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| 不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究 | |
| 引用本文： | 郑立仁,黄柏标,尉吉勇.不同气氛下SiOx纳米线的制备及形貌、红外、光致发光研究[J].物理学报,2009,58(4). |
| 作者姓名： | 郑立仁 黄柏标 尉吉勇 |
| 作者单位： | 1. 泰山学院物理与电子科学系,泰安,271021;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 2. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 3. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学化学与化工学院,济南,250100 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划(973计划)，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 以N2/H2、N2或NH3为载气,利用碳辅助化学气相沉积法,常压1140℃下在石英衬底上制备了大量直径为20-300 nm,长数百微米的非晶SiOx纳米线.制备得到的纳米线具有高度定向生长的特性.利用透射电子显微镜、扫描电子显微镜及电子能谱对SiOx纳米线的形貌及组分进行了分析,Si与O原子之比为1∶1.8.傅里叶红外吸收谱显示了非晶氧化硅的三个特征峰(482,806和1095 cm-1)及1132 cm-1无序氧化硅结构的强吸收峰.SiOx纳米线光致发光光谱(PL)在440 nm(2.83 eV)处具有较强的荧光峰;N2为载气生长的SiOx纳米线的PL峰强比NH3为载气生长的SiOx纳米线峰强大四个数量级. |
| 关 键 词： | SiOx纳米线 碳辅助化学气相沉积法 傅里叶红外吸收 光致发光 |
Preparation of SiOx nanowires in different atmosphere, their morphology, PL and FTIR properties |
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| Zheng Li-Ren,Huang Bai-Biao,Wei Ji-Yong.Preparation of SiOx nanowires in different atmosphere, their morphology, PL and FTIR properties[J].Acta Physica Sinica,2009,58(4). | |
| Authors: | Zheng Li-Ren Huang Bai-Biao Wei Ji-Yong |
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| Keywords: | |
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