高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）：—添加增塑剂方法的应用

选用分子量在500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜，通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P（EO）n-CuBr2（n＝4，8，12，16，24）薄膜，并在0．1－2443MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（CHH6O3）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响，及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P（EO）n-CuBr2薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C4H6O3后，当其相对浓度npc/ntotal=20%时，不仅使该膜的室坟离子电导率明显提高6．8倍，而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0．1－100MPa)，至2（350－800MPa)个数量极，非常有利于在高压环境中应用。     

高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高(Ⅰ)——发现三种不同相的压力效应

 用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)_n-CuBr₂（n=4, 8, 12, 16, 24）薄膜,并详细测量它们在0.1～350 MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0.1～2 400 MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明：离子电导率对压力的依赖关系（σ-p曲线）是条折线,可分解为四条直线相迭加。进一步做X射线衍射物相分析,它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr₂新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高聚物P(EO)_n-CuBr₂薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。     

高聚物（PEO）＿n－CuBr＿2薄膜在流体静高压下的离子导电性

用混溶蒸发法制备出高聚物（ＰＥＯ）＿ｎ－ＣｕＢｒ＿２（ｎ＝４，８，１２，１６，２４）薄膜。并详细测量它们在０．１３５０ＭＰａ静水压范围的复阻抗谱，以及在０．１－２４００ＭＰａ静水压范围的交流电导率。结果表明：离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据Ｘ射线衍射物相分析，它们分别归于ＰＥＯ非晶相的压力效应，ＰＥＯ结晶相的压力效应和析出新相ＣｕＢｒ＿２的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加（ＰＥＯ）＿ｎ－ＣｕＢｒ＿２薄膜的弹性，使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。     

高聚物(PEO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下的离子导电性

用混溶蒸发法制备出高聚物（ＰＥＯ）_n－ＣｕＢｒ₂（ｎ＝４，８，１２，１６，２４）薄膜。并详细测量它们在０．１－３５０ＭＰａ静水压范围的复阻抗谱，以及在０．１－２４００ＭＰａ静水压范围的交流电导率。结果表明：离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据Ｘ射线衍射物相分析，它们分别归于ＰＥＯ非晶相的压力效应，ＰＥＯ结晶相的压力效应和析出新相ＣｕＢｒ₂的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加（ＰＥＯ）_n－ＣｕＢｒ₂薄膜的弹性，使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。 关键词：     

高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）——添加增塑剂方法的应用

 选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)_n-CuBr₂（n=4,8,12,16,24）薄膜,并在0.1～2443 MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（C₄H₆O₃）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响,及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P(EO)₁₆-CuBr₂薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C₄H₆O₃后,当其相对浓度n_PC/n_total=20%时,不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0.1～100 MPa）至2（350～800 MPa）个数量级,非常有利于在高压环境中应用。     

高聚物(PEO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下的介电常数研究

选用分子量500万的聚氧化乙烯,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物(PEO)_(?)-CuBr_2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1—2443MPa范围不同的流体静压力下测量了它们的相对介电常数,分别探讨了高聚物薄膜在室温常压和高压下离子电导率与介电常数的关系。实验结果证实:添加介电常数较高及本体粘度较低的增塑剂C_4H_6O_3后,当其相对浓度npc/n_c=20％时,不仅该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且其压力下的离子电导率也提高1(0.1—100MPa)至2(350—800 关键词：     

纳米CaF2离子电导率和介电常数与流体静压力的关系

 采用惰性气体蒸发和真空原位加压方法，制备了具有清洁界面的平均粒度为14 nm的纳米固体CaF₂，并在0.1 MPa～2.2 GPa压力范围内52个不同的静水压下，分别详细测量出其离子电导率σ和相对介电常数随压力变化的规律。讨论指出：（1）离子迁移通道受压后的变化（大于、等于或小于最佳值），是影响离子电导率-压力曲线峰值的主要因素；（2）当压力从0.66 GPa再增加时，lg σ分三段线性下降，可归因于纳米晶体的三种自由体积；（3）界面层空间电荷极化是造成纳米CaF₂相对介电常数较大的原因，由此可理解介电常数的压力效应，了提高产品的氟离子电导率，用真空原位加压法制备纳米材料时，应当采用高于0.66 GPa的压力。     

氧化镍（绿镍矿）等温压缩及高压相变研究

 本文采用DAC（金刚石压砧高压腔）装置，对氧化镍进行了静水压、非静水压、电导率测量等系统高压实验，获取了氧化镍等温压缩、高压相变及电导率压力效应的新结果，并在实验数据的基础上，对其高压相变与电性及磁性变化关系及体弹性模量作了分析讨论。     

纳米离子导体在流体静压力下的复阻抗谱研究

 用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了具有清洁界面的平均粒度16 nm的纳米固体CaF₂，并在0.1~2 400 MPa范围不同的静水压下用100 kHz~100 Hz内70种频率，精确测量了纳米CaF₂的复平面阻抗谱。分别给出纳米CaF₂离子电导率和相对介电常数随流体静压力的变化规律。最后的讨论指出：离子迁移通遭受压后的变化（大于、等于或小于最佳值）是影响离子电导率-压力曲线的主要因素；界面层空间电荷极化是造成纳米CaF₂相对介电常数较大的原因，由此界面效应可理解介电常数-压力曲线。     

YAG：N_d~（3＋）单晶的二阶和三阶弹性常数

我们采用超声“脉冲回波重合法”技术［１］，测定了立方晶体钇铝柘榴石（ＹＡＧ：）的二阶弹性常数，以及它们在静水压和单轴应力条件下，随压力变化，获得了三阶弹性常数．它们分别是：Ｃ１１＝３３４．７８ＧＰａ，Ｃ１２＝１０９．９５ＧＰａ，Ｃ４４＝１１５．２５ＧＰａ，和Ｃ１１１＝－３３７７．６６ＧＰａ，Ｃ１１２＝－８４１．１６Ｇｐａ，Ｃ１２３＝－３２．８６Ｇｐａ，Ｃ１４４＝－３７．６６Ｇｐａ，Ｃ１６６＝－５７９．３８Ｇｐａ，Ｃ４５６＝－１１４．６０Ｇｐａ．根据这些数据，我们还计算了ＹＡＧ：Ｎ＿ｄ￣（３＋）晶体的德拜温度以及Ｇｒｕｎｅｉｓｅｎ参数，以及ＹＡＧ：Ｎ＿ｄ￣（３＋）的状态方程．     

SU(3) LIMIT OF U(6/20) SUPERSYMMETRY IN NUCLEI

In this paper we discuss the SU(3) limit of U(6/20) supersymmetry. First we derive the reduction formulas of the relevant group chain. Then we discuss the dynamical symmetry. Finally we make comparison between the theoretical calculation and experimental measurement in the case of nucleus .²³⁵₉₂U₁₄₃     

K/GaAs(100)表面的氮化

K吸附层的存在能促进GaAs(100)表面在室温下的氮化.光电发射测量为此提供了证据.在将K/GaAs(100)暴露于纯氮以后，价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一定程度回升，价带谱中显露N2p峰，Ga2p和As2p芯能级谱中产生化学位移分量.就所研究的三种不同的K覆盖度(1/4，1/2和1ML)而言，1ML的那种显示了最强的促进作用. 关键词：     

q-玻色湮没算符二次方的本征态

明显构造了a_q²的两个正交归一本征态,并证明这两个本征态组成一个完备Hilbert空间。 关键词：     

Sr(5p1/2nd)3自电离谱的测定

用分步激发技术测得了Sr(5p_1/2nd)₃系列(n=11—24)自电离能级的位置及其有效量子数ν_1/2。对其与(5p_3/2nd)₃,系列间可能存在的组态相互作用,进行了初步探讨。 关键词：     

利用SUq(2)量子代数的q变形振子实现讨论SUq(2)相干态

利用SU_q(2)量子代数的q变形振子实现构造出SU_q(2)的相干态。证明SU_q(2)代数的表示基是正交的,并讨论了它的相干态的归一性、完闭性。指出SU_q(2)相干态的相干性受q参数影响较大,它比通常的SU(2)相干态更具有一般性。 关键词：     

(OH)-离子对F2+心的稳定作用

基于我们的实验结果,本文讨论了(OH)^-离子在LiF晶体中对F₂⁺心的稳定作用,给出了样品在室温下放置九个月时,其中的F₂⁺心吸收峰,此时F₂⁺心仍达到实现激光振荡所要求的浓度。 关键词：     

用光电子能谱研究 Si/GaP(Ⅲ)异质界面的价带不连续性

介绍在改装的ADES-400型光电子能谱仪上,用Si电子束蒸发的方法生长Si/GaP(Ⅲ)界面的过程,并用光电子能谱原位地分析测量不同条件下生长的Si/GaP(Ⅲ)异质界面的形成状况和价带不连续值△E_v。讨论了△E_v与界面状况和原子能级变化的相互关系,确定了生长有序的突变Si/GaP(Ⅲ)异质界面的条件,得到此时界面的价带不连续值为0.80eV。它与理论计算值基本一致。 关键词：     

K/Cu(111)表面功函数的变化

本工作用俄歇电子能谱(AES)测定K在Cu(111)表面上的覆盖度,用Kelvin探头测量表面功函数的变化,得出功函数依赖于K覆盖度的关系曲线,功函数最大变化值△φ_max=3.14eV,功函数最小时的覆盖度θ_min=0.18,初始偶极矩p(0)=7.0Debye,实验结果与武汝前等人的理论模型相一致。 关键词：