首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

射频磁控溅射制备MoS2薄膜及其储锂性能研究
引用本文:王丽秀,魏林,陶占良,陈军.射频磁控溅射制备MoS2薄膜及其储锂性能研究[J].无机化学学报,2013,29(18).
作者姓名:王丽秀  魏林  陶占良  陈军
作者单位:南开大学先进能源材料化学教育部重点实验室, 化学化工协同创新中心, 天津 300071;南开大学先进能源材料化学教育部重点实验室, 化学化工协同创新中心, 天津 300071;南开大学先进能源材料化学教育部重点实验室, 化学化工协同创新中心, 天津 300071;南开大学先进能源材料化学教育部重点实验室, 化学化工协同创新中心, 天津 300071
基金项目:973计划(No.2011CB935900);国家自然科学基金(No.21231005、51231003);天津科技计划(No.12ZCZDJC35300、13JCQNJC06400)和先进能源材料化学“111计划”资助项目。
摘    要:采用射频磁控溅射法,在Ar气-H2S混合气氛中,以MoS2靶材为原料,在泡沫铜基底上制备了MoS2薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Raman光谱、扫描电子显微镜(SEM)、能量弥散X射线谱(EDS)等手段对样品的结构、形貌和成分进行了表征,并探讨了靶功率和基底温度对MoS2薄膜的结构及形貌的影响。结果表明,靶功率的增加可以提高薄膜结晶度,但功率过高会造成薄膜的龟裂;基底温度升高会使MoS2薄膜结晶度明显提高,且形成蠕虫状形貌。靶功率为80W,基底温度为300℃时,可以制备得到具有较高结晶度的蠕虫状MoS2薄膜。对其进行充放电测试表明,在100mA·g-1的电流密度下,其首次放电比容量为980mAh·g-1,经过40周循环,容量可保持为约920mAh·g-1,容量保持率达到93.9%。

关 键 词:MoS2薄膜  射频磁控溅射  锂离子电池

Lithium Storage Performance of MoS2 Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering
WANG Li-Xiu,WEI Lin,TAO Zhan-Liang and CHEN Jun.Lithium Storage Performance of MoS2 Thin Films Deposited by RF Magnetron Sputtering[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(18).
Authors:WANG Li-Xiu  WEI Lin  TAO Zhan-Liang and CHEN Jun
Institution:Key Laboratory of Advanced Energy Materials Chemistry-Ministry of Education, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin 300071, China;Key Laboratory of Advanced Energy Materials Chemistry-Ministry of Education, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin 300071, China;Key Laboratory of Advanced Energy Materials Chemistry-Ministry of Education, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin 300071, China;Key Laboratory of Advanced Energy Materials Chemistry-Ministry of Education, Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering, Nankai University, Tianjin 300071, China
Abstract:
Keywords:MoS2 thin film  RF magnetron sputtering  Li-ion battery
点击此处可从《无机化学学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《无机化学学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号