HT-6B TOKAMAK装置利用低混杂波驱动电流实现约束改善

在HT-6B TOKAMAK装置上,利用低混杂波驱动电流实现了等离子体约束改善,粒子约束时间增加2～6倍,等离子体内能增加一倍,低混杂波驱动电流改善约束存在一密度窗口:n_e=(0.3～1.5)×10¹³cm^-3,约束改善时伴随着边界快扰动的抑制和边界电子温度梯度的增大,此约束改善的功率阈值较低,最后讨论了此约束改善的物理机制,分析表明此约束改善现象可能是低混杂波在等离子体内产生一定数量具有一定能量的高能电子所造成.     

THE IMPURITY TRANSPORT IN HT-6B TOKAMAK

The quasi-stationary profiles of the impurity ionization stages in HT-6B Tokamak were absolutely determined by monitoring the VUV and visible line emissions. An impurity transport code was set up. The impurity transport coefficients and other parameters about impurities were determined. From the changes of impurity emission profiles, it was concluded that the impurity confinement was improved and the impurity recycling was reduced by the slow magnetic compression along the minor radius. Some characteristics about the impurity transport in this small device are discussed.     

HT─6B的Z_（eff）监测及RHF对杂质约束的影响

本文通过测量ＨＴ─６Ｂ等离子体中ＯⅥ的线辐射强度随放电参数的变化，利用杂质输运分析的数值结果，给出了在等离子体参数很大的变化范围内［ｎｅ＝（０．２－２．０）×１０（１３），ｑａ＝３－８．５］Ｚ（ｅｆｆ）及杂质相对浓度随放电参数的变化规律。在外加共振螺旋磁场（ＲＨＦ）抑制外撕裂模的实验中，ＯⅢ、ＣⅢ的线辐射测量表明ＲＨＦ具有改善杂质约束的迹象，此时光谱信号中反映出的相应频率的粒子扰动也被ＲＨＦ所抑制。     

HT-6B TOKAMAK装置放电特性与运行区结构

在HT-6B TOKAMAK装置的运行区中,发现五种不同特性的放电区,两种主要的典型放电区为锯齿区(Sawtooth)和MHD振荡区,在此二区之间存在一个过渡区,它可以出现锯齿或MHD振荡两种放电状态,在低密度情况下出现高能电子区和逃逸区,在低q(a)的过渡区及其附近发现一个共振区,外加共振螺旋场(RHF)在共振区中有强烈地抑制MHD振荡,放大锯齿波形和改善放电等多种作用;离开共振区则其作用减小以至消失。     

低杂波驱动电流改善等离子体约束的光谱测量

在ＨＴ－６Ｂ托卡马克低杂波驱动电流（ＬＨＣＤ）的同时，等离子体的粒子及能量约束也随之发生改善。我们从空间多道Ｈα线的测量推算出ＬＨＣＤ可将等离子体粒子约束时间提高１－５倍，介绍了我们的分析过程，ＨＴ－６Ｂ上的Ｈα线测量还表明粒子约束的改善程度与低杂波（ＬＨＷ）的注入功率无明显依赖关系；改善粒子约束的发生与超热电子的产生相对应，通过观察边界层ＯＩＩ两条不同激发电位的谱线强度比的变化，发现等离子体在约束改善的同时，具有边界电子温度梯度增大的类Ｈ模现象。 关键词：