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针对锥形半导体激光器中的脊形波导区宽度较小的问题,对半导体激光芯片制造中的刻蚀标记及刻蚀方法进行了研究。提出对于锥形半导体刻蚀中的脊型区域和锥形区域,采用不同精度的双标记刻蚀方法,细化对脊形波导和锥形波导的刻蚀中的对准问题,并使光刻标在不同的光刻版上相错位排列,在相应光刻版中相互遮挡,反复刻蚀中保证相应的光刻标清晰、完整。刻蚀后的芯片在电流为7 A时获得了中心波长963nm、连续功率4.026 W、慢轴方向和快轴方向激光光束参数乘积分别为1.593 mm·mrad和0.668 mm·mrad的激光输出。 相似文献
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三种不同端面光纤列阵和半导体激光列阵耦合的(数值)模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
半导体激光列阵的输出光束有较大的发散角和较强的不对称性,极大地限制了其在各领域中的应用。为了改善半导体激光列阵输出光束的质量,必须采用特殊的光学系统进行光束整形。一种简单有效的方法是利用光纤列阵实现光束由线性排列到圆形排列的转换。对三种特殊制备的光纤列阵和半导体激光列阵的耦合特性进行了数值模拟研究。结果显示,相对于球形端面光纤列阵和锥形端面光纤列阵,球顶锥形端面光纤列阵和半导体激光列阵有着更高的耦合效率(90%以上)。此外,利用球顶锥形端面光纤列阵还可以进一步压缩输出光束的发散角,从而获得更高质量的输出光束。 相似文献
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为了稳定半导体激光器激射光束在光纤传输过程的耦合效率,提出一种沟槽结构的半导体激光器,并对该结构激光器的光束、耦合效率及P-I特性进行研究。在普通条形半导体激光器的脊形区刻蚀了周期性的沟槽结构,来改善半导体激光器有源区的增益分布。通过对比普通结构与沟槽结构半导体激光器的光束分析,测试其耦合效率以及P-I特性。结果表明:沟槽结构的半导体激光器能够使光腔内模式更加稳定,输出光束更加集中,并避免了"Kink"效应的发生;与此同时,耦合效率提高至97.7%,并且较普通结构激光器更为稳定。沟槽结构半导体激光器有效地解决了光斑跳动问题,稳定了激光器的耦和效率。 相似文献
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大截面单模半导体脊形交叉波导传输特性 总被引:8,自引:4,他引:4
运用光束传播法和有效折射率法分析了大截面单模半导体脊形交叉波导结构的传输特性,对Y形,X形和加宽X形结构进行了比较。结果表明,在小交叉角时,三种结构具有相似的传输特性;在大交叉角时,它们表现出较大的差异。而在Y型结构中,不存在模式干涉。 相似文献
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为了获得具有更高输出功率和良好光斑分布均匀性的半导体激光光源,根据半导体激光优良的偏振特性,利用偏振分光棱镜将2束大功率激光束合成为一束更大功率的光束,通过一个发射系统投射。在光束合成前采用非球面光学系统对每个激光器慢轴方向的光束进行扩束,使其与快轴方向光束发散角基本一致。实验证明,此种半导体激光复合光源具有良好的光斑均匀性,其输出功率是2个半导体激光器输出功率之和,完全满足激光制导等军用系统对激光功率和光斑均匀性的要求。 相似文献
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近年来,水平腔面发射半导体激光器具有高功率、高光束质量及易封装集成等优良性能,已成为激光器领域的研究热点。本文详细阐述了几种水平腔面发射半导体激光器的结构设计、工作原理以及激光输出特性,并对该激光器国内外最新研究进展与发展现状进行了总结和论述。在此基础上,对该激光器的研究方向和发展趋势进行了分析与展望。目前,水平腔面发射半导体激光器的激光输出功率可达瓦级,美国Alfalight公司引入曲线形光栅的单一发射器输出功率可达73 W。随着应用领域的不断拓展,中远红外波段水平腔面发射激光器将成为未来的研究焦点。 相似文献
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Helena Odriozola J. M. G. Tijero I. Esquivias L. Borruel A. Martín-Mínguez N. Michel M. Calligaro M. Lecomte O. Parillaud M. Ruiz M. Krakowski 《Optical and Quantum Electronics》2008,40(14-15):1123-1127
Numerical simulations have been used to produce advanced designs of high brightness gain guided tapered lasers emitting at 1,060 nm. The simulations predicted high modulation efficiency in devices with separate contacts and low front facet reflectivity. The devices fabricated following these design guidelines demonstrated high internal quantum efficiency in Broad Area lasers, output power of 3 W with good beam quality in tapered lasers with common contacts, and modulation efficiencies up to 20 W/A in tapered lasers with separate contacts, in good agreement with the simulation predictions. 相似文献
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Amire Seyedfaraji Vahid Ahmadi Mahyar Noshiravani 《Optical and Quantum Electronics》2013,45(5):401-410
A comprehensive model is presented to study quantum well tapered lasers and quantum well stripe lasers with profiled reflectivity output facets and to obtain lateral stability in high power semiconductor laser. Simulation of semiconductor lasers is performed by numerically solving space-dependent coupled partial differential equations for the complex optical forward and backward waves, carrier density distribution and temperature distribution. The coupled equations are solved by finite difference beam propagation method. The effect of nonlinear parameters like Kerr and linewidth enhancement factors, and precise dependence of linewidth enhancement factor and gain factor on the carrier density and temperature are considered in this paper. We use modal reflector in stripe lasers to confine the lateral mode to the stripe centre and provide the stable operation. We also use unpumped window to reduce the facet temperature and improve the catastrophic optical mirror damage level of tapered lasers. 相似文献
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Luis Borruel Helena Odriozola José M. G. Tijero Ignacio Esquivias Slawomir Sujecki Eric C. Larkins 《Optical and Quantum Electronics》2008,40(2-4):175-189
The basic operating principles of gain guided tapered lasers are studied in detail by means of numerical simulations. The carrier induced lensing effect caused by spatial hole burning is described as the main mechanism limiting the device performance. The influence of the following design parameters in the maximum output power and beam brightness is analyzed: refractive index step of the ridge waveguide section, angle and length of the tapered section, and the use of beam spoilers. The results provide design guidelines for improving the device performance. 相似文献