利用具有轨道角动量的光束实现微粒的旋转

采用扭转柱面镜光学系统将半导体激光抽运固体激光器产生的厄米高斯光束变换成为具有轨道角动量的扭转对称光束.利用该光束具有的轨道角动量特性研制成功了“光学扳手”， 利用“光学扳手”实现了对微米量级微粒的俘获和旋转. 关键词： 轨道角动量 扭转对称光束 光学扳手 光束变换     

光纤环形镜线形腔掺Er3+光纤激光器输出特性的数值分析

在分析光纤环形镜工作原理的基础上,给出了基于光纤环形镜的线形腔掺Er3+光纤激光器相位和幅度的振荡条件.通过求解速率方程,理论分析了其输出特性,获得了稳态条件下激光器输出功率、阈值泵浦功率和斜率效率的解析表达式.推导出激光器工作所需掺Er3+光纤最短长度,并在给定泵浦光功率时,在特定输出波长上获得最大输出功率所需最佳掺Er3+光纤长度的表达式,且通过实验进行了验证.     

电磁脉冲模拟器前后过渡段锥角设计

 采用矩量法并结合快速多极子方法，对电磁脉冲模拟器内部场波形进行了数值计算，寻找过渡段结构与电磁脉冲波形等的关系，从理论上对模拟器前后过渡段的锥角进行了优化。结果表明：存在前后过渡段的结构都会激起场强沿传播方向的分量；前过渡段主要对工作区域场波形的上升沿产生影响，当前锥角减小时，场波形的上升时间先减小再缓慢增加；后过渡段主要对场波形的衰减部分产生影响，使场波形的衰减部分随着后锥角的增大而产生严重畸变。最终优化设计的电磁脉冲模拟器前过渡段的锥角为15°，后过渡段的锥角为20°，其仿真得到的波形较光滑，没有出现振荡及明显的畸变。     

雷电回击参数对回击电磁场计算的影响研究

 基于BG，TL，MTLL，MTLE和TCS 5种模型，研究了雷电回击通道高度、回击速度和大地电容率对雷电回击电磁场的影响。计算中5种模型采用相同的通道基电流波形，通过计算总结了几种参数对回击电磁场的影响。     

阵列半导体激光器的光束参数测量与光纤耦合

采用ISO推荐的方法测量了发光面为 1μm× 15 0 μm的阵列半导体激光器的光束半径、远场发散角、束腰位置、瑞利长度 ,并根据测量结果计算了光束传输因子 (M2 因子 )。以此为基础 ,研究了半导体激光器光束的快轴准直以及光纤耦合技术 ,采用微柱面透镜准直后 ,阵列半导体激光器快轴方向发散角可减小到 0 .48°。设计了光纤耦合光学系统 ,与 10 0 μm光纤耦合时的耦合效率为 71.0 % ,与 2 0 0 μm光纤耦合时的效率为 83.4%。     

像散光束的光束参数与光强二阶矩的关系

采用光束的二阶强度矩的方法讨论三维像散光束的光束特性。通过计算像散光束在自由空间、球面光学系统中的传输特性以及坐标系旋转时的变换特性 ,给出了光束的束腰位置、束腰半径、瑞利长度、有效波面曲率半径、近场和远场的方位角、光束的光束参数积等参数与光强二阶矩之间的关系。     

光束的轨道角动量及其与光强二阶矩的关系

从任意光场的波函数出发,研究了光束的轨道角动量特性,证明了轨道角动量不仅存在于Laguerre-Gauss光束中,而且存在于任何具有角向结构分布的光束中.通过计算光场的二阶矩参量,给出了光束的轨道角动量与光束的二阶强度矩y>, x>的关系.以任意像散Gauss光束为例,计算了该光束的轨道角动量与光束参数间的关系.     

微波辐照对无线电引信的影响与作用机理

 选择某型集成电路无线电近炸引信，从勤务处理状态和工作状态两方面，研究了无线电引信的微波辐照效应，确定了被试无线电引信的微波辐照损伤阈值范围在140~150 kW/cm²之间，误炸阈值在100 kW/cm²左右。微波辐照通过前门耦合导致无线电引信的高频振荡管和低频组件产生硬损伤，通过直接作用于起爆执行电路使处于工作状态的无线电引信出现误炸。     

双包层掺Yb3+光纤激光器的关键技术

大功率光纤激光器作为第三代激光器的代表,在激光加工和激光武器方面有着重要应用.介绍了掺Yb3+光纤激光器的发展历程,理论上分析了光纤激光器的泵浦阈值和输出功率,讨论了实验过程中涉及到的大功率LD泵浦、光纤耦合和双包层光纤等关键技术,为同类激光器的改进设计和深入研究提供参考.     

高精度激光参数测量系统中衰减系统的研究与评价

 分析了楔形镜和中性玻璃衰减片组对光束的衰减原理，采用反射式楔形镜作为无像差定量衰减器，并同时使用中性玻璃衰减片组微调光束能量。实验测量了LD泵浦激光模式发生器基模和高阶模条件下激光束的M­²因子,结果表明：楔形镜反射式衰减器对光束质量无显著影响，将楔形镜第一次表面反射作为无像差定量衰减，入射角在0~55°范围内，单棱镜表面反射光束能量为入射光能量的4.3%，通过多块组合可以得到更大的衰减；可采用中性玻璃衰减片组对激光光束的衰减进行精细控制，使其满足CCD探测器动态范围要求。该结论可为高精度激光参数测量装置光衰减系统的研制提供理论依据。