嘧啶与苯环对分子器件伏—安特性影响的差异研究

利用从头计算方法和弹性散射格林函数理论,对四苯分子和二嘧啶二苯分子电输运性质进行理论研究。结果显示,四苯分子比二嘧啶二苯分子具有更好的电输运能力,二嘧啶二苯分子显示出较好的整流特性。四苯分子较好的电输运性能源于其部分分子轨道同时与两电极均有较好耦合,而二嘧啶二苯中,由于结构的不对称,使得对导电起主要贡献的分子轨道都局域于体系的一端。     

六元杂环分子电学特性的理论研究

在第一性原理基础上，利用弹性散射格林函数方法，研究了六元杂环分子结2,5-哒嗪二硫酚 、2,5-吡嗪二硫酚和2,5-嘧啶二硫酚的电子输运特性，分析了终端原子的选取对杂环分子吡 啶电学特性的影响. 利用分子前线轨道理论和微扰方法定量地确定了分子与金属的相互作用 能参数. 计算结果表明，2,5-哒嗪二硫酚具有较好的电学特性，而2,5-嘧啶二硫酚在外加电 压较低时电导值比较小. 对于吡啶分子，选取硒原子作为终端原子时，其导电特性优于分别 以氧原子和硫原子作为终端原子的情况. 关键词： 六元杂环分子 伏安特性 电子输运 分子电子学     

[(Ge5)Fe]∞/四元环二嵌段共聚小分子/[(Ge5)Fe]∞分子结自旋输运性质

采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的计算方法,研究四元环二嵌段共聚小分子自旋输运性质以及嵌入嘧啶基对分子结输运性质的影响。研究发现中心区为4,4ˊ-二苯基联苯分子时,在极小偏压,磁阻接近于无穷大,随着偏压的增大磁阻逐渐减小,在较大偏压下磁阻变为负值。当嵌入嘧啶基后,在一定的偏压下,嵌入2个嘧啶基的分子结磁阻接近零,嵌入3个嘧啶基结构,磁阻小于零,嵌入4个嘧啶基结构时,磁阻最大。通过分析五种分子结在非平衡态下的透射谱,进一步对这些特性进行分析。     

4,6-二甲氧基-2-嘧啶氨基甲酸甲酯分子结构与光谱

运用密度泛函理论B3LYP方法,6-311G*和6-311 G*基函数对4,6-二甲氧基-2-嘧啶氨基甲酸甲酯分子结构与光谱性质进行理论研究,得到分子的平衡结构参数和最大吸收波长.4,6-二甲氧基-2-嘧啶氨基甲酸甲酯分子具有Cs对称性和较大的前线轨道能隙值.基函数对计算结果无影响.     

外加电压对分子器件电子输运特性的影响：非线性输运性质

根据第一性原理计算了由外电场引起的分子的几何结构和电子结构的变化，并利用弹性格林函数的方法计算了分子器件的电输运特性，从而研究了外电场对1,4-苯二硫酚分子电子输运特性的影响。计算结果表明，对于前线分子轨道，能级的移动和分子末端格点的展开系数在低电压范围内随外电压基本成线性变化。外电场对分子器件的伏安特性有很明显的影响，特别是对电导曲线的形状。考虑电场后的理论结果与实验结果符合得较好。     

联苯二胺分子器件电输运特性的取代效应

在第一性原理基础上,理论研究了苯环上含有不同取代物的四个联苯分子的电输运特性.计算结果表明,当苯环上的氢被取代时,联苯分子的两个苯环之间的扭转角增大.分子结的电导随苯环间扭转角的增加而减少,且电导值与扭转角余弦平方成线性关系.在低偏压下,分子结的电输运机制是电子通过π轨道的隧穿过程.计算结果与实验结果符合的较好.     

同分异构体分子器件的电输运特性

利用从头算理论和弹性散射格林函数的方法,计算杂环分子体系同分异构体的电导和电流.结果表明,扩展分子轨道和耦合系数是影响分子体系电输运特性的两个重要因素.各同分异构体中氮原子位置和终端原子的不同,使其分子轨道的扩展性和与电极的耦合程度存在差别,导致其电输运特性的差异.     

联苯二胺分子器件电输运特性的取代效应

在第一性原理基础上,理论研究了苯环上含有不同取代物的四个联苯分子的电输运特性。计算结果表明，当苯环上的氢被取代时，联苯分子的两个苯环之间的扭转角增大。分子结的电导随苯环间扭转角的增加而减少,且电导值与扭转角余弦平方成线性关系。在低偏压下，分子结的电输运机制是电子通过 轨道的隧穿过程。计算结果与实验结果符合的较好。     

二苯二硫和二苄二硫润滑性能的量子化学研究

用Gaussian03W程序在B3LYP/631G和HF/631G水平上对二苯二硫(DPDS)和二苄二硫(DBDS)的分子几何构型、电子结构、分子轨道指数及与铁原子簇的相互作用等进行了理论计算.用前线分子轨道理论分析了反应的活性原子和活性键,讨论了DPDS和DBDS与铁原子的作用方式,用前线电子密度,超离域性指数,原子净电荷及化合物与铁原子簇的化学吸附作用能等参数作为判据分析了DPDS和DBDS与铁原子间键合的强弱,反应性的大小.计算结果表明DPDS和DBDS与铁接触时,趋向于S-S键与C-S键断裂,在较为缓和的摩擦条件下,DPDS的抗磨作用优于DBDS,在较为苛刻的摩擦条件下,DBDS的极压作用优于DPDS,与摩擦学试验结果一致.     

分子的位置取向对分子器件电输运特性的影响

以1,4-二硫酚(DTB)分子为研究对象，利用第一性原理计算方法和非平衡格林函数理论，研究了分子的位置取向对分子电子结构以及分子结电输运性质的影响.计算结果表明，分子位置取向的改变会影响分子的电子结构，从而影响分子体系的电输运特性，扩展分子的平衡态不是电子输运的最佳状态，适当调节分子的位置取向可以提高分子的电输运特性. 关键词： 位置取向 电子输运 分子电子学     

基于Matlab分析负荷对多联机IPLV的影响

多联机有其特殊的优点,但是不同部分负荷的组合对IPLV的影响仍需进一步研究。文中建立IPLV与部分负荷的相关公式,运用MATLAB软件分析不同卸载级负荷与IPLV的关系,从而确定不同部分负荷的最优组合。     

超声波对木瓜蛋白酶催化活性影响的机理研究

木瓜蛋白酶经适当参数的超声波处理后酶活力提高。超声处理后酶的米氏常数Km变小,最大反应速率Vm也减小。超声处理后酶的紫外吸收光谱不变,荧光发射光谱也不改变,而差示光谱出现明显的正峰和负峰。研究结果表明,超声波处理后,木瓜蛋白酶的构型没有改变,而构象发生了变化。本文讨论了超声波影响木瓜蛋白酶活性的可能机理。     

缺陷对钠在石墨烯上吸附性能的影响

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了本征石墨烯和缺陷石墨烯吸附钠原子的电荷密度、吸附能、态密度和储存量.结果表明,本征石墨烯中,钠原子的最佳吸附位置为H位,缺陷石墨烯中,钠原子的最佳吸附位置为T_D位.缺陷石墨烯对钠原子的吸附能是-4.423 eV,约为本征石墨烯对钠原子吸附能的2.5倍;钠原子与缺陷石墨烯中的碳原子发生轨道杂化,而与本征石墨烯没有发生轨道杂化现象.缺陷石墨烯能够吸附10个钠原子,与本征石墨烯相比显著提高.因此,缺陷石墨烯有望成为一种潜在的储钠材料.     

Effect of ultrasound on adsorption of Geniposide on polymeric resin

The effects of pulse ultrasound with different pulse parameter on the adsorption isotherm and kinetics of Geniposide on Resin 1300 were studied. And the mass transfer model describing the adsorption process was constructed. Amount of Geniposide adsorbed on Resin 1300 in the presence of ultrasound is lower than that in the absence of ultrasound. At our experimental conditions, the adsorption equilibrium constant decreases with increasing ultrasonic intensity and pulse duty ratio, and with decreasing pulse period. In addition, pulse ultrasound can enhance both liquid film diffusion and intraparticle diffusion, and the intensification of liquid film diffusion with pulse ultrasound is stronger than that of intraparticle diffusion. The intraparticle diffusion coefficient D(e)/R2 increases with increasing ultrasonic intensity and pulse duty ratio, and with decreasing pulse period.     

应力对硅烯上锂吸附的影响

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究了双轴应力作用下锂原子吸附硅烯的结构及其稳定性. 计算结果表明,在拉应力和一定的压应力作用下,锂吸附的硅烯体系基本保持原有的结构. 而当更大的压应力作用时,硅烯产生了向锂原子方向凸起的结构变化,所得到的体系的总能也有明显地下降. 本文通过对各种应力下的硅烯声子谱的计算,分析了在压应力作用下锂吸附的硅烯结构不稳定的原因. 关键词： 硅烯 应力 第一性原理 声子谱     

Effect of CO on hydrogen adsorption on palladium

Coadsorption of H₂ and CO on Pd has been studied using TDS and ESD techniques. It has been observed that the presence of 10% CO in the H₂ dosing gas during exposure gives rise to a drastic change in the TDS spectra of H₂ compared to the case when only H₂ is separately adsorbed. Furthermore, significant modifications occur in the ESD energy distribution of CO⁺ and H⁺ as a result of coadsorption of H₂ and CO. These observations are taken as evidence of adsorbate interaction possibly resulting in formation of an HCO surface complex.     

五边形石墨烯负载Pt单原子稳定性能的应变调控

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了Pt原子在五边形石墨烯(PG)上的吸附与动力学行为.研究结果表明,单个Pt原子在PG上虽然具有较大的吸附能及较高的扩散势垒,却不能够在衬底形成均匀分散的单原子.这是因为,随Pt原子数增加,Pt_n(n=1, 2, 3)在PG上的平均结合能也逐渐增加,更倾向于形成团簇,该发现有效否定了之前的报道称Pt能在PG上形成稳定的单原子催化剂这一结论(Phys. Chem. Chem. Phys. 21, 12201 (2019)).基于此,我们考虑对PG施加双轴应变,随着拉伸应力增加,Pt金属原子间的平均结合能逐渐降低,当拉伸应变施加至12%左右时,单个Pt在衬底上的结合能与Pt₂在衬底上的平均结合能相等,从而实现PG上均匀分散的Pt单原子催化剂.该结果对五边形石墨烯基材料应变调控实现单原子催化剂提供理论借鉴.     

The influence of potassium on the adsorption of hydrogen on iron

Preadsorption of potassium on Fe(100) and (111) surfaces causes an increase of the adsorption energy of hydrogen by about 2 kcal/mole and a lowering of the sticking coefficient for hydrogen adsorption by about a factor of two. Work function measurements indicate the existence of electronic interactions.     

缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响

InSb是制作3~5μm红外探测器的重要材料。在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响。通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响。利用高能电子衍射仪(RHHEED)得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响。采用原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线双晶衍射(DCXRD)等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量。通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172″,77 K下迁移率为64300 cm²·V^-1·s^-1的InSb外延层。     

论卫星抛射点在椭圆运动轨道上的位置

详细分析了人造地球卫星的椭圆轨道方程和在各种情况下卫星的抛射点在其椭圆运动轨道上的位置.