在SrTiO3、LaAlO3和Y-ZrO2衬底上外延生长La1.85Sr0.15CuO4、La2CuO4和Nd1.85Ce0.15CuO4、Pr2CuO4薄膜

利用脉冲激光法研究了在（１００）ＳｒＴｉＯ３（ＳＴＯ）、（１００）ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）和（１００）Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）衬底上外延生长ＬａＣｕＯ４（ＬＣＯ）,Ｌａ１．８５Ｓｒ０．１５ＣｕＯ４（ＬＳＣＯ）,Ｎｄ１．８５Ｃｅ０．１５ＣｕＯ４（ＮＣＣＯ）和Ｐｒ２ＣｕＯ４（ＰＣＯ）薄膜的工艺技术。利用Ｘ光衍射仪检测了不同条件下制备的薄膜样品结构和取向。Ｘ射线衍结果表明,在事适的制膜条件下可以在这三种衬底     

液晶显示用取向材料聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯的光控取向研究

通过实验研究了光聚合物材料聚甲基丙烯酸肉桂酰氧基乙酯（ＣＥＭＣ）的光化学反应过程, 以及对液晶材料ＬＣ－６７１０Ａ 的取向能力． 通过原子力显微镜（ＡＦＭ）观察了取向层表面在光化学反应前后的变化, 测量了光控取向膜液晶盒中液晶分子的预倾角及单面光控取向扭曲向列液晶显示器（ＴＮＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性曲线, 研究了液晶分子排列取向的机理．     

有源约束层在对结构声辐射控制中的应用Ⅰ.理论分析

利用变分法分析了有源约束层的功能关系,并运用到结构声辐射的控制研究中．理论分析表明：外力对结构所做的功,一部分由有源和无源阻尼耗散;另一部分则以声波的形式耗散出去．它为结构声控制提供了新的方法。     

基于变结构技术的噪声有源自校正控制

研究有源噪声控制（ＡＮＣ）问题，给出了有源噪声控制问题的一般模型。研究表明，采用前馈和反馈技术的有源噪声控制分别与控制理论中的干扰可测和干扰不可测的自适应控制相对应。提出了一种基于滑模变结构技术的噪声有源自适应控制方法，可以处理所有模型参数均未知的有源噪声控制问题，给出了一种未知模型参数的在线自适应学习算法。证明了闭环控制系统在Ｌｙａｐｕｎｏｖ意义下的稳定性。仿真结果表明，基于滑模变结构技术的噪声有源自适应控制是一种非常有效的控制方法。     

ZnSe—ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

绿色陶瓷厚膜电致发光器件研究

报道了采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１作为发光层的绿色薄膜电致发光器件（ＣＴＦＥＬ）。器件结构为陶瓷基片／内电极／陶瓷厚膜／发光层（ＺｎＳ：Ｅｒ,Ｃ１）／透明电极（ＺｎＯ：Ａ１）。制备的器件在市电频率驱动下发出明亮的绿光,测量了器件的电致发光（ＥＬ）光谱和亮度－电压曲线,研究了发光机理和效率－电压等特性。     

半花菁／氮冠（醚）交替LB多层膜的二阶光学非线性性质

对一种新型的，具有双脂链的盘状非活性分子氮冠（醚）（ＮＣ）ＬＢ膜进行了表征。小角Ｘ射线衍射（ＳＡＸＤ）结果表明：纯ＮＣ分子可以形成非常好的ＬＢ膜有序结构。将它与活性分子半花菁（ＤＡＥＰ）制备成Ｙ型交替多层膜，由于半花菁分子的单脂链（长尾）可以镶嵌在ＮＣ分子的双脂链之间，改善了多层膜的结构有序性及稳定性，从而得到二次谐波强度随层数的变化在１￣１１６双层范围内显示出较理想的平方关系。通过二次谐波的测量     

ZnSe－ZnS应变超晶格光学振动模的研究

本文给出了ＣａＡｓ衬底上生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格的室温Ｒａｍａｎ分析，观测了该超晶格中ＺｎＳｅ子层和ＺｎＳ子层的纵光学振动模（ＬＯ），首次发现在一些样品中ＺｎＳｅ子层的纵光学声子模ＬＯＺｎＳ出现红移，另一些样品中ＬＯＺｎＳｅ出现蓝移，而ＺｎＳ子层的ＬＯＺｎＳ总是向低波数方向移动，并利用限制效应和应变效应给出了解释。     

Ag(111)与Ag(001)表面电子结构与稳定性的研究

采用ＬＭＴＯ-ＡＳＡ方法，对几种不同方法获得的不尽相同的Ａｇ（１１１）“稳定表面”的表面电子结构进行了系列对比研究，给出了这些不同表面弛豫结构的电子结构特性．根据表面能的大小，指出了最稳定表面结构应为单层向内弛豫表面，并对该类表面结构的电子结构特性作了分析和讨论．作为对比，还分析讨论了清洁理想Ａｇ（００１）表面的电子结构特性．根据Ａｇ（１１１）和Ａｇ（００１）表面能的区别，指出Ａｇ（００１）表面较Ａｇ（１１１）表面稳定     

用类金刚石碳掩膜制备LaAlO3台阶衬底

我们用脉冲激光淀积（ＰＬＤ）方法在ＬａＡｌＯ３（ＬＡＯ）衬底上生长了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜，并以此作为掩模，制备了台阶衬底．ＳＥＭ分析表明，制备的台阶衬底具有陡直的台阶角度（大于７００）．我们用这样的台阶衬底制成了ＹＢＣＯ台阶结并测量了结的基本特性，结果表明，结有较好的高频特性．     

三硼酸铯和硼酸铯锂晶体的晶格振动光谱研究

本文对新型非线性光学晶体三硼酸铯（ＣｓＢ３Ｏ５∶ＣＢＯ）和硼酸铯锂（ＣｓＬｉＢ６Ｏ１０∶ＣＬＢＯ）进行了晶格振动光谱研究。首先对两种晶体的基本晶格振动模进行了对称性分类,记录了两种晶体低温下的拉曼光谱和室温下的红外反射光谱,对晶体的晶格振动模进行了认定,将振动模归属于平面六元环（Ｂ３Ｏ６）和四面体（ＢＯ４）。然后比较了ＣＢＯ,ＣＬＢＯ和ＬＢＯ（ＬｉＢ３Ｏ５）三种晶体的晶格振动光谱,讨论了阳离子对振动光谱的影响。另外,还讨论了硼酸盐晶体晶格振动模ＬＯ ＴＯ分裂的大小与晶体非线性光学系数之间的关系。     

稀土金属表面的振动弛豫

用ＬＥＥＤ谱，研究了稀土金属表面的振动弛豫。结果表示出，对Ｓｃ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．４１３±０．００１Ａ（收缩８．６％±０．００１Ａ）和ｄ２＝２．６８±０．０２Ａ（膨胀１．５％±０．０２Ａ）。对Ｇｄ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．８０±０．０４Ａ（收缩３．１％±０．０４Ａ）和ｄ２＝２．９６±０．０３Ａ（膨胀２．４％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛０００１｝，原子层间距：ｄ１＝２．７５±０．０３Ａ（收缩３．３％±０．０３Ａ），ｄ２＝２．８５±０．０１Ａ（膨胀０．１８％±０．０１Ａ）和ｄ３＝２．９８±０．０３Ａ（膨胀４．７％±０．０３Ａ）。对Ｔｂ｛１１２０｝，原子层间距：ｄ１＝１．６５±０．０２Ａ（收缩８．３％±０．０２Ａ）和ｄ２＝１．８０±０．０４Ａ（膨胀０．０６％±０．０４Ａ）     

自适应宽带有源消声

实际中存在的噪声，一般都是窄带或有色宽带噪声（简称宽带噪声），而宽带噪声更为普遍．为使宽带自适应有源消声（ＡＡＮＣ）得到实际应用，必须保证宽带ＡＡＮＣ系统具有良好的稳定性和较高的降噪量．为此，本文对ＡＡＮＣ系统稳态性能作了理论分析和数值计算，得到了系统降噪量对噪声带宽、空间声传播通道、自适应滤波器参数等的依赖关系；以自由声场远场ＡＡＮＣ为例，从声学角度对ＡＡＮＣ系统作了物理解释，从而为改进宽带ＡＡＮＣ系统性能提供理论依据．     

1－苄基－9－氢富勒烯－60LB多层膜的制备及其光学非线性性质

利用π－Ａ等温线、小角Ｘ射线衍射（ＳＡＸＤ）和光学测量方法研究了一种取代富勒烯（Ｃ６０－Ｂｅ）ＬＢ膜的结构特性。纯Ｃ６０－Ｂｅ分子以体相（ｂｕｌｋｐｈａｓｅ）的形式存在于气－液界面上。氮冠（醚）（ＮＣ）分子作为隔层材料，与Ｃ６０－Ｂｅ分子相混合可以制备性能优良的ＬＢ膜。π－Ａ、吸收和小角Ｘ光衍射测量表明：这种混合膜结构的改善是由于Ｃ６０－Ｂｅ分子镶嵌在ＮＣ分子的双脂链之间造成的。通过测量三次谐波产生（ＴＨＧ）可以推出Ｃ６０－Ｂｅ的三阶非线性系数χ（３）＝２．１×１０－１１ｅｓｕ。     

低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。     

液相外延生长超薄有源层AlxGa1—xAs／GaAs分别限制双异质结构激…

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５－３５ｎｍ。宽接触分别限制双异结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００－８００Ａ／ｃｍ＾２。     

液相外延生长超薄有源层Al_xGa_（1－x）As／GaAs分别限制双异质结构激光器

报道超薄有源层ＡｌｘＧａ１－ｘＡＳ／ＧａＡｓ分别限制双异质结构半导体激光器的液相外延的过程。讨论了过冷度、生长温度和降温速率等对生长速率的影响。扫描电镜测得生长温度为６８０℃时，ＧａＡｓ有源层厚度可低至２５～３５ｎｍ。宽接触分别限制双异质结构ＬＤｓ的室温连续阈值电流密度多在７００～８００Ａ／ｃｍ２。     

AlH2（X^2A1）体系的结构与势能函数

在ＱＣＩＳＤ／６－３３１＋＋（３ｄｆ,３ｐｄ）水平上,优化出ＡｌＨ２（Ｘ＾２Ａ１）分子稳定构型为Ｃ２ｖ,其平衡核间距Ｒｅ＝１．５９２Ａ、∠ＨＡｌＨ－１１８．６８°,同时也计算出振动频率。在此基础上,根据微观可逆性原则,正确地判断了离解极限。使用多体项展式理论方法,导出了基态ＡｌＨ２（Ｃ２ｖ）平衡结构,然后根据势能函数等值图讨论了Ｈ＋ＡｌＨ反应和Ａｌ＋Ｈ２反应的势能面静态特征。结果表明在Ｈ＋ＡｌＨ及     

计算机模拟技术在研究传能反应产物振动布居中的应用

本文讨论了利用计算机模拟技术研究传能产物振动布层的理论和方法。以Ａｒ（＾３Ｐ０．２）＋ＰＣｌ３反应生成ＰＣｌ（Ａ＾３П）为例，对模拟的过程和其中应注意的问题进行了分析。文中首次报道了ＰＣｌ（Ａ＾３П→Ｘ＾３Σ＾－１）跃迁的Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ因子。     

YBCO/CeO_2/LaAlO_3夹层膜的界面研究

用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）结合透射电子显微镜（ＴＥＭ）对磁控溅射法制备的ＹＢＣＯ／ＣｅＯ２／ＬａＡｌＯ３夹层膜中的元素在各层间的扩散行为进行了研究．结果表明，ＣｅＯ２作为一种缓冲层，能够阻挡住基底ＬａＡｌＯ３中元素向ＹＢＣＯ膜的扩散和ＹＢＣＯ膜中元素向基底的扩散，其本身向ＹＢＣＯ膜中的扩散也不多．ＴＥＭ的分析表明，ＣｅＯ２能保持完好的晶格结构，在其上能得到结构完整的高质量ＹＢＣＯ膜