度,但功率过高会造成薄膜的龟裂;基底温度升高会使MoS₂薄膜结晶度明显提高,且形成蠕虫状形貌。靶功率为80W,基底温度为300℃时,可以制备得到具有较高结晶度的蠕虫状MoS₂薄膜。对其进行充放电测试表明,在100mA·g^-1的电流密度下,其首次放电比容量为980mAh·g^-1,经过40周循环,容量可保持为约920mAh·g^-1,容量保持率达到93.9%。     

微波原位合成Ag NPs/MoS2复合材料及其电化学性能

二硫化钼纳米片（MoS₂）受到带电杂质、结构缺陷和易聚集等因素的影响，导致其电子转移性能下降，使其应用受限。将银纳米颗粒（Ag NPs）与少层MoS₂纳米片复合，可提升MoS₂纳米片的电化学性能。本研究创新性地采用微波还原法，使Ag NPs原位沉积于MoS₂，得到Ag NPs/MoS₂复合材料。结果表明，将Ag NPs/MoS₂复合材料修饰于丝网印刷电极（screen printed elec-trodes，SPE）后，测得的循环伏安（cyclic voltammetry，CV）曲线峰电流值为同浓度单一MoS₂修饰电极的1.8倍，方波伏安（square wave voltammetry，SWV）曲线峰电流值为单一MoS₂修饰电极的3.4倍，电化学阻抗谱（electrochemical impedance spectroscopy，EIS）的电子转移阻抗值（R_et）仅为167 Ω，相比MoS₂/SPE的R_et （320 Ω）显著减小，说明Ag NPs与MoS₂复合可显著增强单一MoS₂的电化学性能。此外，还推测了高导电性Ag NPs/MoS₂复合材料的导电机理。最后，基于Ag NPs/MoS₂复合材料构建了电化学传感器并对前列腺特异性抗原（PSA）进行检测。结果表明，该传感器针对PSA的检测限为0.009 ng·mL^-1，线性检测范围为0.1~1 000 ng·mL^-1，灵敏度为0.011 μA·mL·ng^-1。     

二维层状Ti3C2Tx-MXene@VS2用于高性能锂离子电池负极

为探索一种高性能的锂离子电池负极材料,采用酸刻蚀法制备了高导电性、高稳定性的二维层状Ti₃C₂T_x,通过溶剂热法制备了具有高理论比容量的花瓣状VS₂纳米片,再经过简单的液相混合得到了二维层状Ti₃C₂T_x-MXene@VS₂复合物。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线光电子能谱、X射线衍射和能谱分析对复合材料的形貌和结构进行了表征,采用循环伏安、恒流充放电、长循环和交流阻抗谱对复合材料的电化学性能进行了研究。结果表明：VS₂纳米片均匀地分布在Ti₃C₂T_x的层间及表面,该复合物具有高的可逆容量(电流密度为0.1A·g^-1时,比容量为610.5mAh·g^-1)、良好的倍率性能(电流密度为2A·g^-1时,比容量为197.1mAh·g^-1)和良好的循环稳定性(电流密度为0.2 A·g^-1时,循环600圈后比容量为874.9 mAh·g^-1;电流密度为2 A·g^-1时,循环1 500圈后比容量为115.9mAh·g^-1)。     

片状纳米结构CeO2晶体的制备及其吸附CO2性能

在室温下,将CeCl₃溶液与CO₂储存材料（CO₂SM）混合、搅拌0.5 h制备了片状碳酸铈前驱体（CCPs）,并在500℃下煅烧CCPs 4 h,制得平均尺寸为4.94 μm×0.92 μm,厚度为0.04~0.08 μm纳米结构片状CeO₂晶体。在此过程中,CO₂SM不但可以提供CO₃^2-,还能起到分散剂和结构导向剂的作用。反应过程中,系统地研究了CO₂SM用量、Ce³⁺浓度和搅拌时间3个因素对CCPs形态和大小的影响,得到最优制备条件：0.1 g CO₂SM和50 mL 0.03 mol·L^-1 Ce³⁺水溶液以1 000 r·min^-1转速在室温下搅拌0.5 h。煅烧CCPs后,所制备的片状CeO₂晶体在室温下CO₂吸附量可达0.554 mmol·g^-1。     

球状MoS2/WO3复合半导体制备及其对RhB的光催化性能

采用水热法成功制备了MoS₂/WO₃复合半导体光催化剂,分别通过SEM、TEM、EDS、XRD、Raman和DRS对催化剂的形貌,组成及结构进行表征,并用BET模型计算比表面积。对比发现球状MoS₂/WO₃对罗丹明B（RhB）的光降解效率明显高于纯WO₃、片状MoS₂/WO₃复合半导体。针对球状MoS₂/WO₃复合半导体,分别研究了MoS₂不同负载量（0.5%,1%,2%,5%,10%）对RhB光催化降解性能的影响,结果表明MoS₂含量为2%时催化效果最佳。同时,研究了溶液的pH值（pH=1,3,6,7,11）对光催化降解反应活性的影响,结果显示pH=6时降解率最高。当催化剂量增加到1 g·L^-1时,30min后RhB降解率达到96.6%。球状MoS₂/WO₃的瞬态光电流为0.050 6 mA·cm^-2,比纯WO₃提高了2.4倍。经过5次循环实验,球状MoS₂/WO₃复合半导体催化剂仍能保持90%的高降解率。     

纳米CuFe2O4-rGO复合材料的制备及电化学性能

采用溶剂热法成功制备了纳米CuFe₂O₄-rGO复合材料。通过X射线衍射（XRD）,扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和电化学工作站对样品的结构、形貌及电容特性进行表征。结果表明,CuFe₂O₄纳米粒子均匀地分散在石墨烯片层间,其中CuFe₂O₄-20% rGO复合材料具有最优的电化学性能,当电流密度1 A·g^-1时,其比电容为1 952.5 F·g^-1,当电流密度为1 A·g^-1时,CuFe₂O₄-20% rGO复合材料经1 000次充放电后的比电容保持率为86.17%。     

MoS2/g-C3N4复合材料的制备及可见光催化性能

首先在N-甲基吡咯烷酮溶液中超声剥离得到少层的MoS₂,将其与石墨相氮化碳（g-C₃N₄）复合,制得MoS₂/g-C₃N₄复合材料。采用X射线衍射（XRD）,扫描电镜（SEM）,X射线光电子能谱（XPS）,傅里叶变换红外光谱（FTIR）,Raman光谱,紫外-可见漫反射吸收光谱（DRS）和光致荧光（PL）技术对复合材料进行表征。可见光下考察MoS₂/g-C₃N₄复合材料光催化降解罗丹明B（RhB）的活性,结果表明：将少量MoS₂与g-C₃N₄复合可明显提高光催化活性,且1%（w/w）MoS₂/g-C₃N₄复合物的光催化活性最高,可能的原因是MoS₂和g-C₃N₄匹配的能带结构,增大了界面间电荷的传输,降低了光生电子-空穴的复合,进而提高了光催化活性。     

CeO2改性Ag-V2O5/TiO2催化剂的甲基吡啶氧化脱甲基性能

以锐钛矿TiO_2为载体,考察了CeO_2改性对Ag-CeO_2-V_2O_5/TiO_2催化3-甲基吡啶氧化脱甲基性能的影响,并优化了催化剂组成与制备条件.结果表明:Ce掺杂改性不仅能够与V物种作用形成Ce VO_4,而且促进V_2O_5分散,改善活性组分的氧化还原性能,从而提高3-甲基吡啶脱甲基转化率与选择性,改善Ag-V_2O_5/TiO_2催化性能.适宜的催化剂组成为V_2O_5负载量15%,Ce/V的摩尔比0.33,Ag质量分数1.0%.过高的焙烧温度将导致TiO_2载体向金红石型转变,Ag-CeO_2-V_2O_5/TiO_2适宜制备条件为450℃焙烧4 h.     

Li2O-TiO2-SiO2-P2O5和Li2O-TiO2-Al2O3-P2O5体系锂离子固体电解质的制备及性能研究

一些具有NASICON型网格结构的固体电解质具有高的电导率和好的稳定性,NASICON的意思是Na Super Ionic Conductor[1]。当NaZr2(PO4)3中P5 被Si4 部分取代时便可以得到具有NASICON结构的Na1 xZr2SixP3-xO12体系,其具有高的钠离子电导率。然而有相同结构的Li1 xZr2SixP3-xO12体系的离子电导率却很低,这是因为Li 半径太小,而NASICON三维网格结构的离子通道太大,两者不匹配而使电导率下降[2]。但当LiZr2(PO4)3中Zr4 被离子半径小些的Ti4 取代,所得LiTi2(PO4)3的通道就与Li 半径相匹配,适合于锂离子的迁移,从而使其电导率…     

TiO2/SnO2复合光催化剂的耦合效应

采用改进的sol gel技术制备TiO2/SnO2耦合型半导体光催化剂,利用XRD、气相色谱 仪、粒度仪和表面光电压装置等研究了耦合型半导体光催化机理和光催化效率的影响因素, 并通过降解甲醛探讨其在空气污染治理中的作用.实验结果表明,添加20 ％(mol) SnO2的复 合半导体光催化剂,其光催化效率比纯TiO2高一倍以上.据实验结果和粒子紧密堆积原理,提 出强耦合效应和弱耦合效应的光催化反应模型,并用此模型较好地解释了TiO2/SnO2复合型半 导体光催化剂的光催化效率随SnO2含量变化规律.     

Conversion of NO in NO/N2, NO/O2/N2, NO/C2H4/N2 and NO/C2H4/O2/N2 Systems by Dielectric Barrier Discharge Plasmas

An experimental study on the conversion of NO in the NO/N₂, NO/O₂/N₂, NO/C₂H₄/N₂ and NO/C₂H₄/O₂/N₂ systems has been carried out using dielectric barrier discharge (DBD) plasmas at atmospheric pressure. In the NO/N₂ system, NO decomposition to N₂ and O₂ is the dominating reaction; NO conversion to NO₂ is less significant. O₂ produced from NO decomposition was detected by an on-line mass spectrometer. With the increase of NO initial concentration, the concentration of O₂ produced decreases at 298 K, but slightly increases at 523 K. In the NO/O₂/N₂ system, NO is mainly oxidized to NO₂, but NO conversion becomes very low at 523 K and over 1.6% of O₂. In the NO/C₂H₄/N₂ system, NO is reduced to N₂ with about the same NO conversion as that in the NO/N₂ system but without NO₂ formation. In the NO/C₂H₄/O₂/N₂ system, the oxidation of NO to NO₂ is dramatically promoted. At 523 K, with the increase of the energy density, NO conversion increases rapidly first, and then almost stabilizes at 93–91% of NO conversion with 61–55% of NO₂ selectivity in the energy density range of 317–550 J L⁻¹. It finally decreases gradually at high energy density. A negligible amount of N₂O is formed in the above four systems. Of the four systems studied, NO conversion and NO₂ selectivity of the NO/C₂H₄/O₂/N₂ system are the highest, and NO/O₂/C₂H₄/N₂ system has the lowest electrical energy consumption per NO molecule converted.     

Cr2(WO4)3和Cr2(MoO4)3的负热膨胀特性研究

用液相反应-前驱物烧结法制备了Cr₂(WO₄)₃和Cr₂(MoO₄)₃粉体。298～1 073 K的原位粉末X射线衍射数据表明Cr₂(WO₄)₃和Cr₂(MoO₄)₃的晶胞体积随温度的升高而增大, 本征线热膨胀系数分别为(1.274±0.003)×10^-6 K^-1和(1.612±0.003)×10^-6 K^-1。用热膨胀仪研究了Cr₂(WO₄)₃和Cr₂(MoO₄)₃在静态空气中298～1 073 K范围内热膨胀行为，即开始表现为正热膨胀，随后在相转变点达到最大值，最后表现为负热膨胀，其负热膨胀系数分别为(-7.033±0.014)×10^-6 K^-1和(-9.282±0.019)×10^-6 K^-1。     

Energetics of copper diphosphates – Cu2P2O7 and Cu3(P2O6OH)2

Differential scanning calorimetry and high temperature oxide melt solution calorimetry are used to study enthalpy of phase transition and enthalpies of formation of Cu₂P₂O₇ and Cu₃(P₂O₆OH)₂. α-Cu₂P₂O₇ is reversibly transformed to β-Cu₂P₂O₇ at 338–363 K with an enthalpy of phase transition of 0.15 ± 0.03 kJ mol⁻¹. Enthalpies of formation from oxides of α-Cu₂P₂O₇ and Cu₃(P₂O₆OH)₂ are −279.0 ± 1.4 kJ mol⁻¹ and −538.8 ± 2.7 kJ mol⁻¹, and their standard enthalpies of formation (enthalpy of formation from elements) are −2096.1 ± 4.3 kJ mol⁻¹ and −4302.7 ± 6.7 kJ mol⁻¹, respectively. The presence of hydrogen in diphosphate groups changes the geometry of Cu(II) and decreases acid–base interaction between oxide components in Cu₃(P₂O₆OH)₂, thus decreasing its thermodynamic stability.     

g-C3N4/Bi2O2CO32D纳米片复合材料的制备及可见光催化性能研究

采用自组装和化学沉淀法分别制得两种可见光驱动复合材料石墨相氮化碳/碳酸氧铋(g-C_3N_4/Bi_2O_2CO_3).采用X射线衍射光谱(XRD),紫外可见光谱、扫描电镜(SEM)、N_2吸附、电化学阻抗谱(EIS)和X射线光电子能谱(XPS)等分析手段对制备的催化剂进行了表征.结果表明,制备方法对纳米复合材料的晶相、形态及光学性能没有影响,但是影响g-C_3N_4和Bi_2O_2CO_3之间的相互作用力,导致光生电子-空穴对的分离速率存在显著差异.以可见光驱动苯酚和罗丹明B的降解实验为探针反应检测催化剂的光催化性能.实验结果表明自组装法得到的异质结催化剂中相互作用力更强,催化效果最高.O_2-是罗丹明B降解反应的主要活性物种,染料的光敏化、Bi_2O_2CO_3与g-C_3N_4综合效应,导致光生载流子电荷分离效率更高.     

Spectroscopic properties of guanidinium zinc sulphate [C(NH2)3]2Zn(SO4)2 and ab initio calculations of [C(NH2)3]2 and HC(NH2)3

Raman and FTIR spectra of guanidinium zinc sulphate [C(NH₂)₃]₂Zn(SO₄)₂ are recorded and the spectral bands assignment is carried out in terms of the fundamental modes of vibration of the guanidinium cations and sulphate anions. The analysis of the spectrum reveals distorted SO₄²⁻ tetrahedra with distinct S–O bonds. The distortion of the sulphate tetrahedra is attributed to Zn–O–S–O–Zn bridging in the structure as well as hydrogen bonding. The CN₃ group is planar which is expressed in the twofold symmetry along the C–N (1) vector. Spectral studies also reveal the presence of hydrogen bonds in the sample. The vibrational frequencies of [C(NH₂)₃]₂ and HC(NH₂)₃ are computed using Gaussian 03 with HF/6-31G* as basis set.     

SnO_2改性TiO_2对V_2O_5-WO_3/TiO_2催化剂结构和SCR性能影响

采用共沉淀法将SnO_2组分掺入到V_2O_5-WO_3/TiO_2催化剂载体TiO_2中,并通过多种物理化学手段,考察了不同SnO_2掺入量时对催化剂结构,表面分散物种和SCR性能影响.结果表明,SnO_2掺入到TiO_2中,元素Sn与Ti以Sn—O—Ti键形式相互作用,促进锐钛矿型TiO_2向金红石型TiO_2转变.在特定条件下,VO_x与WO_x物种和SnTi氧化物之间以V—O—Ti(Sn)和W—O—Ti(Sn)键形式相互作用,提高了VO_x物种可还原能力、促进了具有更多B酸酸量四面体WOx物种和V~(5+)物种生成.VW/SnTi催化剂表面VO_x物种与WO_x物种之间的相互作用更强.因此,VW/SnTi催化剂具有更好的SCR活性.     

EuZn2Si2 and EuZn2Ge2 Grown from Zn or Ga(ln)/Zn Flux

Single crystals of the novel ternary compounds EuZn₂Si₂ and EuZn₂Ge₂ were grown from pure gallium, indium, or zinc metal used as a flux solvent. Crystal properties were characterized using X-ray single-crystal analyses via Gandolfi and Weissenberg film techniques and by four-circle X-ray single-crystal diffractometry. The new compounds crystallize with ternary derivative structures of BaAl₄, i.e., EuZn₂Si₂ with ThCr₂Si₂-type (a=0.42607(2) nm, c=1.03956(5) nm, I4/mmm, R₁=0.038) and EuZn₂Ge₂ with CaBe₂Ge₂-type (a=0.43095(2) nm, c=1.07926(6) nm, P4/nmm, R₁=0.067). XAS and magnetic measurements on EuZn₂Si₂ and EuZn₂Ge₂ revealed in both compounds the presence of Eu²⁺ ions carrying large magnetic moments, which order magnetically at low temperatures. The magnetic phase transition occurs at T_N=16 and 7.5 K for the silicide and the germanide, respectively. In EuZn₂Si₂ there occurs a spin reorientation at 13 K and furthermore some canting of antiferromagnetically ordered moments below about 10 K. In EuZn₂Ge₂ a canted antiferromagnetic structure is formed just at T_N.