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相似文献
 共查询到17条相似文献,搜索用时 125 毫秒
1.
 采用惰性气体蒸发和真空原位加压方法,制备了具有清洁界面的平均粒度为14 nm的纳米固体CaF2,并在0.1 MPa~2.2 GPa压力范围内52个不同的静水压下,分别详细测量出其离子电导率σ和相对介电常数随压力变化的规律。讨论指出:(1)离子迁移通道受压后的变化(大于、等于或小于最佳值),是影响离子电导率-压力曲线峰值的主要因素;(2)当压力从0.66 GPa再增加时,lg σ分三段线性下降,可归因于纳米晶体的三种自由体积;(3)界面层空间电荷极化是造成纳米CaF2相对介电常数较大的原因,由此可理解介电常数的压力效应,了提高产品的氟离子电导率,用真空原位加压法制备纳米材料时,应当采用高于0.66 GPa的压力。  相似文献   

2.
 本文准确测量了0~2.21 GPa流体静压力下整体片状非晶B2O3-0.7Li2O-0.7LiCl-0.10Al2O3及其粉末样品的离子电导率和激活体积。对整片非晶锂离子电导率的压力效应应用离子迁移通道的物理图象给出初步的微观解释。对非晶粉末样品离子电导率的压力效应,则发现是由体电导率、接触电导率及同相界面电导率变化的综合结果。高压实验表明,同相界面效应可使离子电导率提高2.5~16倍,该非晶材料还有潜力可进一步提高其离子电导率。  相似文献   

3.
 选用分子量为500万的聚氧化乙烯和无水溴化铜,通过混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)n-CuBr2(n=4,8,12,16,24)薄膜,并在0.1~2443 MPa范围不同的静水压下详细测量了它们的相对介电常数。分别探讨了增塑剂(C4H6O3)含量对室温常压下离子电导率和介电常数的影响,及其对高压下离子电导率和介电常数的影响。实验结果表明:P(EO)16-CuBr2薄膜在添加介电常数较高和本体粘度较低的增塑剂C4H6O3后,当其相对浓度nPC/ntotal=20%时,不仅使该薄膜的室温常压离子电导率明显提高6.8倍,而且使其在高压力下的离子电导率提高1(0.1~100 MPa)至2(350~800 MPa)个数量级,非常有利于在高压环境中应用。  相似文献   

4.
用惰性气体蒸发和真空原位加压方法制备了两种具有清洁界面的纳米离子固体CaF2(平均粒度为16nm)和Ca0.75La0.25F2.25(平均粒度为11nm),在31℃至530℃详细测量了其复阻抗谱。结果表明:1)在300—530℃两种纳米离子导体都很好地遵从Arrhenius方程式;2)纳米CaF2的离子电导率比多晶CaF2约高1个数量级、比单晶CaF2  相似文献   

5.
固结压强对纳米PbF2的相变和离子电导率的影响   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 用惰性气体蒸发-真空原位固结法制备了直径为10 mm、厚度为1~2 mm的具有清洁界面的纳米PbF2块体材料,原位固结压强为0.3~1.8 GPa。采用X射线衍射和复阻抗谱方法,研究了固结压强对纳米PbF2物相组成、晶粒度和离子电导率的影响。结果表明,相同压强下,纳米β-PbF2比粗晶β-PbF2更易于向α-PbF2转化;随着压强增大,样品中低电导率的α-PbF2相不断增加,导致离子电导率下降。压强引起的连续相变使晶粒度缓慢长大。由于晶粒细小,纳米α-PbF2的离子电导率比粗晶α-PbF2提高约一个数量级,与粗晶β-PbF2相当。  相似文献   

6.
 用混溶蒸发法制备出一系列高聚物P(EO)n-CuBr2(n=4, 8, 12, 16, 24)薄膜,并详细测量它们在0.1~350 MPa静水压范围内的复阻抗谱、在0.1~2 400 MPa静水压范围内的交流电导率以及介电常数。结果表明:离子电导率对压力的依赖关系(σ-p曲线)是条折线,可分解为四条直线相迭加。进一步做X射线衍射物相分析,它们分别归于PEO非晶相的压力效应、PEO结晶相的压力效应和析出CuBr2新相的压力效应。由此计算出上述三种不同相所对应的激活体积、截止压力各自随高聚物P(EO)n-CuBr2薄膜组分的变化。为减小离子电导率的压力效应提供了物理基础。  相似文献   

7.
 以反滴共沉定法制备了NiFe2O4纳米微粉,并在不同压力下将其压制成纳成米固体,然后用XRD谱和ESR谱研究了NiFe2O4纳米固体结构和界百状态随压制压力的变化。实验结果表明,NiFe2O4纳米固体的结构在高压下没有明显的变化,但其ESR谱的共振线宽和g因子值随着压力升高均表示出先逐渐增大至最大值,然手缓慢下降的规律。这种变化可以归因于纳米固体内部界面离子间的磁相互作用在压力的下所发生和变化。这引起实验结果境示,对于NiFe2O4纳米固体而言,最佳的成型压力是4.5 GPa,在此压力下,NiFe2O4纳米粒子既可以被压制成致密的纳米固体,又能够保留下它们的纳米结构和纳米性质。  相似文献   

8.
高压对复合氧化物纳米固体内部缺陷结构的影响   总被引:3,自引:0,他引:3       下载免费PDF全文
 详细研究了不同压力下压制的NiFe2O4纳米固体材料的正电子寿命谱,分析了材料内部界面上缺陷结构随压制压力的变化,并与La0.7Sr0.3MnO3纳米固体的缺陷结构随压力的变化进行了比较。实验结果表明,随着压制压力的增加,NiFe2O4纳米固体内部界面上自由体积缺陷和微孔隙缺陷的体积均被明显地压缩了,但自由体积缺陷的压缩幅度要高得多,反映出NiFe2O4纳米固体界面上原子排列的有序程度在高压下逐渐增强的规律。对具有不同微结构变化特征的复合氧化物纳米固体材料,其内部的缺陷结构在高压下具有不同的变化规律,进而引起其宏观物性的不同变化。  相似文献   

9.
 采用高分子网络凝胶法,通过控制其化学反应过程,合成了高纯的多晶纳米级粉末Sr2FeMoO6样品A(50 nm)和样品B(100 nm)。对其在高压下的结构稳定性和电学性质进行了研究,并将样品A和样品B的实验结果与已报道的粒度达微米级的块状Sr2FeMoO6样品C的实验结果进行了对比。在实验测量范围内,样品A(50 nm)呈现出最大的体弹模量B0,并在电阻-压力曲线中,电阻下降区域表现出相对较缓的变化率,晶界效应可以用来很好地解释此结果。电学性质测量实验表明,样品在高压下发生了电子结构相变。  相似文献   

10.
 采用压力光谱技术在低温下观测到了Mn2+离子的4T16A1跃迁,该谱线在Zn0.83Mn0.17Se和ZnSe/Zn0.84Mn0.16Se超晶格样品中有不同的压力行为,体材料中其压力系数为-42.4 peV/Pa,超晶格中为-29.5 peV/Pa。用晶体场理论计算得到体材料Zn0.83Mn0.17Se中Mn2+离子4T16A1谱线的压力系数为-38.3 peV/Pa,与实验结果基本一致。结合材料中发光峰积分强度随压力的变化关系进行分析,证实Mn2+离子的发光性质主要与其近邻的晶体场环境有关。  相似文献   

11.
First-principles density functional perturbation calculations are employed to study the dielectric and piezoelectric properties of strained tetragonal PbTiO3. Lattice distortion, static dielectric constant, Born effective charge, zone-centre phonons, and piezoelectric constant are obtained. For the strained tetragonal PbTiO3, we obtain a giant static dielectric constant (3600) under a strain 0. 77%. Moreover, the calculated piezoelectric constant e15 of strained PbTiO3 reaches about 203 C/m^2 which is about 20 times of that of unstrained system. The giant static dielectric constant is mainly due to the softening of the lowest-frequency phonon mode and the reduce of Ti-O bond length. This work demonstrates a route to a giant static dielectrics for electrically microwave and other devices.  相似文献   

12.
A novel effect is studied of self-limitation of the diamond-like film thickness during laser irradiation of the interface of transparent substrates with liquid aromatic hydrocarbons. The interface is exposed through the transparent substrate to radiation of a copper vapor laser (wavelength of 510.6 nm, pulse duration of 20 ns). The thickness of diamond-like film increases linearly to 80-100 nm with the number of laser pulses and then saturates, while the substrate is ablated with nearly constant rate. This ablation rate depends on the thermal expansion coefficient of the substrate (glass, fused silica, sapphire, or CaF2). The absorption of extinction coefficient of deposited films measured by ellipsometry is of order of 104 cm-1 and is sufficient to cause the significant heating of the interface. The ablation of the transparent substrates is due to their unequal thermal expansion compared to the diamond-like film having different thermal expansion coefficient. The measured ablation rates scale from 0.2 Å/pulse for glass to 4.5 Å/pulse for CaF2. A 7m spatial resolution of the ablation process has been demonstrated for fused silica.  相似文献   

13.
The capacitance and voltage (C-V) characteristics of Metal-Oxide-silicon (MOS) capacitors passivated by CaF2-B2O3-GeO2-SiO2 glasses with OHm ions, water and fluoride contents were investigated. As the OHm absorption coefficients of the glass increased, adverse effects on the recovery of hysteresis C-V curve shifts was observed. The content of OHm ions is closely related to the fluoride content in the CaF2-B2O3-GeO2-SiO2 glass. The viscous-flow point of the glass was lowered with increasing degree of ionic character obtained from Hannay's equation.  相似文献   

14.
Gd2O2S:Eu荧光谱及能级的高压研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 在21 500~11 500 cm-1光谱区间内测量了Gd2O2S:Eu的荧光光谱,测量是在室温和液氮条件下进行的,对122条低温谱线和96条常温谱线进行了指认。识别了Eu3+离子5D0~27F0~6的39个斯塔克能级中的35个能级。在0~15 GPa压力范围内,研究了Gd2O2S:Eu高压下的发射光谱。在压力作用下,发现所有观测到的谱线都红移,强度降低。6个5D0~2能级下降速度大于7FJ5D27F2~5多重态的斯塔克劈裂变大,而5D17F1的劈裂变小。  相似文献   

15.
文中,针对X形谐振腔的特点及结合纵向泵浦理论,分析了X形谐振腔几何参数的确定条件和模式匹配条件;根据有关NaCl(OH-):(F2+)H和KCl(Na+,OH-):(F2+)AH色心激光的主要研究结果,分析了提高色心激光输出效率的可能途径.  相似文献   

16.
 采用纳米管制备和离子掺杂同步进行的直接水热合成方法,合成了纯钛酸盐纳米管(TNT)和Eu3+离子掺杂的纳米管(TNT-Eu);并利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、光致发光谱仪研究了纳米管的形貌特征、物相组成、热稳定性和发光性能。结果显示:这种方法简便易行、稳定性好、产率高。钛酸盐纳米管物相可近似表示为(H,Na)2Ti3O7或(H,Na)2(Ti,Eu)3O7。高温处理对钛酸盐纳米管的结构产生很大的影响,450 ℃下纳米管的层状结构被破坏,晶体结构转化为锐钛矿型的TiO2。TNT-Eu样品的发光性能较强,出现的393.5 nm、593 nm、614 nm的谱带归属于5D0-7F15D0-7F2电子的跃迁。  相似文献   

17.

The scale-breaking parameter F2ep(x, Q2) of non-singlet component F2ep-F2en and some other quantities in the electro-production process are discussed by usinb the analytic expression for the distribution function of valence quarks in ha.drons up to leading log approximation given by a, previous paper[1]. Comparisons with data are also given.

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