CdGd2(WO2)4单晶的顺磁共振谱研究

通过粉末XRD测定了CdGd₂(WO₂)₄单晶的晶格常数,由σ- T和ESR实验得出晶体具有顺磁性,但又具有磁各向异性,探讨了晶体的磁各向异性与晶体结构的关系,计算了各向异性g²张量,所得结果和实验符合甚好.      

MgF2单晶的THz光谱研究

利用THz时域光谱技术对MgF2晶体(样品1)和MgF2:Co晶体(样品2)在0.5-2.5THz的吸收特性进行了研究.在0.5-2.5 THz波段,样品1吸收系数α(ν)随频率ν增加而增大,最大值为24 cm-1.样品2的吸收系数比样品1大得多,Co掺杂使晶格吸收带边向低频移动,而且样品2在1.9THz有吸收峰,吸收系数达到70 cm-1,由此求出F--Co2+离子键伸缩振动的键力常数K为3.40×10-2 N/cm.这一结果表明,THz光谱分析有可能成为研究晶体化学键的一种重要手段.利用光学常数之间的关系计算了两个样品在0.5-2.5 THz的介电函数的实部ε1(ν),得到样品1的ε1(ν)值在4.67至4.73之间,样品2的ε1(ν)值在4.62至5.01之间.     

谱-空间2D ESR成像

在Bruker ER 200D ESR 谱仪上安装一套自制的谱-空间2D ESR成像系统,这套系统由一对梯度场线圈、电源、微机及图像重建程序组成. 用滤波反投影图像重建方法,实现了两种自由基样品的谱-空间2D ESR成像,由2D 图像得到样品中自由基的自旋密度空间分布及相应的波谱参数. 讨论了成像参数与图像精度的关系.     

基于M壳层辐射的Si K边X射线吸收近边结构谱实验研究

基于纳秒高功率激光辐照高原子序数靶材产生的等离子体M壳层X射线辐射,利用椭圆柱面晶体谱仪进行薄膜单晶Si样品的K边X射线吸收近边结构谱(XANES)静态实验研究;通过详细介绍实验方案,分析椭圆柱面晶体谱仪的原理,得到谱仪的位置-能量色散关系,并对Au、Lu、Yb、Dy、Ta、Co这6种靶材产生的等离子体X射线光谱进行比较。结果表明:通过比较这6种靶材产生的等离子体X射线光谱后发现,在Si的K边(1839eV)附近,Lu、Yb、Dy靶材的激光等离子体M壳层辐射相对其他几种靶材具有较高的光谱亮度,对应的XANES的信噪比较好;实验获得的XANES与FEFF9.0软件计算结果基本符合,验证了单发获得的静态实验数据是可靠的。     

强场物理中自生磁场的实验研究

为了获得飞秒激光与固体靶相互作用中自生磁场的大小与空间分布情况, 利用光学多道分析（OMA）谱仪（谱分辨0.1nm ）加电荷耦合器件（CCD）相机（11521242）探测设备, 用消色差的相机镜头作为空间分辨,在固体靶前表面测量了激光的高次谐波（n0）光谱, 观测到了n0光谱的精细结构及其频率间隔,由此推出激光与固体靶相互作用中产生的等离子体内的自生磁场达60-70特斯拉（T）量级, 且越接近靶法线方向磁场越强,其一维空间分布为环形。 这一结果为进一步研究强场物理中自生磁场的特性及等离子体的整体行为提供了依据。     

铁电单晶0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3折射率的研究

用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响.     

单晶LiNbO3:Mn2+的ESR谱研究

用室温电子自旋共振（ESR）实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值：自旋角动量能级±12〉与±32〉之间的间隔为Δε1=-587×10-4cm-1,而±32〉与±52〉之间的能级间隔为Δε2=-2633×10-4cm-1；其各向异性朗德因子g∥=21810，g⊥=20937；精细结构常数D=-536×10-4cm-1；超精细结构常数A∥=8836×10-4cm-1，A⊥=8120×10-4cm-1，即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外，特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁，-32〉12〉和-12〉52〉. 关键词： 单晶 精细结构 超精细结构 禁戒跃迁     

Nd1.85Ce0.15 CuO4-δ单晶c-轴方向电阻的低场行为

采用自助熔剂缓冷法成功地生长出了Nd1.85Ce0.15CuO4-δ单晶,其零场下零电阻温度约为21K.在0-0.5T范围内分别测量了磁场平行和垂直样品表面的电阻转变曲线以及0.5T不同角度下的电阻转变曲线.结果显示磁场平行和垂直样品表面时的转变温度Tp随磁场的变化均服从H=H0(1-Tp(h)/Tp(0))2关系.0.5T不同角度下的转变温度Tp符合有效质量模型,即Tp∝H1/12(cos2θ+sin2θ/γ2)1/4.该单晶的各向异性因子γ约为45.     

铁电单晶0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3折射率的研究

用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O_{3< /sub>-0.38PbTiO3( 0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率，给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带 结构与折射率的关系，计算了样品的Sellmeier光学系数：对no，E0=5.50eV,λ0=0.2 26μm，Ｓ０=1.004×10¹⁴m^-2，Ed=28.1 0eV；对ne，Ｅ0=5.57eV,λ 0=0.223μm，S0=1.017×10¹⁴m^-2，Ed=28.10eV.A BO3型钙钛矿材料中，BO6八面体基元决定了晶体的能带结构，对折 射率产生重要影响. 关键词： PMNT单晶 折射率 Sellmeier光学系数}     

Sr14-xCaxCu24O41的芯能级光电子发射谱

测量了准一维1/2自旋的反铁磁体系Sr14-xCaxCu24O41(x=0、3.5、6、7、8.4)多晶样品的芯能级光电子发射谱.各样品的Cu2p3/2的光电子发射谱中主峰峰位位于933.8eV左右,半高宽为3.3eV左右,拟合结果表明,当x=0时,Cu2+和Cu3+的质量分数分别为92.13%和7.87%;而Ca对A位Sr的替代对B位Cu芯能级的影响不明显,Cu2+和Cu3+的质量分数变化很小,估算得该体系中Cu离子的平均化合价为2.08;O1s的光电子发射谱中峰位位于531.0eV左右,并由于Ca对Sr的替代导致在低结合能方向出现一个小的台肩,该台肩来自于Ca-O键的贡献;Ca2p3/2的光电子发射谱中峰位位于346.4eV左右,Sr3d5/2的光电子发射谱中峰位位于133.4eV左右,证明在该体系中Ca和Sr的化合价均为+2价,没有混合价态存在.     

高磁场中纳升(Nanoliter)生物组织固态氢谱及代谢研究

在高磁场21.1 T（900 MHz ¹H NMR)的快速魔角旋转条件下,采用商业化的1.6 mm探头, 生物样品可以在≤1 μL(150 nL,约0.15 mg）和较短的时间（数分钟）内获得满意的代谢产物的固体高分辨氢谱,且仅需对1.6 mm样品管稍作改进. 防止生物样品的泄漏和污染是实验成功的关键因素,因此对于生物样品的封装进行了讨论, 同时对于微量生物样品在高磁场下信噪比的优化策略也进行了理论和实验的探讨. 该文介绍了生物样品的高磁场固体NMR谱学方法在代谢组学的应用,并总结了此领域里的最新研究进展.     

Sr_2RuO_4正常态的c方向的磁阻的研究

研究了典型的层状钙钛矿结构超导单晶Sr2RuO4在c方向的磁阻(Δρ/ρ0)(H∥ab,J∥c)的变化.实验发现,磁阻表现出强烈的各向异性,并且随着温度T的降低,磁阻效应越明显;当在平面ab内旋转磁场H的方向时,磁阻成周期性变化;实验表明,磁场沿(110)方向时,出现磁阻的极大值.分别从Sr2RuO4的费米面的各向异性、载流子散射率、c方向能带色散的各向异性等方面来解释这些输运性质.     

Ag(110)表面吸附酞菁铜分子的紫外光电子谱研究

用紫外光电子能谱(UPS)研究了酞菁铜分子在Ag(110)单晶表面上的吸附，随着酞菁铜分子覆盖度增加，衬底Ag的3d电子信号逐渐减弱，在此能带区域出现两个新的谱峰，这两个与吸附有机分子轨道有关的谱峰的束缚能分别为4.45 和6.36 eV.随着覆盖度的增加，在结合能为1.51和9.20 eV处又出现了两个谱峰，它们同样来自吸附有机分子的轨道.随着覆盖度的继续增加，上述四个谱峰的强度逐渐增加，其能量位置均发生了明显的偏移.根据角分辨光电子能谱的实验结果，酞菁铜分子的分子平面基本与衬底表面平行.密度泛函理论计     

单晶LiNbO3:Mn2+的ESR谱研究

用室温电子自旋共振(ESR)实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值:自旋角动量能级|±1/2>与|±3/2>之间的间隔为△ε1=-587×10-4cm-1,而|±3/2>与|±5/2>之间的能级间隔为△ε2=-2633×10-4cm-1;其各向异性朗德因子g//=2.1810,g⊥=2.0937;精细结构常数D=-536×10-4cm-1;超精细结构常数A//=88.36×10-4cm-1,A⊥=81.20×10-4cm-1,即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外,特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁,|-3/2> |1/2>和|-1/2> |5/2>.     

辐射加热铝Ka吸收谱测量

 铝K_a吸收谱是诊断辐射加热等离子体温度的重要方法之一。在星光Ⅱ激光装置上，利用激光金膜相互作用产生的X光辐射加热其背侧的铝夹层样品，采用天津Ⅲ号胶片记录的PET晶体谱仪测量了不同激光和样品参数条件下的铝Ka吸收谱。实验观察到非常清晰的类氦到类氟铝离子Ka吸收谱线，采用细致组态模型开展了铝Ka吸收谱的模拟计算，模拟计算结果与实验结果符合得较好，研究结果可应用于辐射不透明度样品温度诊断。     

多铁材料MnSb2O6中自旋涨落的ESR研究

具有手性晶体结构的MnSb₂O₆其基态为螺旋磁序,对外磁场有着响应丰富的铁电性.本文通过助熔剂法制备了高质量MnSb₂O₆单晶.电子自旋共振谱(ESR)的结果表明其共振场具有类似铁磁材料的各向异性温度依赖关系.这一结果表明MnSb₂O₆基态的螺旋磁序在外磁场中形成了随磁场方向转动的圆锥磁序相(conical phase).对共振峰半高宽的进一步拟合得到一个意外小的临界指数,这表明MnSb₂O₆中的磁矩具有二维特征并且存在着较强的竞争相互作用.     

光促进温和条件非贵金属催化下卤代烃与二氧化碳的羰基化反应及ESR谱研究

研究了卤代烃在光促进温和条件（常温常压）非贵金属[Co(acac)₂,Co(OAc)₂或CoCl₂]催化下与二氧化碳的羰基化反应；同时对反应过程中的ESR谱进行了研究. ESR谱研究表明，在光促进下二氧化碳参与的羰基化反应中有二氧化碳游离基负离子（CO^·-₂）[用DMPO（5,5-二甲基-1-吡咯啉-N-氧化物）捕获］生成.     

Sr2RuO4正常态的c方向的磁阻的研究

研究了典型的层状钙钛矿结构超导单晶Sr₂RuO₄在c方向的磁阻(Δρ/ρ₀)(H∥ab,J∥c)的变化.实验发现,磁阻表现出强烈的各向异性,并且随着温度T的降低,磁阻效应越明显;当在平面ab内旋转磁场H的方向时,磁阻成周期性变化;实验表明,磁场沿(110)方向时,出现磁阻的极大值.分别从Sr₂RuO₄的费米面的各向异性、载流子散射率、c方向能带色散的各向异性等方面来解释这些输运性质. 关键词： 2RuO₄')" href="#">Sr₂RuO₄ 磁阻     

Ni50.5Mn24.5G25单晶的预马氏体相变特性

通过交流磁化率、电阻、有无磁场下的预相变应变、磁致伸缩和磁化强度测量，系统研究了近正配分比Ni505Mn245Ga25单晶的预马氏体相变特性.在自由样品中观察到预马氏体相变应变.在预相变点，沿[010]方向施加大小约为80kA/m的磁场，在晶体母相的[001]方向上获得了高达505ppm的磁致伸缩，该值是相同条件下晶体母相磁致伸缩量的5倍多.同时，报道了不同方向磁场对预相变应变干预的结果.利用软模凝结的概念和依据单晶生长的特点，分析了预相变应变产生的机理.而磁场干预预相变应变的机理是磁场增大的磁弹耦合导致的晶格形变与材料内禀形变的竞争.利用磁性测量结果证实和解释了预相变过程中[001]和[010]轴方向间进一步增大的各向异性.进而对磁场沿[001]和[010]两个晶体学方向所导致的应变特性的差别，包括最大磁致伸缩、饱和预相变应变、饱和场等，进行了分析和讨论. 关键词： 预马氏体相变 应变 磁致伸缩 磁弹耦合     

MgF2单晶的THz光谱研究

利用THz时域光谱技术对MgF₂晶体(样品1)和MgF₂：Co晶体(样品2)在0.5—2.5 THz的吸收特性进行了研究.在0.5—2.5 THz波段，样品1吸收系数α(ν)随频率ν增加而增大，最大值为24 cm^-1.样品2的吸收系数比样品1大得多，Co掺杂使晶格吸收带边向低频移动，而且样品2在1.9 THz有吸收峰，吸收系数达到70 cm^-1，由此求出F^--Co²⁺离子键伸缩振动的键力常数K为3.40×10^-2　N/cm.这一结果表明，THz光谱分析有可能成为研究晶体化学键的一种重要手段.利用光学常数之间的关系计算了两个样品在0.5—2.5 THz的介电函数的实部ε₁(ν)，得到样品1的ε₁(ν)值在4.67至4.73之间，样品2的ε₁(ν)值在4.62至5.01之间. 关键词： THz辐射 光谱 2晶体')" href="#">MgF₂晶体