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纳米固体材料的性能与界面微观结构 总被引:10,自引:0,他引:10
综述了纳米陶瓷TiO2和纳米金属Ag的力学性能,以及纳米离子导体CaF2和PbF2等的离子导电性能,结合其界面微观结构特征,对上述纳米固体材料的优异性能进行了初步解释 相似文献
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The nanocrystalline metal silver (n-Ag) with average grain size of 10 nm was synthesized by using an inert gas evaporation and in situ compacting technique. The thermal stability of grain size and grain growth caused by isothermally annealing heat treatment, as well as the thermal behavior during grain growth, have been studied. The results indicated that the thermal stability temperature of grain size is about 200℃. The grain growth depends upon the annealing temperature and exhibits threedifferent stages, i.e., slow, fast, and rapid growth stages, corresponding to the temperature ranges from 200℃ to 300℃, from 300℃ to 400℃ and above 400℃, respectively. An exothermal peak and an endothermal peak occur on the differential scanning calorimetriy (DSC) curve of n-Ag. The exothermal peak and the endothermal peak appear in the temperature range from 200℃ to 400℃, and from 400℃ to 660℃, respectively. The enthalpies calculated from the above two peaks depend on the compacting pressure. Further analyses indicated that the grain growth of n-Ag is related to the release of the surface energy of grains and the interracial energy, as well as the strain energy stored in the bulk samples induced by compacting process. 相似文献
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晶界结构及其对力学性质的影响(Ⅰ) 总被引:4,自引:0,他引:4
许多实验结果表明晶界对多晶材料的力学性能产生很大影响.本文简要总结了研究晶界结构及其对多晶材料力学性能的影响方面的理论和实验工作.第一部分介绍了描述晶界结构的各种模型,包括小角晶界位错模型,大角晶界重合点阵模型、O点阵模型和位移移动重位点阵理论,还讨论了晶界原子和电子结构,以及晶界结合力和晶界能.第二部分总结了晶界结构对力学性能的影响,包括强度,断裂韧度,蠕变,疲劳,沿晶断裂(应力腐蚀开裂,氢脆,液态金属腐蚀等).文中还介绍了最近发展起来的利用控制晶界结构改进多晶材料力学性能方面的新成果,晶界设计和毫微晶材料. 相似文献
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晶界结构及其对力学性质的影响(Ⅱ) 总被引:2,自引:0,他引:2
<正> 3 晶界结构对力学性质的影响 晶界是固体材料中的一种面缺陷.由于晶界和位错以及其他缺陷和杂质之间的相互作用, 相似文献
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正我们分别于1955年和1957年考入东北人民大学(后改名为吉林大学)物理系学习,后来又分别于1960年和1962年与曾琴,黄和鸾,邹广田和杨克大成为芶清泉老师固体物理研究方向的研究生.虽然毕业后,我们两人的科学研究方向偏离了原子分子物理和高压物理,但是在本科和研究生阶段与芶老师近距离的学习和研讨中,以及毕业后对物理前沿问题的交流中,对芶老师后期的科学研究思路和成果有进一步的较深入的了解和体会,在纪 相似文献
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用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了具有清洁界面的平均粒度16 nm的纳米固体CaF2,并在0.1~2 400 MPa范围不同的静水压下用100 kHz~100 Hz内70种频率,精确测量了纳米CaF2的复平面阻抗谱。分别给出纳米CaF2离子电导率和相对介电常数随流体静压力的变化规律。最后的讨论指出:离子迁移通遭受压后的变化(大于、等于或小于最佳值)是影响离子电导率-压力曲线的主要因素;界面层空间电荷极化是造成纳米CaF2相对介电常数较大的原因,由此界面效应可理解介电常数-压力曲线。 相似文献
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