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1.
以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20-300 nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095 cm-1)及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440 nm(2.83 eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级. 相似文献
2.
以二茂铁和硅油作为催化剂和原料,利用高温裂解硅油为C,Si,O源,在常压N2和H2混合气氛的化学气相沉积管式炉中制备了大量直径为5—40 nm、长数百纳米的非晶SiO2纳米线簇及粒径为100—300 nm的C-Si-O实心纳米球. 利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜对产物形貌进行表征.Fourier红外吸收谱显示出非晶SiO2所具有的474,802和1100 cm-1三个特征峰;SiO2纳米线簇的光致发光光谱具有较强440 nm蓝光发光峰;而C-Si-O(原子数之比为1.13∶1∶2.35)纳米球具有奇特的红绿蓝(625,540,466 nm)三色光致发光谱.
关键词:
2纳米线簇')" href="#">SiO2纳米线簇
C-Si-O纳米球
高温裂解
Fourier红外谱 相似文献
3.
采用螺旋波等离子体化学气相沉积技术以N2/SiH4/H2为反应气体制备了镶嵌有纳米非晶硅颗粒的氢化氮化硅薄膜,通过改变N2流量实现了薄膜从红到蓝绿的可调谐光致发光.傅里叶红外透射和紫外-可见光吸收特性分析表明,所生长薄膜具有较高的氢含量,N2流量增加使氢的键合结构发生变化,非晶硅颗粒尺寸减小,所对应的薄膜的光学带隙逐渐增加和微观结构有序度减小.可调光致发光(PL)主要来源于纳米硅颗粒的量子限制效应发光,随N2流量增加,PL的谱线展宽并逐渐增强.
关键词:
傅里叶红外透射谱
光吸收谱
纳米硅粒子镶嵌薄膜
光致发光 相似文献
4.
采用等离子体增强化学气相沉积法, 以NH3与SiH4为反应气体, n型单晶硅为衬底, 低温(220 ℃)沉积了富硅氮化硅(SiNx)薄膜. 在N2氛围中, 于500–1100 ℃ 范围内对样品进行了热退火处理. 采用Raman 光谱技术分析了薄膜内硅量子点的结晶情况, 结果表明, 当退火温度低于950 ℃时, 样品的晶化率低于18%, 而当退火温度升为1100 ℃, 晶化率增加至53%, 说明大部分硅量子点都由非晶态转变为晶态. 实验通过Fourier 变换红外吸收(FTIR)光谱检测了样品中各键的键合结构演变, 发现Si–N键和Si–H键随退火温度升高向高波数方向移动, 说明了薄膜内近化学计量比的氮化硅逐渐形成. 实验还通过光致发光(PL)光谱分析了各样品的发光特性, 发现各样品中均有5个发光峰, 讨论了它们的发光来源, 结合Raman光谱与FTIR光谱表明波长位于500–560 nm的绿光来源于硅量子点, 其他峰则来源于薄膜内的缺陷态. 研究了硅量子点的分布和尺寸对发光带移动的影响, 并根据PL峰位计算了硅量子点的尺寸, 其大小为1.6–3 nm, 具有良好的限域效应. 这些结果有助于制备尺寸不同的硅量子点和基于硅量子点光电器件的实现.
关键词:
硅量子点
氮化硅薄膜
光致发光
Fourier 变换红外吸收 相似文献
5.
利用化学气相沉积法(CVD),气-液-固(VLS)生长法则在表面溅有金属Au催化剂层的1 cm×1 cm的Si片上制备三元Zn2GeO4纳米线。X射线衍射仪(XRD)测试结果表明,锌源与锗源质量比为8:1时可成功制备出Zn2GeO4纳米结构;扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,Zn2GeO4纳米线直径为100 nm,长度为10~11 μm;光致发光(PL)测试结果表明,Zn2GeO4纳米线在432和480 nm处具有两个发光峰,最后对其生长机理进行了分析。 相似文献
6.
利用电化学沉积方法在阳极氧化铝模板中制备了Fe89.7P10.3非晶 合金纳 米线阵列.利用x射线衍射仪、透射电子显微镜、振动样品磁强计和穆斯堡尔谱仪研究了样品的结构和磁性,发现纳米线阵列是非晶结构,且拥有垂直磁各向异性和高的矫顽力,Hc =304×104A/m.纳米线内部的平均超精细场和平均同质异能移分别为2 15×106 A/m和007 mm/s;而纳米线末端的平均超精细场(233×106 A/m )大于内 部的值,平均同质异能移(004 mm/s)小于内部的值.另外,纳米线内部Fe原子磁矩与线轴的夹角约为16°,而在纳米线末端Fe原子磁矩与线轴的夹角约为28°.这些结果表明,由于形状各 向异性,在纳米线中实现了无序非晶合金磁矩的有序排列.
关键词:
非晶合金
纳米线阵列
垂直磁各向异性
穆斯堡尔谱 相似文献
7.
本文报道用铂丝光热吸收池作为探测器得到了CF3CDCI2的红外多光子吸收谱。并发现在线性吸收谱中944cm-1处的吸收峰在多光子吸收谱中分裂为947cm-1和927cm-1两个吸收峰。这一现象与科里奥利力和非谐性引起的简正振动的耦合作用有关。这样,在用CF3CDCI2/CF3CHCI2体系分离氘同位素时,可以根据这一新结果选择更合适的激发波长。实验还发现在线性吸收谱中986cm-1处的吸收峰在多光子吸收谱中出现约6cm-2的红移。这种红移现象起源于分子振动能级的非谐性。
关键词: 相似文献
8.
采用化学气相沉积法系统研究了合成温度和N2/O2流量对生长在碳纤维衬底上的SnO2纳米线形貌及场发射性能的影响规律. 利用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM), X射线衍射(XRD)及能谱仪(EDS)对产物细致表征, 结果表明, SnO2纳米线长径比随反应温度的升高而增大; 随N2/O2流量比值的增大先增大后变小, 场发射测试表明, 合成温度780 ℃, N2/O2流量比为300 : 3 时SnO2纳米线阵列具有最佳的场发射性能, 开启电场为1.03 V/μm, 场强增加到1.68 V/μm时, 发射电流密度达0.66 mA/cm2, 亮度约2300 cd/m2. 相似文献
9.
利用金属有机气相外延方法研究了非故意掺杂GaN薄膜的方块电阻与高温GaN体材料生长时载气中N2比例的关系.研究发现,随着载气中N2比例的增加,GaN薄膜方块电阻急剧增加.当载气中N2比例为50%时,GaN薄膜方块电阻达1.1×108Ω/□,且GaN表面平整,均方根粗糙度为0.233nm.二次离子质谱分析发现,载气中N2比例不同的样品中碳、氧杂质含量无明显差别.随着载气中N2比
关键词:
半绝缘GaN薄膜
载气
金属有机气相外延
位错 相似文献
10.
利用电化学方法在室温下成功地沉积了类金刚石(DLC)薄膜和非晶CNx薄膜,并 对制备条件进行了讨论.通过扫描电子显微镜、傅里叶变换红外光谱技术,分析了薄膜的表面形貌和化学结合状态.场发射测量结果表明:DLC膜和非晶CNx的开启场分别为88和 10V/μm;并且在23V/μm的电场下,DLC膜和非晶CNx膜的发射电流密度分别达到10 和037mA/cm2.
关键词:
电化学沉积
类金刚石薄膜
x薄膜')" href="#">CNx薄膜
场致电子发射 相似文献
11.
The Fe100-xMox(13≤x≤25) alloy nanowire arrays are synthesized by electrodeposition of Fe 2+ and Mo 2+ with different ionic ratios into the anodic aluminum oxide templates.The crystals of Fe100-xMox alloy nanowires gradually change from polycrystalline phase to amorphous phase with the increase of the Mo content and the nanowires are of amorphous structure when the Mo content reaches 25 at%,which are revealed by the X-ray diffraction and the selected area electron diffraction patterns.As the Mo content increases,the magnetic hysteresis loops of Fe100-xMox alloy nanowires in parallel to the nanowire axis are not rectangular and the slopes of magnetic hysteresis loops increase.Those results indicate that the magnetostatic interactions between nanowires and the magnetocrystalline anisotropy both have significant influences on the magnetization reversal process of the nanowire arrays. 相似文献
12.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在蓝宝石(0001)衬底上制备出了Ga2(1-x)In2xO3(x=01—09)薄膜,研究了薄膜的结构、电学和光学特性以及退火处理对薄膜性质的影响.测量结果表明:当In组分x=02时,样品为单斜β-Ga2O3结构;x=05的样品,薄膜呈现非晶结构,退火处理后薄膜结构得到明显的改善
关键词:
金属有机物化学气相沉积
2(1-x)In2xO3薄膜')" href="#">Ga2(1-x)In2xO3薄膜
蓝宝石衬底
退火 相似文献
13.
利用Keating模型计算了Si(1-x)Gex合金中Si—Si,Ge—Ge和Si—Ge三种振动模态的拉曼频移,计算分别获得Ge浓度为01,05和09时,Si—Ge的振动拉曼频移分别为40275,41339和38815 cm-1,这些结果与文献的实验结果符合,证明了Keating模型建立的关于原子振动模型是有效的,并可以利用拉伸压缩和相邻原子键之间弹性系数变化获得处于应变状态的拉曼光谱频率.利用Kea
关键词:
Keating模型
拉曼光谱
(1-x)Gex')" href="#">Si(1-x)Gex
非晶硅 相似文献
14.
15.
利用金辅助金属有机化学气相沉淀法(MOCVD)在GaAs(111)B衬底上分别制备了InAs/GaAs和InAs/In x Ga1-xAs/GaAs(0≤x≤1)纳米线异质结构.实验结果显示,直接生长在GaAs纳米线上的InAs纳米线生长方向杂乱或者沿着GaAs纳米线侧壁向衬底方向生长,生长的含有In x Ga1-xAs组分渐变缓冲段的InAs/In x Ga1-x关键词:
纳米线异质结构
xGa1-xAs')" href="#">InxGa1-xAs
组分渐变缓冲层
金属有机化学气相沉淀法 相似文献
16.
H.T. Hsueh S.J. Chang F.Y. Hung W.Y. Weng C.L. Hsu T.J. Hsueh T.Y. Tsai B.T. Dai 《Superlattices and Microstructures》2011
The authors report the deposition of Cu2O onto vertically well aligned ZnO nanowires by DC sputtering. The average length, average diameter and density of these VLS-synthesized ZnO nanowires were 1 μm, 100 nm and 23 wires/μm2, respectively. With proper sputtering parameters, the deposited Cu2O could fill the gaps between the ZnO nanowires with good step coverage to form coaxial p-Cu2O/n-ZnO nanowires with a rectifying current–voltage characteristic. Furthermore, the fabricated coaxial p-Cu2O/n-ZnO nanowire photodiodes exhibit reasonably large photocurrent-to-dark-current contrast ratio and the fast responses. 相似文献
17.
18.
19.
利用第一性原理计算得到C掺杂ZnO的电子结构,发现系统具有半金属的电子结构.从态密度的分析可以看到Zn-3d和C-2p电子具有强烈的杂化作用,这是体系具有相对稳定铁磁基态的原因.利用第一性原理得到的磁性耦合强度并结合蒙特卡罗模拟得到了C掺杂浓度为555%,833%,125%的ZnO1-xCx分别具有210 K,260 K,690 K的居里温度.同时,详细地分析了C掺杂引起的电子转移和C,Zn,O的s,p和d电子的自旋向上和自旋向下电子数的变化.通过比较研究,发现ZnO1-xCx的局域磁矩主要来源于Zn-3d 电子和C-2p 电子之间的相互作用,而局域磁矩耦合倾向于RKKY耦合.
关键词:
1-xCx')" href="#">ZnO1-xCx
磁性
第一性原理
蒙特卡罗模拟 相似文献
20.
采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上沿c轴方向生长单晶Zn1-xMgxO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱(PL)研究了膜厚、Mg含量、退火温度及氧气氛等制备工艺对Zn1-xMgxO薄膜的结构、形貌和光学性质的影响.实验结果表明,Mg含量x≤0.15时, Zn关键词:
1-xMgxO薄膜')" href="#">Zn1-xMgxO薄膜
制备工艺
结构
光学性质 相似文献