高聚物P（EO）n—CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（I）——发现三种不同相的压力效应

用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P（EO）n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜，并详细测量它们在0．1－350MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0．1－2400MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明：离子电导率对压力的依赖关系（σ-ρ曲线）是条折线，可分解为四条直线相迭加。进一步做X射衍射物相分析，它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr2新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高物P（EO)n-CuBr薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。     

高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高（Ⅱ）——添加增塑剂方法的应用

 选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)_n-CuBr₂（n=4,8,12,16,24）薄膜,并在0.1～2443 MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂（C₄H₆O₃）含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响,及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明：P(EO)₁₆-CuBr₂薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C₄H₆O₃后,当其相对浓度n_PC/n_total=20%时,不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且使其在高压力下的离子电导率提高1（0.1～100 MPa）至2（350～800 MPa）个数量级,非常有利于在高压环境中应用。     

高聚物(PEO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下的介电常数研究

选用分子量500万的聚氧化乙烯,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物(PEO)_(?)-CuBr_2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1—2443MPa范围不同的流体静压力下测量了它们的相对介电常数,分别探讨了高聚物薄膜在室温常压和高压下离子电导率与介电常数的关系。实验结果证实:添加介电常数较高及本体粘度较低的增塑剂C_4H_6O_3后,当其相对浓度npc/n_c=20％时,不仅该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且其压力下的离子电导率也提高1(0.1—100MPa)至2(350—800 关键词：     

高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下离子电导率和介电常数的提高(Ⅰ)——发现三种不同相的压力效应

 用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)_n-CuBr₂（n=4, 8, 12, 16, 24）薄膜,并详细测量它们在0.1～350 MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0.1～2 400 MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明：离子电导率对压力的依赖关系（σ-p曲线）是条折线,可分解为四条直线相迭加。进一步做X射线衍射物相分析,它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr₂新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高聚物P(EO)_n-CuBr₂薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。     

高聚物（PEO）＿n－CuBr＿2薄膜在流体静高压下的离子导电性

用混溶蒸发法制备出高聚物（ＰＥＯ）＿ｎ－ＣｕＢｒ＿２（ｎ＝４，８，１２，１６，２４）薄膜。并详细测量它们在０．１３５０ＭＰａ静水压范围的复阻抗谱，以及在０．１－２４００ＭＰａ静水压范围的交流电导率。结果表明：离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据Ｘ射线衍射物相分析，它们分别归于ＰＥＯ非晶相的压力效应，ＰＥＯ结晶相的压力效应和析出新相ＣｕＢｒ＿２的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加（ＰＥＯ）＿ｎ－ＣｕＢｒ＿２薄膜的弹性，使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。     

纳米CaF2离子电导率和介电常数与流体静压力的关系

 采用惰性气体蒸发和真空原位加压方法，制备了具有清洁界面的平均粒度为14 nm的纳米固体CaF₂，并在0.1 MPa～2.2 GPa压力范围内52个不同的静水压下，分别详细测量出其离子电导率σ和相对介电常数随压力变化的规律。讨论指出：（1）离子迁移通道受压后的变化（大于、等于或小于最佳值），是影响离子电导率-压力曲线峰值的主要因素；（2）当压力从0.66 GPa再增加时，lg σ分三段线性下降，可归因于纳米晶体的三种自由体积；（3）界面层空间电荷极化是造成纳米CaF₂相对介电常数较大的原因，由此可理解介电常数的压力效应，了提高产品的氟离子电导率，用真空原位加压法制备纳米材料时，应当采用高于0.66 GPa的压力。     

高聚物(PEO)n-CuBr2薄膜在流体静高压下的离子导电性

用混溶蒸发法制备出高聚物（ＰＥＯ）_n－ＣｕＢｒ₂（ｎ＝４，８，１２，１６，２４）薄膜。并详细测量它们在０．１－３５０ＭＰａ静水压范围的复阻抗谱，以及在０．１－２４００ＭＰａ静水压范围的交流电导率。结果表明：离子电导率与压力的依赖关系可分解为四段相迭加的线性关系。根据Ｘ射线衍射物相分析，它们分别归于ＰＥＯ非晶相的压力效应，ＰＥＯ结晶相的压力效应和析出新相ＣｕＢｒ₂的压力效应。最后给出克服办法——添加少量增塑剂碳酸乙烯酯可增加（ＰＥＯ）_n－ＣｕＢｒ₂薄膜的弹性，使压力下的离子电导率提高一至两个数量级。 关键词：     

微波消解ICP—MS法测定啤酒废酵母中的微量金属元索

建立了微波消解-电感耦合等离子体质谱法（ICP—MS）同时测定啤酒废酵母粉中铜、铅、锌、铁、锰、镉、铬和砷等八种微量元素的方法。在实验中，对仪器的最佳工作参数进行了优化，选择适当的同位素，并用铑作内标元素，有效地抑制了分析信号的漂移及分子和多原子离子的质谱干扰；探讨了混合酸消解体系、消解液用量、微波消解功率及时间对测定结果的影响。以HNO3-H2O2（2：1）作为消化试剂，在0．5MPa压力下2min，1．0MPa压力下3min，1．5MPa压力下5min，4mL HNO3和2mL H2O2能完全消解样品。在选定的实验条件下，对五种啤酒废酵母粉样品进行了精密度和回收率实验，方法相对标准偏差在0．94％～3．26％（72—9）之间，加标回收率在98．4％～102．6％之间。     

纳米离子导体在流体静压力下的复阻抗谱研究

 用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了具有清洁界面的平均粒度16 nm的纳米固体CaF₂，并在0.1~2 400 MPa范围不同的静水压下用100 kHz~100 Hz内70种频率，精确测量了纳米CaF₂的复平面阻抗谱。分别给出纳米CaF₂离子电导率和相对介电常数随流体静压力的变化规律。最后的讨论指出：离子迁移通遭受压后的变化（大于、等于或小于最佳值）是影响离子电导率-压力曲线的主要因素；界面层空间电荷极化是造成纳米CaF₂相对介电常数较大的原因，由此界面效应可理解介电常数-压力曲线。     

Ln7O6（BO3）（PO4）2：Eu（Ln=Al,Gd,Y）的UVU—UV激发和辐射发光

本文报道了Ln7O6(BO3)(PO4)2:Eu(Ln=La,Gd,Y)在UVU－UV区的激发光谱及Eu^3 在可见区的发射光谱,其激发光谱包括基质在真空紫外区的激发带和激活剂离子在紫外区的Eu^3 -O^2-电荷迁移带,随着La^3 ,Gd^3 ,Y^3 离子半径逐渐减小,Eu^3 -O^2-电荷迁移带的重心位置逐渐向高能量方向移动,Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu和Y7O6（BO3）（PO4）2：Eu在真空紫外区的吸收与Eu^3 -O^2-电荷迁移带位于紫外区的吸收的比值要高于在La7O6(BO3)(PO4)2:Eu中的这个比值,激发能可被基质吸收,传递给激活剂离子,得到Eu^3 的红光发射,在Gd7O6(BO3)(PO4)2:Eu中,^5D0→^7F1的发射强度较强,在Y7O6（BO3）（PO4）2：Eu中,^5D0→^7F2和^5D0→^7F3的跃迁较强。