HL－1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

HL—1M托卡马克硼化实验的杂质辐射特性

文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。     

三乙基铟中杂质元素的ICP─AES测定

研究了基体铟对１５种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰，采用基体匹配－电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的１５种杂质元素。样品分析方法的检出限大部分低于１μｇ／ｇ，相对标准偏差均小于２％。     

三乙基铟中杂质元素的ICP—AES测定

研究了基体铟对１５种杂质分析元素谱线的背景影响和光谱谱线干扰。采用基体匹配－电感耦合等离子体发射光谱法测定了三乙基铟中的１５种杂质元素。样品分析方法检出限大部分低于１μｇ／ｇ，相对标准偏差均小于２％。     

铅黄铜合金中痕量元素定量分析的激光诱导击穿谱研究

实验上研究了最佳实验条件下铅黄铜合金中Ni，Fe两种杂质元素的LIBS分析谱线，在氦气、氩气、空气和真空等4种环境中，测定了Ni，Fe两种杂质元素分析中的LIBS定标曲线，定标曲线的拟合标准偏差在0.02—0.08范围内. 关键词： 激光诱导击穿谱 定标曲线 定量分析 铅黄铜合金     

杂质元素特征X射线对氢气放电源打靶新谱线的影响

 在氢气放电源打靶的实验中,测到了系列能量恒定不变的低能X射线新谱线,这些新谱线的能量分别为(1.70±0.10) keV, (2.25±0.07) keV,(2.56±0.08) keV,(3.25±0.10) keV和（3.62±0.11） keV,与Si,Ta,S,Cl,K和Ca等元素的特征X射线能量相近,但靶中所含的杂质或来自放电室的杂质元素可能会产生这些能量的X射线谱峰,证实新谱线是否由这些元素的特征X射线干扰所致显得尤为重要。分析了本实验系统中各种杂质的可能来源,论证了放电室端杂质对新谱线的影响,及靶材料中体杂质和面杂质对新谱线的影响;用X射线光电子能谱仪对靶做了表面分析。研究结果表明：杂质元素的特征X射线不会对氢气放电源打靶产生的新谱线有影响。这些新谱线的性质有待进一步的实验研究。     

ICP—AES直接测定钨产品中杂质元素

本文通过实验详细研究了钨产品中钨基体对杂质元素突出谱线的光谱干扰情况及基体效应，选择了基本步受钨基体干扰的待测元素的分析谱线并利用单纯型加速法优化ＩＣＰ操作条件，建立了一种快速分析钨产品杂质元素的ＩＣＰ－ＡＥＳ法，用本法测定了三氧化钨标准样ＢＹＧ１２０１－２，３，４号样）结果表明所建立的方法灵敏、快速和可靠。     

靶材料杂质影响新谱线产生的实验验证

 为了验证氢气放电源打靶产生的新谱线不是靶杂质的特征谱线,完成了5项检验实验。其中屏蔽实验和强电子辐照靶的实验证实了新谱线不是来自放电室中的杂质形成的;靶的打磨实验表明靶表面的污染杂质也不能产生新谱线,形成共振峰的实验和新谱线强度随放电电压变化规律的实验结果都证明靶的总杂质不影响新谱线的测量。     

摄谱比较法测定钢中杂质铬、镍

目前机械工厂在分析钢中杂质 Cr、Ni 时,大部分采用摄谱测量法、看谱法或化学法。本文提出的摄谱比较法是综合了摄谱测量法和看谱法的优点,即利用在中型摄谱仪上以交流电弧作光源摄谱分析钢中其它合金元素时同时摄下杂质 Cr、Ni 分析线组,然后进行强度评     

ICP-AES法测定高纯氧化铕中微量稀土和非稀土杂质时光谱干扰的消除及分析条件的优化

本文提出了ＩＣＰ－ＡＥＳ直接同时测定高纯氧化铕中１４个稀土和２０个非稀土杂质元素的分析方法。着重考察了铕基体对分析元素的基体效应，谱线干扰及背景影响等情况。用标准加入法测出氧化铕基准中的微量杂质元素，消除了由于忽略基准中的杂质元素的含量给分析测定带来的误差。同时对仪器的工作条件进行了优化。     

EAST边界和芯部杂质谱线的时间延迟研究

边界杂质注入是未来聚变装置ITER用于增强边界辐射，减少第一壁热负荷的一种重要方法。但部分注入的杂质会被输运到芯部，造成主等离子体辐射损失以及约束下降。光谱观测可以获取杂质种类、含量和分布等信息，在理解等离子体中杂质输运方面起着重要作用。在EAST（experimental advanced superconducting tokamak）偏滤器氩气（Ar）注入实验中，利用偏滤器可见光谱和芯部极紫外光谱监测边界的Ar1+离子谱线Ar Ⅱ(401.36 nm)和芯部的Ar15+离子谱线Ar ⅩⅥ(35.39 nm)，并获得两者强度随时间的变化。其中，Ar Ⅱ和Ar ⅩⅥ的电离能分别为27和918 eV，因此，Ar Ⅱ和Ar ⅩⅥ分别对应分布于等离子体边界和芯部Ar离子。为了分析二者谱线强度随时间变化的特征，发展了一种基于正则Pearson积矩相关系数的相关分析方法，计算得到两者谱线强度变化的相对延迟时间，以此表征杂质从边界向芯部输运的时间。结果显示，偏滤器注入Ar杂质后，芯部Ar ⅩⅥ辐射增长滞后于边界Ar Ⅱ辐射的增长，并且在具有较高的低杂波加热功率的放电中，两者的延迟时间较长，表明较高的低杂波加热功率可以延长杂质从边界向芯部输运的时间。     

HT–6M托卡马克表面加热实验中的光谱现象

 HT–6M表面加热实验中实现了H模式放电。分析了Ha 谱线，C III和O II谱线在L-H和H-L模转化过程中的变化情况，讨论了边界条件、粒子循环、杂质循环对L-H和H-L转化以及对H模的影响。     

采用数字信号处理的复合材料超声谱分析

在一块玻璃比例不氧树脂复合材料板的热压固化过程中，人为加进不同种类，大不及放入深度的薄膜片，并预置一定大小的裂纹，分别利用反射法和地获取回流，并对其高速采样及截取，然后进行幅度谱，相位谱，功率谱，相关谱，自相关函数及互相关函数平方包络提取的分析，获得了一些针对不同预置杂质，缺陷的特征。     

人工神经网络用于有机环境污染紫外光谱库检索

本文将人工神经网络（ＡＮＮ）用于有机环境污染物紫外光谱库检索。对该神经网络的参数优化作了讨论。并用ＡＮＮ对噪声、杂质等因素的影响作了详细的考察。为了提高紫外光谱的分辨，本文提出用光谱作ＡＮＮ训练和检索，使网络的收敛速度明显加快，对检验光谱中杂质的容允程度明显增加。本文还将ＡＮＮ与传统的相关系数法作了比较。结果表明，ＡＮＮ法在抗噪声和杂质等方面明显优于相关系数法。     

人工神经网络用于有机环境污染物紫外光谱库检索

本文将人工神经网络（ＡＮＮ）用于有机环境污染物紫外光谱库检索。对该神经网络的参数优化作了讨论。并用ＡＮＮ对噪声、杂质等因素的影响作了详细的考察。为了提高紫外光谱的分辨，本文提出用导数光谱作ＡＮＮ训练和检索，使网络的收敛速度明显加快，对检验光谱中杂质的容允程度明显增加。本文还将ＡＮＮ与传统的相关系数法作了比较。结果表明，ＡＮＮ法在抗噪声和杂质等方面明显优于相关系数法。     

HL—1装置低杂波驱动,靶丸注入,ECRH实验的杂质行为研究

本文叙述了在ＨＬ－１装置上利用真空紫外光谱测量系统，通过观测低杂波驱动，靶丸注入，ＥＣＲＨ和高密度氦放电的杂质辐射，研究杂质的行为，产生和输运等特性。     

单一杂质半导体费米能级的普适公式

利用电中性条件，导出了掺单一杂质半导体费米能级的谱适公式，在具体应用时可作相应简化。     

掺杂PVK薄膜的荧光谱及电荷转移

根据PVK掺杂后荧光谱的变化，说明掺杂PVK薄膜的电致发光存在着从基质分子向掺杂分子的能量传递，用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量进行数值求解，结果表明：在PVK和杂质分子之间有效的能量传递是源于它僮之间的电荷转移，且随着杂质浓度的变化，其荧光谱峰位的移动与掺杂前后系统总能量的改变及荧光谱强度与掺杂后转移的电荷数之间分别存在对应关系。该模型较好地解释了有关的实验结果。     

极紫外波段Ar光谱分析在EAST偏滤器杂质屏蔽效应研究中的应用

在托卡马克偏滤器区域充入杂质气体是检验偏滤器杂质屏蔽效应的重要手段。利用快速极紫外EUV光谱仪对EAST托克马克装置上开展的偏滤器Ar杂质注入实验进行观测。结合NIST原子光谱数据库对2～50 nm范围内不同电离态Ar的线光谱进行了谱线识别,识别出Ar Ⅳ,Ar Ⅸ-Ⅺ,Ar ⅩⅣ-ⅩⅥ等若干个电离态的谱线。为了同时观测等离子体不同区域的Ar杂质行为,在杂质注入实验时重点监测Ar ⅩⅥ35.39 nm(Ar ⅩⅥ电离能918.4 eV,主要分布在等离子体芯部)和Ar Ⅳ44.22 nm(Ar Ⅳ电离能9.6 eV,主要分布在等离子体边界)这两条谱线。利用该两条谱线强度随时间演化的结果初步分析了偏滤器杂质屏蔽效应。在同一充气口不同等离子体位形下的实验结果表明偏滤器对于从偏滤器区域注入Ar杂质的屏蔽效果优于从主等离子体区域注入,并且下偏滤器及内冷泵的综合粒子排除能力优于上偏滤器。     

掺杂金刚石薄膜的缺陷研究

利用多普勒增宽谱和电子顺磁共振研究了掺硼和掺硫金刚石薄膜的缺陷状态.多普勒增宽谱的结果表明，不同杂质元素掺杂的金刚石薄膜，其中使正电子湮没的缺陷种类是相同的；正电子与不同杂质元素硼、硫之间的相互作用不明显；少量硼可使金刚石膜中的空位浓度减少.EPR结果表明，各掺杂样品的顺磁信号主要来自于金刚石的碳悬键. 关键词： 金刚石 掺杂 多普勒增宽谱 电子顺磁共振