二十面体群C-G系数计算

本文简要介绍了计算Ｃ Ｇ系数的生群元矩阵方程法，给出计算二十面体群Ｃ Ｇ系数时采用的简化计算方法，并给出了Ⅰ群Ｃ Ｇ系数的计算结果。     

MgF2单晶中位错缺陷的ESR谱——含有130多条谱线

在室温条件下的激光晶体MgF2单晶中，实验发现含有130多条峰的电子自旋共振(ESR)波谱。两个样品分别取自MgF2单晶生长放肩的尖锥部位和MgF2:Co晶体.两个样品都没有经过任何辐照处理。两个样品具有相同的各向异性谱，说明掺入的Co2+离子引发了与MgF2单晶放肩部位相同的位错缺陷，产生了相同的多核固体自由基。这些顺磁固体自由基稳定且寿命长，产生的ESR信号是各向异性的。经初步计算拟合，谱线是由三种不同的多核自由基产生的。当磁场方向与晶体的[100]或[010]方向平行时，样品的ESR信号出现在磁场从0.2292特斯拉（T）到0.4654T的0.2362T范围内（相当于能带宽度为0.233eV）。最窄的线宽DH约为0.00128特斯拉，DH相当于相邻的能级差,是非常小的，仅有1.85×10-7eV 或1.46×10-3cm-1。这一事实表明其基态简并度是相当高的，在不太高的直流磁场下几乎是一个由准连续的能级组成的能带。这有可能成为可调谐的固体激光介质的新基点。     

磁共振法研究(Fe1-xCox)84Zr3.5Nb3.5B8Cu1纳米晶薄带的磁各向异性

铁磁共振(FMR)实验研究(Fe1-xCox)84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1(x=0.0,0.2,0.4,0.6, 0.8)合金薄带的各向异性,易轴在薄带的横向方向,同等宽度样品的各向异性常数K′随Co掺杂量的增加而减小, K′值在4.67×10-5 J/m(x=0.0)到2.54×10-5 J/m4(x=0.8)之间.由于磁化率的虚部χ″(H)随磁场强度H非线性变化,在低场(0-12 mT)有一个与FMR信号强度相当的低场非共振信号.特别是对Fe84Zr3.5 Nb3.5B8Cu1合金薄带的磁化,在可逆磁化(0-2.0 mT)和趋近饱和磁化(9.0-12 mT)区域, dχ″/dH=0;不可逆畴壁移动过程中,交流磁化率虚部χ″(H)与磁场强度的n次方即Hn(n≥3)有关;在磁畴转动过程中χ″(H)正比于H2(瑞利区),(dχ″)/(dH)为常数;而且发现,有不可逆畴壁移动-磁畴转动三段交替变化的过程,此过程对应三种磁畴的消失过程.     

二十面体群拉曼和超位曼张量的计算

本文简单介绍了计算张量的不变式－协变式方法,以及根据此原理所编程序的设计思想,并在附录中给出了二十面体群的Ｒａｍａｎ、Ｈｙｐｅｒ－Ｒａｍａｎ对称张量和非对称（α、β、γ）张量。     

二十面体群拉曼和超拉曼张量的计算

本文简单介绍了计算张量的不变式－协变式方法，以及根据此原理所编程序的设计思想，并在附录中给出了二十面体群（Ⅰ群）的Ｒａｍａｎ、Ｈｙｐｅｒ Ｒａｍａｎ对称（α、β、γ）张量和非对称（α－、β－、γ－）［１］张量。     

单晶LiNbO3:Mn2+的ESR谱研究

用室温电子自旋共振（ESR）实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值：自旋角动量能级±12〉与±32〉之间的间隔为Δε1=-587×10-4cm-1,而±32〉与±52〉之间的能级间隔为Δε2=-2633×10-4cm-1；其各向异性朗德因子g∥=21810，g⊥=20937；精细结构常数D=-536×10-4cm-1；超精细结构常数A∥=8836×10-4cm-1，A⊥=8120×10-4cm-1，即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外，特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁，-32〉12〉和-12〉52〉. 关键词： 单晶 精细结构 超精细结构 禁戒跃迁     

单晶LiNbO3:Mn2+的ESR谱研究

用室温电子自旋共振(ESR)实验研究单晶LiNbO3中Mn2+的精细结构和超精细结构.对ESR谱的分析得出,零磁场的能级分裂数值:自旋角动量能级|±1/2>与|±3/2>之间的间隔为△ε1=-587×10-4cm-1,而|±3/2>与|±5/2>之间的能级间隔为△ε2=-2633×10-4cm-1;其各向异性朗德因子g//=2.1810,g⊥=2.0937;精细结构常数D=-536×10-4cm-1;超精细结构常数A//=88.36×10-4cm-1,A⊥=81.20×10-4cm-1,即精细结构相互作用要比超精细结构相互作用大得多.另外,特别值得提到的是实验中还发现两组明显的禁戒跃迁,|-3/2> |1/2>和|-1/2> |5/2>.     

纳米金属镝的传导电子定域化

研究不同粒径的稀土金属镝(Dy)纳米晶块体材料的电阻率随温度的变化. 电阻率包括剩余电阻率ρ_res=ρ(0)、磁散射电阻率ρ_mag(T)和声子散射电阻率ρ_pho(T). 样品的平均粒径分别为10,30,100和1000 nm. 实验发现磁散射电阻率ρ_mag(T)和声子散射电阻率ρ_{pho 关键词： 镝金属电性 定域化 能带论 无序}     

Fe84Zr3.5Nb3.5B8Cu1薄带的动态磁化过程

由于铁磁性样品的交流磁化率虚部χ″随磁场强度H的变化是非线性的，在低场(0～12 mT)有一个与铁磁共振信号强度相当的低场非共振信号. 利用ESR谱仪测量交流磁化率虚部χ″对磁场强度H的一次微分随磁场强度的变化dχ″/dH～H，研究Fe₈₄Zr_3.5Nb_3.5B₈Cu₁合金薄带的动态磁化特性. 合金薄带样品是各向异性的，易磁化轴（易轴）在薄带的横向方向，外加磁场H在易轴方向. 样品在可逆磁化区域(0～2.0 mT)和趋近饱和的磁化区域(9.0 mT以上)，dχ″/dH=0；在不可逆畴壁移动过程中，当H为4.2 mT 时, χ″(H)达到最大值χ_max；在磁畴转动过程中，χ″(H)正比于H²（瑞利区）；而实验中却发现，在某些区域交流磁化率虚部χ″(H) 与磁场强度H的n次方即Hⁿ(n≥3)有关；而且发现，在一定区域，有三段不可逆畴壁移动和磁畴转动交替出现的现象. 在这一过程中，dχ″/dH为常数的磁场范围分别为4.8～5.2mT, 5.8～6.4 mT, 8.0～8.5 mT, 其常数相对值分别为1：0.85：0.60. 样品的交流磁化率虚部χ″对磁场H的微分dχ″/dH随磁场H的这一变化规律反映了不可逆畴壁移动和磁畴转动交替发生的微观过程.     

作为统一张量的Raman张量的程序化计算

作为统一张量的Ｒａｍａｎ张量的程序化计算郝伟廖理几金泽宸＊刘凤艳（北京工业大学应用物理系北京１０００２２）（＊中国农业大学基础科技学院北京１０００９４）ＰｒｏｇｒａｍｆｏｒＣａｌｃｕｌａｔｉｎｇＲａｍａｎＴｅｎｓｏｒｓａｓＵｎｉｆｉｅｄＴｅｎｓｏｒｓ...