半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理，采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低用品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单，对有效光子状态密度调制较大，是比较理想的半导体微腔激光器。     

液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５～３５ｎｍ。宽接触分别限制双异质结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００～８００Ａ／ｃｍ２。     

GaAs-(AlGa)As大光腔激光器

用液相外延法研制了GaAs-(AlGa)As大光腔激光器,并给出它的一些主要参数如脉冲光功率、光束发散角、波长、外微分量子效率等的测试结果.     

增益导引锁相列阵激光器实验及波导分析

用液相外延方法制做了十五个氧化物条形半导体激光器集成在一起的耦合多条形激光器,实现了锁相工作,脉冲峰值功率为4W/plane(300ns,5kHz).在对单条形激光器的模式特性完成数值分析的基础上,运用耦合模理论,对耦合多条形激光器的波导特性进行了数值分析和计算,计算结果和实验基本一致.     

液相外延生长超薄有源层AlxGa1—xAs／GaAs分别限制双异质结构激…

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５－３５ｎｍ。宽接触分别限制双异结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００－８００Ａ／ｃｍ＾２。