HT—6B的Zeff监测及RHF对杂质约束的影响

本文通过测量ＨＴ－６Ｂ等离子体中ＯⅥ的线辐射强度随放电参数的变化，利用杂质输运分析的数值结果，给出了在等离子体参数很大的变化范围内［ｎｅ＝（０．２－２．０）×１０＾１３ｃｍ＾－３，ｑａ＝３－８．５］Ｚｅｆｆ及杂质相对浓度随放电参数的变化规律。在外加共振螺旋磁场（ＲＨＦ）抑制外撕裂模的实验中，ＯⅢ、ＣⅢ的线辐射测量表明ＲＨＦ具有改善杂质约束的迹象，此时光谱信号中反映出的相应频率的粒子扰动也被ＲＨＦ所     

Multitarget Detection Using a Hybrid Optical Joint Transform Correlator with Power Spectrum Subtraction

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＦｏｒｍｕｌｔｉｔａｒｇｅｔｄｅｔｅｃｔｉｏｎ,ｔｈｅｊｏｉｎｔｔｒａｎｓｆｏｒｍｃｏｒｅｌａｔｏｒ（ＪＴＣ）ｉｓａｎｅｘｔｒｅｍｅｌｙｕｓｅｆｕｌａｒｃｈｉｔｅｃｔｕｒｅ［１］．ＨｏｗｅｖｅｒｔｈｅｃｌａｓｉｃａｌＪＴＣｐ...     

Study on RF Excited Waveguide CO_2 Laser with Two Different Channels

１　Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ＴｈｅＲＦｅｘｃｉｔｅｄｗａｖｅｇｕｉｄｅＣＯ２ｌａｓｅｒｓｈａｖｅｂｅｅｎｄｅｖｅｌｏｐｅｄｆｏｒａｂｏｕｔｔｗｏｄｅｃａｄｅｓａｎｄｍａｄｅａｇｒｅａｔｐｒｏｇｒｅｓｓ．ＴｈｉｓｉｓｄｕｅｔｏｔｈｅｆａｃｔｔｈａｔＲＦｄｉｓｃｈａｒｇｅｈａｓｓｅｖｅｒａｌａｄｖａｎｔａｇｅｓｏｖｅｒｄｃｄｉｓｃｈａｒｇｅ［１,２］,ｓｕｃｈａｓｇｒｅａｔｅｒｓｔａｂｉｌｉｔｙａｔｈｉｇｈｅｒｐｏｗｅｒｌｏａｄｉｎｇｓ,ｌｏｗｅｒｏｐｅｒａｔｉｎｇｖｏｌｔａｇｅｓ,ｌｏｎｇｌ…     

Study of RF Excited CO 2 Waveguide Laser Array

Ｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎ　　ＴｈｅＲＦｅｘｃｉｔｅｄｔｅｃｈｎｉｑｕｅｔｏＣＯ２ｗａｖｅｇｕｉｄｅｌａｓｅｒｈａｓｂｅｅｎｒａｐｉｄｌｙｉｍｐｒｏｖｅｄ．ＭａｎｙｎｅｗｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｈａｓａｐｐｅａｒｅｄｓｉｎｃｅＫ．Ｄ．Ｌａａｋｍａｎ［１］ｍａｄｅｆｉｒｓｔｌｙｏｕｔｔｒａｎｓｖｅｒｓｅｅｘｃｉｔｅｄｗａｖｅｇｕｉｄｅＣＯ２ｌａｓｅｒｆｉｒｓｔｉｎ１９７７,ｓｕｃｈａｓｃｏｈｅｒｅｎｔｐｈａｓｅｌｏｃｋｅｄ１×２ａｒｒａｙＣＯ２ｗａｖｅｇｕｉｄｅｌａｓｅｒｇｉｖｅｎｂｙＤ．Ｇ．Ｙｏｕｍ…     

HT─6B的Z_（eff）监测及RHF对杂质约束的影响

本文通过测量ＨＴ─６Ｂ等离子体中ＯⅥ的线辐射强度随放电参数的变化，利用杂质输运分析的数值结果，给出了在等离子体参数很大的变化范围内［ｎｅ＝（０．２－２．０）×１０（１３），ｑａ＝３－８．５］Ｚ（ｅｆｆ）及杂质相对浓度随放电参数的变化规律。在外加共振螺旋磁场（ＲＨＦ）抑制外撕裂模的实验中，ＯⅢ、ＣⅢ的线辐射测量表明ＲＨＦ具有改善杂质约束的迹象，此时光谱信号中反映出的相应频率的粒子扰动也被ＲＨＦ所抑制。     

用Cu_2O合成Y－123超导体的研究

用Ｃｕ_２Ｏ合成Ｙ－１２３超导体的研究兰玉成中国科学院物理研究所车广灿，吴非，陈红，贾顺莲，董成，赵忠贤中国科学院物理所超导实验室，北京１０００８０１９９５年１１月２７日收到一、引言众所周知，在高Ｔｃ氧化物超导体中，［ＣＵ－Ｏ］ｐ层或［Ｃｕ－Ｏ］ｐ链?..     

ZnSe∶Fe~(2 )的基态精细分裂和磁的各向异性理论研究

用双ＳＯ耦合模型推导了立方晶场中３ｄ４／３ｄ６离子５Ｄ态的哈密顿矩阵公式（２５×２５阶）．用该公式计算了晶体ＺｎＳｅ∶Ｆｅ２＋的基态精细结构分裂，研究了在外磁砀为０—３０Ｔ范围以及在［１００］和［１１１］方向的Ｚｅｍａｎ分裂、Ｒａｍａｎ移动和磁化强度．理论计算与实验符合很好．     

Pb_(0.85)Ca_(0.15)TiO_3纳米晶铁电—顺电相变的拉曼光谱研究

采用变温ＦＴ Ｒａｍａｎ技术测定了三种粒径Ｐｂ０．８５Ｃａ０．１５ＴｉＯ３纳米晶的居里温度。１７８９ｎｍ、２５．６９ｎｍ、和３６２５ｎｍ粒子的Ｔｃ分别为２７４℃,２６５℃,２９４℃。认为尺寸效应和掺杂引起的缺陷均对Ｔｃ产生影响。掺杂及焙烧不充分引起的晶体缺陷使居里点弥散。Ｅ（１ＴＯ）软模具有弱阻尼特征     

金属羰基化合物[CpFe(CO)_2]_2与金属氧化物表面作用的傅里叶变换漫反射和光声红外光谱研究

用漫反射红外光谱和光声红外光谱法研究了金属羰基化合物［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２］２Ｃｐ＝η５—Ｃ５Ｈ５与酸性、中性和碱性Ａｌ２Ｏ３及ＴｉＯ２的相互作用。结果表明，在Ａｌ２Ｏ３表面生成的衍生物种类及浓度与Ａｌ２Ｏ３的酸碱度明显相关。在酸性Ａｌ２Ｏ３表面，主要存在衍生物［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２Ｆｅ—Ｈ—Ｆｅ（ＣＯ）２Ｃｐ］＋及少量的ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（—Ｏ—）；在中性Ａｌ２Ｏ３表面存在ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（—Ｏ—）及较少的［ＣｐＦｅ（ＣＯ）］４；而在碱性Ａｌ２Ｏ３表面主要衍生物为［ＣｐＦｅ（ＣＯ）］４及少量ＣｐＦｅ（ＣＯ）２（—Ｏ—）。衍生物的相对浓度以酸性Ａｌ２Ｏ３表面最高，碱性Ａｌ２Ｏ３表面最低。在ＴｉＯ２表面，［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２］２结构基本未变，在空气中比较稳定，没有观察到衍生物的生成。测定了［ＣｐＦｅ（ＣＯ）２］２及其在ＴｉＯ２表面近红外漫反射光谱，指认了大部分观察到的光谱为羰基振动的合频和倍频，并尝试指认了少数光谱为高级（三级）倍频和多元组频（合频）。     

双荧光剂荧光光度法研究与应用--四溴荧光素*丁基罗丹明B体系

向离子缔合物ＧａＣｌ４ＢＲＢ（ＢＲＢ是丁基罗丹明Ｂ）的甲苯萃取液中,加入ｐＨ＝８．７的ＮａＯＨ－ＫＨ２ＰＯ４缓冲溶液,离子缔合物解析后ＢＲＢ进入水相。向其中加入与ＢＲＢ颜色相近的四溴荧光素（ＴＢＦ）,形成的ＢＲＢ２ＴＢＦ再被甲苯萃取,萃取液中加入正丁醇（甲苯：正丁醇＝１１）。因萃取液中ＢＲＢ２ＴＢＦ［１］的双荧光剂协同作用,提高了测定镓的灵敏度。     

再谈非均匀磁场对载流线圈的作用

本文将线圈磁通量Φｍ表示为空间点函数Φｍ＝Φｍ（ｅ ｙｃ，Ｚｃ），同样用虚位移方法，给出了任意载流线圈在 非均匀磁场中所受磁场合力计算公式Ｆ＝Ｉ Φｍ的一 般证明．弥补了文献［２］的不足．     

高Tc超导体YBaCuO（F）：磁性和ESR测量

本研究高Ｔｃ大块超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｂ（Ｆｘ）（其中ｘ＝０．０，０．５，０．７５，１．０，１．５，２．０，２．５）的磁性。Ｘ射线衍射实验表明相当多的Ｆ进入了ＹＢａＣｕＯ（１２３）晶格并被Ｏ空位俘获。用振动样品磁强计（ＶＳＷ）测试这些样品的质量比磁矩σ与温度Ｔ的关系，以及抗磁性磁滞回线。未掺氟样品的Ｔｃ为８９Ｋ，掺Ｆ（ｘ＝０．７５）的样品具有最高的Ｔｃ０＝９３Ｋ和最强的抗磁性。在１５０Ｋ样品     

BF+2注入加固硅栅PMOSFET的研究

系统地研究了ＢＦ＋２ 注入硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＰＭＯＳＦＥＴ） 阈值电压漂移与γ辐照总剂量之间的关系,深入地探讨了ＢＦ＋２ 注入抗γ辐射加固的机理．结果表明,ＢＦ＋２ 注入对硅栅Ｐｃｈａｎｎｅｌ ｍｅｔａｌｏｘｉｄｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＰＭＯＳ） 在γ辐照下引起的阈值电压漂移具有很强的抑制作用,ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳ 的最佳注入剂量范围为５ ×１０１４ —２ ×１０１５ ｃｍ － ２ ,分布在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面的Ｆ 原子抑制了γ辐照下在ＳｉＯ２／Ｓｉ 界面产生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷可能是ＢＦ＋２ 注入加固硅栅ＰＭＯＳＦＥＴ 的主要原因     

KH_2PO_4和（CH_3NHCH_2COOH）_3CaCl_2在高压下的状

在活塞圆筒式Ｐ～Ｖ关系测量装置上，研究了ＫＨ＿２ＰＯ＿４（ＫＤＰ）和（ＣＨ＿３ＮＨＣＨ＿２ＣＯ－ＯＨ）＿３ＣａＣＩ＿２［Ｔｒｉｓ－ｓａｒｃｏｓｉｎｅｃａｌｃｉｕｍｃｈｌｏｒｉｄｅ（ＴＳＣＣ）］在室温下、４．５ＧＰａ内的ｐ～Ｖ关系。实验结果表明：ＫＤＰ在２．１ＧＰａ左右有一个相变；ＴＳＣＣ在０．８ＧＰａ和３．２ＧＰａ左右各有一个相变。本工作还给出了它们在相变前后的状态方程，以及它们的格临爱森参数γＯ、体积模量Ｂ＿ｏ和Ｂ＿ｏ的压力导数Ｂ＿ｏ。     

自发有序Ga_（0．5）In_（0．5）P合金的喇曼光谱研究

在室温和非共振条件下测量了自发有序Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ合金的喇曼散射谱。测得的３８０，３６０和３３０ｃｍ－１附近的三个散射峰分别归结于合金中的类ＧａＰ的ＬＯ模、类ＩｎＰ的ＬＯ模和ＴＯＭ。发现有序合金的类ＧａＰ的ＬＯ模的声子频率随着合金的带隙能量的降低而增大。认为这与在有序合金中形成沿［１１１］方向的（ＧＳＰ）１／（ＩｎＰ）１单层超晶格有一定联系。在几种偏振配置下测得的有序合金的喇曼谱的偏振特性与通常的闪锌矿结构的半导体材料的偏振特性类似。     

热核表面能的Thomas－Fermi统计模型理论

用Ｓｅｙｌｅｒ－Ｂｌａｎｃｈａｒｄ动量相关非定域相互作用的含温Ｔｈｏｍａｓ－Ｆｅｒｍｉ统计理论，对半无穷大核物质模型计算了核物质表面能系数σ（Ｔ，δ）随温度Ｔ和不对称度δ的变化，发现在低温Ｔ≤５ＭｅＶ和不对称度δ≤０．２时，可以近似写成σ（Ｔ，δ）＝σ０（Ｔ）［１＋Ｋ（Ｔ）δ２］，其中σ０（Ｔ）和Ｋ（Ｔ）可以拟合成温度Ｔ的二次函数．     

Y稳定的ZrO_2基体上YBa_2Cu_3O_7／SrTiO_3／YBa_2Cu_3O_7异质外延三层膜的制备、超导性能和显微结构

采用磁控溅射方法在（１００）ＹＳＺ基底上沉积了ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７／ＳｒＴｉＯ３／ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７异质外延三层膜，利用交流磁化率和四引线电阻测量的方法确定了三层膜的超导性能，利用Ｘ射线衍射和透射电子显微镜研究了三层膜的结构特征．研究结果表明，膜层的结晶质量较好，临界转变温度Ｔｃ在８３．Ｋ和８６．７Ｋ之间．ＹＢＣＯ膜层中的绝大多数甚至全部）晶粒为Ｃ取向，在有些膜中只存在少量的ａ或ｂ取向的ＹＢＣＯ晶粒．三层膜中层界面比较清晰但不十分平整．在膜／基界面处有８－１０ｎｍ厚的过渡层，它由多晶的ＢａＺｒＯ３组成．膜层和（１０）ＹＳＺ基底之间具有如下的外延生长关系ＹＳＺ［００１］／／ＹＢＣＯ［１１０］／／ＳｒＴｊＯ３［１１０］；ＹＳＺ（１００）／／ＹＢＣＯ（００１）／／ＳｒＴｉＯ３（００１）．     

受激布里渊散射相位共轭现象的二维数值模拟

使用Ｐ．Ｈ．Ｈｕ等人［３，４］提出的计算途径，数值解了Ａ．Ｆｌｕｓｂｅｒｇ等人［２］提出的零级方程．计算了布里渊池内随位置而变化的斯托克斯光强度、泵浦光强度和保真度，得到了布里渊池内几个位置上的斯托克斯光相位和强度的横向分布，并计算了泵浦光入口处的反射率和保真度。     

含MoFe3S4单元的μ2-OR或μ2-SR桥联双类立方烷簇合物的红外光谱研究

对下列含ＭｏＦｅ３Ｓ４ 单元的μ２－ＯＲ或μ２ －ＳＲ桥联双类立方烷簇合物的红外光谱进行了研究：（Ｅｔ４ Ｎ）３［Ｍｏ２Ｆｅ６ Ｓ８Ｃｌ６ （ＯＭｅ）３ ］（１）,（Ｅｔ４ Ｎ）３ ［Ｍｏ２ Ｆｅ６ Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（２）,（Ｂｕ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）６ （ＯＭｅ）３ ］（３）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＢｕｔ）６（ＯＭｅ）３］（４）,（Ｅｔ４Ｎ）３ ［Ｍｏ２Ｆｅ６Ｓ８ （ＳＰｈ）９ ］（５）。通过这系列簇合物特征振动频率和结构参数及与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的比较,对其νＭ ｏ－μ２Ｏ（Ｒ） ,νＭ ｏ－μ２Ｓ（Ｒ）,νＭ ｏ－Ｓ,νＦｅ－Ｓ,νＦｅ－ＳＲ,νＦｅ－Ｃｌ 进行了归属。对其中两条途径的亲电诱导效应及Δν（即νＭ ｏ－Ｓ－νＦｅ－Ｓ）与Ｆｅ→Ｍｏ 电荷迁移的关系进行了探讨。最后,讨论了桥联双类立方烷与线型Ｍｏ－Ｆｅ－Ｓ簇合物红外光谱的共性和差异。     

光激电流谱的测试

用光激瞬态电流谱ＯＴＣＳ（ｏｐｉｔａｌｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｃｕｎｅｎｔｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）方法对ＩｎＰ∶Ｆｅ进行了初步测试。目的是研究半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中的深能级，了解其作为光电器件、高速器件衬底的稳定性。在低温下，用强光发现半绝缘ＩｎＰ∶Ｆｅ中存在两深能级，分别是ＥＴ＝０．３４ｅＶ的电子陷阱和ＥＴ＝１．１３ｅＶ的空穴陷阱。