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1.
在HL-lM装置上利用激光吹气技术,在等离子体边缘瞬态注入少量Al杂质粒子,通过对真空紫外光谱和软X射线区的杂质辐射测量,分别研究了欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下,Al杂质粒子输运与约束特性。结果表明：在欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下,等离子体中心区,在没有MHD锯齿震荡和有MHD锯齿震荡非锯齿破裂期间,杂质粒子输运基本上受新经典规律支配;在有MHD锯齿震荡锯齿破裂期间,杂质粒子输运受MHD不稳定性支配,但其时间很短(通常小于300μs),所以在这种情况下,杂质粒子输运的平均效应比新经典值稍大。而约束区杂质粒子输运则比新经典的值大很多,是反常的。在一定条件下低混杂波电流驱动可以改善等离子体粒子约束。 相似文献
2.
塞曼效应与边缘离子温度的光谱测量 总被引：1，自引：0，他引：1
通过理论推导得到了谱线实际宽度和塞曼展宽之间的关系。在磁感应强度分别为1、2、2．5和3T的情况下，用数值方法进行了求解，用得到的结果拟合出了校正因子随离子温度变化的经验公式和拟合曲线，结果表明：离子温度较低时，塞曼效应对谱线宽度的影响很大，温度较高时，塞曼效应对谱线宽度的影响可以忽略。 相似文献
3.
文中叙述了ＨＬ－１Ｍ托卡马克硼化真空紫外光谱区杂质辐射的观测结果。分析得出：硼化有效地控制等离子体中的杂质，其中，氧杂质减少约６５％，碳杂质减少约６０％，金属杂质减少约８５％。 相似文献
4.
杂质作为等离子体和第一壁相互作用的产物，由于能强烈地影响等离子体品质而一直是人们关注的焦点之一。杂质作为托卡马克中热辐射和冷电子的来源，影响等离子体能量和粒子的平衡，进而影响等离子体密度、温度和电流的分布，制约着托卡马克等离子体的输运和稳态运行。 相似文献
5.
在2004年的实验中，首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理，在这种硅化器壁的条件下，对轻重杂质的线辐射进行了研究，并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中，通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗，研究了硅化对氢再循环的影响。 相似文献
6.
采用遗传算法模拟了Dα 的光谱轮廓, 模拟曲线与实验中观察到的轮廓符合得非常好。分析模拟的结果表明, 在HL- 1M 装置边缘等离子体中, 存在一种H 粒子群和三种D 粒子群, 它们有各自的温度和粒子数比例。 相似文献
7.
给出了HL－1M装置放电实验中杂质线辐射的测量结果。氢分子束注入, 子体电子密度n。明显提高,而杂质浓度大大降低。对应于分子束注入脉冲,分子束的“团族”效应引起了杂质辐射峰化时间的错位。 相似文献
8.
本文叙述用掠入射谱仪在HL-1装置上所做的真空紫外光谱测量。根据杂质谱线的相对强度变化,说明可动石墨孔栏和蒸钛技术对控制等离子体杂质有一定效果。通过分析谱线、软X射线和m=2模式信号扰动之间的关系,指出杂质对等离子体不稳定性的影响。 相似文献
9.
等离子体-壁相互作用通过各种机制释放粒子，主等离子体中杂质的数量限制了装置的性能。要深入认识杂质释放的机制，测量和分析粒子通量非常重要。文献[1]中详细描述了用光谱方法测量托卡马克等离子体中来自局部表面的向内的杂质通量，文献[2]报道了用这种方法测定ASDEX装置ICRF加热条件下向内的铬的通量。 相似文献
10.
The divertor configuration was successfully formed and the siliconization as
a wall conditioning was first achieved on HL-2A tokamak experimentally in
2004. The divertor configuration is reconstructed by the use of the CFC
code. Impurity as an important issue is investigated in the experiments with
divertor configuration and wall conditioning. Impurities dramatically
decrease after both the divertor configuration is formed and silicon is
coated on the surface of the vacuum vessel. 相似文献