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高临界温度(Tc)氧化物超导体的研究日新月异。作为高Tc超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延(MBE)作为一项高级精密的真空镀膜技术,也跟其它镀膜技术一样,在高Tc超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体MBE研究方面的工作,对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍,并对该领域未来的发展作一些展望 相似文献
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高临界温度(Tc)氧化物超导体的研究日新月异。作为高Tc超导研究重要组成部分的氧化物超导薄膜物理和技术也得到了飞速发展。分子束外延(MBE)作为一项高级精密的真空镀膜技术,也跟其它镀膜技术一样,在高Tc超导薄膜的研究中发挥了独特的作用并取得了许多重要成就。本文结合作者近年来在高温超导体MBE研究方面的工作,对这一新兴领域的进展和概况作一综述性介绍,并对该领域未来的发展作一些展望 相似文献
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研究了Gd_(1-x)Ca_xBa_2Cu_3O_(7-y)(0.0≤X≤0.20)高温超导体在常压和高压下的超导电性在1-300K温度范围内,利用Bridgman对顶砧获得压力达9.0GPa,测量了(X=0.10,0.15,0.20)样品的dT_c/dp分别为7.68,7.8和4.46K/GPa。发现T_c的压力导数随着ca ̄(2+)含量的增加而下降,分析了氧含量对T_c和dT_c/dP的影响.利用常压下晶格参数精修值和阳离子与氧离子间距随压力的改变,说明CuO_2面在超导电性上的作用,用CuO_2面之间耦合解释T_c(P)曲线的非线性关系。 相似文献
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本文研究了c轴取向的Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc〉124K)在混合态下的电阻展宽及霍尔效应。低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为。在膜的超导转变温度以下,我们观察到霍尔电阻率符号反常现象。霍尔电阻率(ρxy)和纵向电阻率(ρxx)具有ρxy(T)=kρxx^β(T)的标度关系。 相似文献
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外磁场中多种长宽比的矩形超导网络相边界 总被引:2,自引:1,他引:1
本从超导网络相变基本方程出发,研究了基元回路为多种长宽比的矩形网络的相边界,得到网络的相边界曲线是磁通量(即磁场H)的周期函数,而一个周期内的相边界曲线具有镜像对称性。网络的临界温度Tc(H)在镜像点处具有极大值。 相似文献
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对超导样品加压有可能改变它的临界温度Tc.例如,在常压下,HgBa2Ca2Cu3O8+δ的Tc是133K,施加静压后其Tc可升高到164K.进一步的实验表明,压力对Tc的影响,沿不同的晶轴取向,其正负号往往是相反的,例如,对于欠掺杂La2-xSrxC... 相似文献