以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnS:Sm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳ：Ｓｍ,Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线,研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在电驱动下１６Ｖ启亮,最大亮度为１８．４ｃｄ／ｍ＾２,最大效率为０．０６１ｍ／Ｗ。     

以陶瓷厚膜为绝缘层的红色ZnSvSm,Cl电致发光器件

报道采用高介电常数的陶瓷厚膜作绝缘层、ＺｎＳｖＳｍ , Ｃｌ作为发光层的红色薄膜电致发光器件。测量了器件的电致发光光谱和亮度电压曲线, 研究了发光机理和效率电压等特性。制备的器件在市电频率驱动下１６ Ｖ启亮, 最大亮度为１８．４ ｃｄ／ｍ ２, 最大效率为０．０６ ｌｍ ／Ｗ。     

蓝色显示材料及器件的研究

用Ｈ２和ＣＳ２还原法制备Ｃｅ：ＳｒＳ发光材料，分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响，得到了最高亮度为９５０ｃｄ／ｍ＾２（１０００Ｈｚ）的Ｃｅ：ＳｒＳ薄膜电致发光（ＴＦＥＬ）器件；用高温固相法得到Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４荧光粉，用射频溅射沉积的Ｃｅ：ＳｒＧａ２Ｓ４薄膜在６００℃以上、Ｈ２Ｓ气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能，提高杂质激发峰强度，得到好的光致发光（ＰＬ）发光性能，以陶瓷片作为基片同     

低压驱动薄膜电致发光特性及其机理的研究

采用低电阻率为Ｔａ２Ｏ５／ＳｉＯ２，Ｔａ２Ｏ５／Ａｌ２Ｏ３复合层制备了出低压驱动Ｚｎｓ：Ｍｎ薄膜电致发光器件，它的阈值电压在４０Ｖ以下，当驱动电压为６０Ｖ，频率为５０Ｈｚ，发光亮度在２００ｃｄ／ｍ＾２以上，这种器件具有其独特的亮度－电压特性和电荷存储量－电压特性，利用空间电荷限制电流模型分析了发光层中空间电荷，电场强度在这种低压驱动电致发光器件发光层中的分布特性，并对低压驱动薄膜电致发光机理，亮度     

无机厚膜发光器件绝缘层的研究

采用丝网印刷技术,在Al2O3陶瓷基板上印刷、高温烧结内电极及绝缘层,制备出陶瓷厚膜基板,进而制备了新型厚膜电致发光显示器(TDEL)。整个器件结构为陶瓷基板/内电极/厚膜绝缘层/发光层/薄膜绝缘层/ITO透明电极。研究不同结构的无机厚膜发光器件对器件性能的影响,并对器件的亮度—电压、亮度—频率进行测量。结果显示绝缘层在无机发光器件中不是单纯的保护作用,它对器件的性能有十分重要的影响。主要是对注入电子的加速作用,从而提高发光亮度。绝缘层本身对无机厚膜发光器件的发光机理没有关系。     

具有纯Tb^3＋发光光谱的有机电致发光二极管

制成了用三价Ｔｂ配合物作为发射层的有机电致发光二极管，并获得纯Ｔｂ３＋的发光光谱。二层结构为玻璃衬底／Ｉｎ－ＳｎＯ（ＩＴＯ）／ｐｏｌｙ（Ｎ－ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ）（ＰＶＫ）／Ｔｂ配合物／Ａｌ，在正向直流偏压下发出明亮的绿光。器件的电致发光（ＥＬ）光谱与Ｔｂ配合物薄膜的光致发光（ＰＬ）光谱完全一致，含有一个尖锐的发射带，系典型的Ｔｂ配合物的发光谱。在驱动电压为５Ｖ下，发光清晰可见，当驱动电压达到１５．４Ｖ时，获得２１０ｃｄ／ｍ２的发光，据知这是用Ｔｂ配合物做发射层的电致发光元件的最亮的发光。同时，通过对器件光谱及电学特性的测量、比较和分析，探讨了有关稀土电致发光机理等问题     

ZnS：TM（TM=Mn,Cu）纳米微粒的光学性质研究

采用溶胶凝胶法合成ＺｎＳ：ＴＭ（ＴＭ＝Ｍｎ，Ｃｕ）水溶胶，研究了它们的光学性质。通过吸收光谱计算得到微粒的尺寸约为３～４ｎｍ，光致发射光谱为中给出了所对应掺杂中心的发射带，其能量来源于基质ＺｎＳ的吸收。通过旋涂法制备了ＺｎＳ：Ｃｕ纳米微粒ＥＬ器件，测定了其妄动电压和耐压值以及ＥＬ光谱强度与电压主的关系，初步探讨了可能的发光机理。     

ZnS∶Tb薄膜电致发光的量子效率及过热电子分布

采用高频溅射的方法制备了高亮度的ＺｎＳ∶Ｔｂ薄膜电致发光器件．测量了发射强度比Ｉ（５Ｄ３－７Ｆ６）／Ｉ（５Ｄ４－７Ｆ４）随激发电压的变化关系、弛豫时间及发光的量子效率，计算了碰撞截面，分析ＺｎＳ∶Ｔｂ的过热电子的分布，并与ＺｎＳ∶Ｍｎ进行了比较．指出了ＺｎＳ∶Ｔｂ效率与ＺｎＳ∶Ｍｎ效率差异的可能原因．     

ZnS∶TM(TM=Mn,Cu)纳米微粒的光学性质研究

采用溶胶凝胶法合成ＺｎＳ∶ＴＭ（ＴＭ＝ Ｍｎ, Ｃｕ）水溶胶, 研究了它们的光学性质． 通过吸收光谱计算得到微粒的尺寸约为３～４ｎｍ ． 光致发射光谱中给出了所对应掺杂中心的发射带, 其能量来源于基质ＺｎＳ的吸收． 通过旋涂法制备了ＺｎＳ∶Ｃｕ 纳米微粒ＥＬ器件, 测定了其启动电压和耐压值以及ＥＬ光谱强度与电压的关系, 初步探讨了可能的发光机理     

多孔硅表面钝化对其发光性能的影响

报道多孔硅（ＰＳ）的表面钝化对其光致发光（ＰＬ）和电致发光（ＥＬ）的影响,ＰＬ和ＥＬ谱表明,经钝化处理的ＰＳ的ＰＬ和ＥＬ强度明显增强,且发光峰位较大蓝移;存放实验表明,经钝化处理的ＰＳ的ＰＬ和ＥＬ发光强度和发光峰位具较好的稳定性;Ｉ～Ｖ曲线显示,经钝化处理的ＰＳ发光器件具有较低的劝电压,结结果表明：用钝化处理的方法是几ＰＬ和ＥＬ强度和稳定性及改善器件性能的有效途径。     

双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管的研制

制备了基于F₁₆CuPc和CuPc的双异质结结构的双极型有机薄膜晶体管。该器件的载流子迁移率是相同工艺制备的F₁₆CuPc和CuPc双层单异质结有机薄膜晶体管器件的4~5倍。同时,该双异质结结构还能调整载流子的阈值电压,减少双层结构对薄膜厚度等工艺条件的苛刻要求。这种双异质结结构为提升双极型有机薄膜晶体管器件的性能提供了一种有效方法。     

通孔阳极氧化铝膜的制备及其性能的研究

在15% H₂SO₄阳极氧化液中添加硝酸镨制备阳极氧化铝(AAO)膜以提高AAO膜的性能,采用化学腐蚀和微波处理相结合的方法,去除AAO膜的阻挡层,制备通孔的AAO膜。分别研究镨的添加量、氧化电压对AAO膜的厚度和硬度的影响及腐蚀时间、微波处理时间分别对AAO膜的阻挡层的影响,分别用能谱和扫描电镜等对AAO膜进行了表征。在15% H₂SO₄阳极氧化液中添加硝酸镨,制备出的AAO膜具有更大的厚度和硬度,当氧化电压为23 V时,在15% H₂SO₄+0.14 Pr g·L-1混合液中制备的AAO膜的厚度和硬度分别为162 μm和275.1 HV,与在阳极氧化液为15% H₂SO₄溶液中制备的AAO膜的厚度和硬度(150 μm和224.8 HV)相比,分别提高8.0%和22.4%。当氧化电压在19～23 V范围时,AAO膜的厚度随着氧化电压的增大而增加;AAO膜的硬度随着氧化电压的增大而减小。将AAO膜在35 ℃和5% H₃PO₄溶液中腐蚀13 min,再用超声波处理10 min,可得到通孔的AAO膜。腐蚀后AAO膜表面絮状物为Al₂O₃。     

Low-Power Super-resolution Readout with Antimony Bismuth Alloy Film as Mask layer

Sb-Bi alloy flms are proposed as a new kind of super-resolution mask layer with low readout threshold power. Using the Sb-Bi alloy film as a mask layer and SiN as a protective layer in a read-only memory disc, the superresolution pits with diameters of 380 nm are read out by a dynamic setup, the laser wavelength is 780 nm and the numerical aperture of pickup lens is 0.45. The effects of the Sb-Bi thin film thickness, laser readout power and disc rotating velocity on the readout signal are investigated. The results show that the threshold laser power of super-resolution readout of the Sb-Bi mask layer is about 0.5 m W, and the corresponding carrier-to-noise ratio is about 20 dB at the film thickness of 50nm. The super-resolution mechanism of the Sb-Bi alloy mask layer is discussed based on its temperature dependence of reflection.     

纳米ZnO薄膜对有机电致发光器件性能的影响

由于有机电致发光器件(Organic light-emitting devices,OLEDs)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米ZnO薄膜对这种发光器件性能的影响。在普通有机电致发光器件空穴传输层和发光层之间直接蒸镀一层纳米ZnO薄膜,当纳米ZnO薄膜的厚度为1nm时,器件的电流效率可达3.26cd/A,是没有纳米ZnO薄膜同类器件的1.24倍。适当厚度的纳米ZnO薄膜降低了发光层空穴的浓度,提高了电子和空穴的平衡,从而提高了器件的效率。     

薄膜热处理对ZnO薄膜晶体管性能的提高

制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层.与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V·s)增大至3.12 cm2/(V·s),阈值电压由20.8V减小至9.9V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/...     

应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si 沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系. 分析结果表明：阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大. 该模型为应变Si 器件阈值电压设计 关键词： 应变硅 阈值电压 电势分布 反型层     

Surface Enhanced Raman Scattering on Self-assembled Nano Silver Film Prepared by Electrolysis Method

用一种廉价的电解方法制备了纳米银膜,并详细研究了在这种银膜上的表面增强拉曼散射效果．结晶紫为本实验的检测性分子．通过实验发现,这种银膜用便携式拉曼光谱仪测试并计算出的表面增强拉曼散射的增强因子为603,并对结晶紫的最小检出限为0.1 nmol/L     

低压驱动薄膜电致发光激发效率分布特性的实验研究

分析了利用探针层实验方法来测量激发效率在电致发光器件的发光层中分布的机理，并利用这种实验方法测量了激光发效率在低压驱动薄膜电致发光器件的发光层中的分布特性和器件的激光发特性。实验结果表明在这种低压驱动电致发光器的发光层中激光发效率是不均匀的，其分布与器件被激发的程度有关。