受压矩形截面柱在塑性阶段的缺陷敏感性分析

对加载到塑性阶段的矩形截面柱，本文研究了几何缺陷对屈曲的影响，在分析中考虑了弹性卸载的影响，求出了荷载、缺陷大小及分叉模态幅值之间的精确渐近关系式，结果表明在塑性阶段最大承载力对小缺陷非常敏感，但当缺陷大小达到某一值后，可能不存在最大载荷。     

分布式抽运连续光纤激光器研究

为了避免高功率光纤激光器中光纤端面出现热效应问题,依据多点级联结构的耦合器,对分布式抽运的光纤激光器进行了研究。首先,介绍了实验室自主研制的级联耦合器。然后,分析了耦合器插入对光纤激光器的影响。最后,选用自制的耦合器搭建了分布式抽运的光纤激光器。实验结果表明:对耦合器插入损耗的研究,能够促进高功率级联耦合器的实现。在光纤激光器结构中,975 nm泵浦功率注入1.1 k W时,1 080nm激光功率输出为770 W,光-光转换效率为77%。在主控振荡功率放大结构中,激光功率输出为635 W,放大级的光-光转换效率为78%。分布式抽运方式可以使泵浦光多点注入,避免了热量的集中,能够获得千瓦级的激光功率输出。     

不同周期数的GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池

为了研究不同量子阱周期数下GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律,利用金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱双结结构的参考样品,利用高分辨率X射线衍射仪(HXRD)和高分辨率透射电镜(TEM)测试了样品的晶体质量,同时在AM0(1×)光谱条件下测试了样品的I-V特性曲线和相应子电池的外量子效率。最终得到了高晶体质量、吸收截止波长在954 nm的Ga_(0.89)In_(0.11)As/GaAs_(0.92)P_(0.08)多量子阱结构,扩展波段的外量子效率最高达到75.18%,电池光电转换效率相对于无量子阱结构提升2.77%。通过对比测试结果发现,随着量子阱结构周期数的增加,太阳能电池在扩展波段(890~954 nm)的外量子效率不断提高,常规波段的短波响应(300~700 nm)会出现下降,长波响应(700~890 nm)会出现上升,短路电流和转换效率相应提升并趋于饱和。     

IMPERFECTION SENSITIVITY ANALYSIS OF A RECTANGULAR COLUMN COMPRESSED INTO THE PLASTIC RANGE

I.IntroductionSinceelasticunloadingoccursinthedeformationprocess,theimperfectionsensitivityanalysisofstructuresloadedintotheplasticrangeismuchcomplicated.TheproblemisfirststudiedintheorybyHutchinson(1973,1974)l"ZI.HeusedKoiter'stheorytoanalysethebehaviorpriortotheonsetofelasticunloadingandtoobtaintheloadandthedisplacementatwhichelasticunloadingbegins.NeedlemanandTvergaard(1982)l'jpresentedananalysisofimperfeCtionsensitivityintheplasticrangethatignoreselasticunloading,thatis,substituteshypo-…     

高精度单晶硅挠性摆式加速度计组件的工程化实现

针对单晶硅挠性摆式加速度计的高精度工程化应用需求,设计了加速度计组件及温控系统。针对大多数温控系统工作时的瞬时电流较大问题,设计了一种带抽头的加热片,将温控分为粗温控和精温控两个阶段,不同阶段采用不同的加热电阻。测试结果表明,设定目标温度为60℃,当外界环境温度从5℃到55℃变化时,温控系统到温时间小于15 min,控温精度小于±0.1℃,精温控时的最大电流为粗温控时的33.4%。连续15天通电实验表明,该组件的加速度计刻度系数K1稳定性小于10×10~(-6),偏值K0稳定性小于10μg,满足各类高精度、工程化的应用需求。     

热容型大功率半导体激光器瞬态热特性

为研究热容型大功率半导体激光器在低环境温度、高瞬时功率、长工作间歇时间条件下的应用,建立三维瞬态热传导模型,通过有限元法计算得出热沉三维尺寸对半导体激光器瞬态热特性的影响。选取尺寸为26.6 mm×11.5 mm×4 mm的热沉进行热容型半导体激光器的封装测试,获得其在-20℃和-30℃环境温度下连续工作3.5 s过程中有源区温度随时间的变化曲线,并与数值计算的结果进行对比。结果表明,两者在误差范围内能够很好地吻合。     

808 nm大功率半导体激光器腔面膜的制备

采用等离子体辅助电子束蒸发方法在808 nm大功率量子阱半导体激光器腔面设计镀制了HfO₂/SiO₂系前后腔面膜. 用直接测量法测量并比较了各种常用膜系的相对损伤阈值. 增透膜的反射率为12.2％,高反膜的反射率为97.9％. 对于100 μm条宽、1000 μm腔长的条形结构通过器件测量结果是出光功率提高79％、外微分量子效率提高80％、功率效率由没镀膜之前的22.2％提高到镀膜之后的39.8％.     

PLASTIC POST－BUCKLING OF A SIMPLY SUPPORTED COLUMN WITH A SOLID RECTANGULAR CROSS－SECTION

ＰＬＡＳＴＩＣＰＯＳＴ－ＢＵＣＫＬＩＮＧＯＦＡＳＩＭＰＬＹＳＵＰＰＯＲＴＥＤＣＯＬＵＭＮＷＩＴＨＡＳＯＬＩＤＲＥＣＴＡＮＧＵＬＡＲＣＲＯＳＳ－ＳＥＣＴＩＯＮＣｈｅｎｇＹａｏｓｈｕｎ（程尧舜）（ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｔｒｕｃｔｕｒａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎ...     

Hutchinson模型的塑性后分叉和缺陷敏感性

本文通过对Ｈｕｔｃｈｉｎｓｏｎ模型的初始塑性后分叉和缺陷敏感性的分析，介绍了一个分析塑性后屈曲的一般方法，这一方法非常类似Ｋｏｉｎｔｅｒ的弹性后屈曲理论。用这一方法分析缺陷敏感性和初始后分叉的过程是一致的，所得展开在渐近的意义上是精确的，和数值解符合得相当好。