半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理，采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低用品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单，对有效光子状态密度调制较大，是比较理想的半导体微腔激光器。     

940nm激光二极管泵浦Yb∶YAG晶体产生蓝光

近来 ,940ｎｍ激光二极管泵浦Ｙｂ∶ＹＡＧ晶体产生 1 0 30ｎｍ受激发射十分引人注目。已经研制了1 0 30ｎｍ高功率Ｙｂ∶ＹＡＧ激光器。我们进行了 940ｎｍ激光二极管泵浦Ｙｂ∶ＹＡＧ棒状晶体的实验 ,图 1是实验装置的示意图。泵浦源的脉冲功率为 2 6Ｗ ,脉冲宽度为 2 0 0 μｓ,重复频率为 1 0 0Ｈｚ。棒状晶体的尺寸是Φ2ｍｍ× 3ｍｍ ,掺杂浓度为 1 0ａｔ .% ,采用端面泵浦方式。我们观察到了 485ｎｍ的蓝光发射 ,发射光谱如图 2。我们还采用了相同掺杂浓度的Ｙｂ∶ＹＡＧ片状样品 ,其尺寸是 1 2ｍｍ× 1 0ｍｍ× 1ｍｍ ,得到了同样的实…     

量子阱半导体激光器阈值的理论分析

分析了单量子阱(SQW)、多量子阱(MQW)和分别限制异质结构量子阱(SCH-SQW)半导体激光器的阈值.求出了表示光增益随注入载流子密度变化的方程.利用这个结果,得到了上述三种量子阱半导体激光器的阈值电流密度的表达式.     

940nm激光二极管泵浦Yb:YAG晶体产生蓝光

近来, 940nm激光二极管泵浦Yb:YAG晶体产生1 030nm受激发射十分引人注目.已经研制了1 030nm高功率Yb:YAG激光器.     

双稳态半导体激光器的理论分析

本文对双稳态半导体激光器的滞后回线进行了理论分析。首先讨论了增益和损耗特性,然后根据阀值条件求出了基本公式。利用这个基本公式,可以定量描述滞后回线及其温度关系。我们还以GaAs-AlGaAs器件为例进行了典型计算。